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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SUM45N25-58-E3 Vishay Siliconix SUM45N25-58-E3 4.4900
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum45 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 45A (TC) 6V, 10V 58mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 30V 5000 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 375W (TC)
IRFBF20S Vishay Siliconix IRFBF20 -
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBF20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBF20 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 8ohm @ 1a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 54W (TC)
SQJA81EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja81ep-t1_ge3 2.2400
RFQ
 ECAD 8879 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA81 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja81ep-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 46A (TC) 4.5V, 10V 17.3mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 5900 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI5853DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5853DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2132 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5853 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.7A (TA) 1.8V, 4.5V 110mohm @ 2.7a, 4.5v 1V @ 250µA 7.7 NC @ 4.5 v ± 8V Schottky 분리 (다이오드) 1.1W (TA)
SQD50N04-5M6_GE3 Vishay Siliconix SQD50N04-5M6_GE3 0.7578
RFQ
 ECAD 3969 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 5.6MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 71W (TC)
SIHF9630STRL-GE3 Vishay Siliconix SIHF9630STRL-GE3 0.7621
RFQ
 ECAD 9663 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF9630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 6.5A (TC) 10V 800mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3W (TA), 74W (TC)
SIR690DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir690dp-t1-ge3 1.6600
RFQ
 ECAD 8350 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir690 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 34.4A (TC) 7.5V, 10V 35mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 37 NC @ 7.5 v ± 20V 1935 pf @ 100 v - 104W (TC)
SI7962DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7962DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7962 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 7.1A 17mohm @ 11.1a, 10V 4.5V @ 250µA 70NC @ 10V - -
IRF9Z20PBF Vishay Siliconix IRF9Z20PBF 1.9100
RFQ
 ECAD 936 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9Z20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9Z20PBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 50 v 9.7A (TC) 10V 280mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 480 pf @ 25 v - 40W (TC)
SI7309DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7309DN-T1-E3 1.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7309 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 8A (TC) 4.5V, 10V 115mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SI1428EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1428EDH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1428 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4A (TC) 2.5V, 10V 45mohm @ 3.7a, 10V 1.3V @ 250µA 13.5 nc @ 10 v ± 12V - 2.8W (TC)
SUP60N06-12P-GE3 Vishay Siliconix SUP60N06-12P-GE3 -
RFQ
 ECAD 5090 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup60 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 60A (TC) 10V 12MOHM @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 1970 pf @ 30 v - 3.25W (TA), 100W (TC)
IRFPS40N60K Vishay Siliconix IRFPS40N60K -
RFQ
 ECAD 6331 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA IRFPS40 MOSFET (금속 (() Super-247 ™ (TO-274AA) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 40A (TC) 10V 130mohm @ 24a, 10V 5V @ 250µA 330 nc @ 10 v ± 30V 7970 pf @ 25 v - 570W (TC)
SUD50P04-08-BE3 Vishay Siliconix SUD50P04-08-BE3 1.5000
RFQ
 ECAD 5751 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 1V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 3W (TA), 100W (TC)
SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA413 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 12A (TC) 1.5V, 4.5V 29mohm @ 6.7a, 4.5v 1V @ 250µA 57 NC @ 8 v ± 8V 1800 pf @ 10 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
IRFD214 Vishay Siliconix IRFD214 -
RFQ
 ECAD 9563 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD214 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFD214 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 450MA (TA) 10V 2ohm @ 270ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 1W (TA)
SIHP074N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHP074N65E-GE3 7.6800
RFQ
 ECAD 9332 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 35A (TC) 10V 79mohm @ 15a, 10V 5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 30V 2904 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIS106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS106DN-T1-GE3 1.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS106 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 9.8A (TA), 16A (TC) 7.5V, 10V 18.5mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 13.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 24W (TC)
SIR862DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir862dp-t1-ge3 0.6027
RFQ
 ECAD 4261 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir862 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 69W (TC)
SIHFS9N60A-GE3 Vishay Siliconix SIHFS9N60A-GE3 1.0521
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHFS9 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
SI7220DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7220DN-T1-E3 2.5000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7220 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 3.4a 60mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI7923DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7923DN-T1-GE3 1.5800
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7923 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 4.3A 47mohm @ 6.4a, 10V 3V @ 250µA 21NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIE822DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE822DF-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9308 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (S) SIE822 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (S) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 18.3a, 10V 3V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 4200 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
SIA920DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA920DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA920 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 8V 4.5A 27mohm @ 5.3a, 4.5v 700MV @ 250µA 7.5NC @ 4.5V 470pf @ 4v 논리 논리 게이트
SI1046R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1046R-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1494 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1046 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 606MA (TA) 1.8V, 4.5V 420mohm @ 606ma, ​​4.5v 950MV @ 250µA 1.49 NC @ 5 v ± 8V 66 pf @ 10 v - 250MW (TA)
SI8900EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8900EDB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 7566 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-UFBGA, CSPBGA SI8900 MOSFET (금속 (() 1W 10 c ™ ™ CSP (2x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 5.4A - 1V @ 1.1MA - - 논리 논리 게이트
SIHA6N65E-E3 Vishay Siliconix siha6n65e-e3 2.0300
RFQ
 ECAD 7951 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA6 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 31W (TC)
SIRA60DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA60DP-T1-RE3 0.5977
RFQ
 ECAD 7886 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira60 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 0.94mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 125 nc @ 10 v +20V, -16V 7650 pf @ 15 v - 57W (TC)
SUD80460E-GE3 Vishay Siliconix SUD80460E-GE3 0.9700
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD80460 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 42A (TC) 10V 44.7mohm @ 8.3a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 560 pf @ 50 v - 65.2W (TC)
SI1016X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1016X-T1-GE3 0.6600
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1016 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 485ma, 370ma 700mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.75NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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