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 | sqj260ep-t1_ge3 | 1.4800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SQJ260 | MOSFET (금속 (() | 27W (TC), 48W (TC) | PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 20A (TC), 54A (TC) | 19mohm @ 6a, 10v, 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250µA | 20NC @ 10V, 40NC @ 10V | 1100pf @ 25v, 2500pf @ 25v | - | |||||||
| SI4354DY-T1-E3 | - | | 4280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4354 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 9.5A (TA) | 4.5V, 10V | 16.5mohm @ 9.5a, 10V | 1.6V @ 250µA | 10.5 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 2.5W (TA) | |||||
| Sir180ADP-T1-RE3 | 1.9300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | Sir180 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 35A (TA), 137A (TC) | 7.5V, 10V | 2.2MOHM @ 10A, 10V | 3.6V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 3280 pf @ 30 v | - | 5.4W (TA), 83.3W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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