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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
SI1480BDH-T1-GE3	0.4200	RFQ	4979	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1480	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)					3,000		n 채널	100 v	1.8A (TA), 2.38A (TC)	4.5V, 10V	212MOHM @ 2A, 10V	3V @ 250µA	6 nc @ 10 v	± 20V	206 pf @ 50 v	-	1.5W (TA), 2.6W (TC)
SI1307EDL-T1-GE3	-	RFQ	3574	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1307	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	12 v	850MA (TA)	1.8V, 4.5V	290mohm @ 1a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	5 nc @ 4.5 v	± 8V		-	290MW (TA)
SIR578DP-T1-RE3	2.2500	RFQ	7882	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIR578DP-T1-RE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	150 v	17.2A (TA), 70.2A (TC)	7.5V, 10V	8.8mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 20V	2540 pf @ 75 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
sq3427ev-t1_ge3	0.6900	RFQ	445	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SQ3427	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	5.3A (TC)	4.5V, 10V	95mohm @ 4.5a, 10V	2.5V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1000 pf @ 30 v	-	5W (TC)
SI4464DY-T1-GE3	1.4000	RFQ	3268	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4464	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	200 v	1.7A (TA)	6V, 10V	240mohm @ 2.2a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V		-	1.5W (TA)
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sir484dp-t1-ge3	-	RFQ	1791	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir484	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	20A (TC)	4.5V, 10V	8.3mohm @ 17.2a, 10V	2.5V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 20V	830 pf @ 10 v	-	3.9W (TA), 29.8W (TC)
SI3433BDV-T1-GE3	-	RFQ	4278	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3433	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	4.3A (TA)	1.8V, 4.5V	42mohm @ 5.6a, 4.5v	850MV @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.1W (TA)
SI5415AEDU-T1-GE3	-	RFQ	9659	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 싱글	SI5415	MOSFET (금속 (()		PowerPak® Chipfet 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	25A (TC)	1.8V, 4.5V	9.6mohm @ 10a, 4.5v	1V @ 250µA	120 nc @ 8 v	± 8V	4300 pf @ 10 v	-	3.1W (TA), 31W (TC)
SI2304BDS-T1-GE3	0.4700	RFQ	105	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2304	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	2.6A (TA)	4.5V, 10V	70mohm @ 2.5a, 10V	3V @ 250µA	4 NC @ 5 v	± 20V	225 pf @ 15 v	-	750MW (TA)
SI4622DY-T1-E3	-	RFQ	2414	Vishay Siliconix	Skyfet®, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4622	MOSFET (금속 (()	3.3W, 3.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	8a		16mohm @ 9.6a, 10V	2.5V @ 1mA	60NC @ 10V		2458pf @ 15V	-
SI7615CDN-T1-GE3	0.5400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7615	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	35A (TC)	1.8V, 4.5V	9mohm @ 12a, 4.5v	1V @ 250µA	63 NC @ 4.5 v	± 8V	3860 pf @ 10 v	-	33W (TC)
SI3469DV-T1-E3	0.6600	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3469	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5A (TA)	4.5V, 10V	30mohm @ 6.7a, 10V	3V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V		-	1.14W (TA)
SI4884BDY-T1-GE3	-	RFQ	2948	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4884	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	16.5A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	1525 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 4.45W (TC)
SQ3457EV-T1_BE3	0.6900	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SQ3457	MOSFET (금속 (()		6TSOP	-		1 (무제한)		742-sq3457ev-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	6.8A (TC)	4.5V, 10V	65mohm @ 6a, 10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 20V	705 pf @ 15 v	-	5W (TC)
SI7945DP-T1-GE3	-	RFQ	7821	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7945	MOSFET (금속 (()	1.4W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		30V	7a		20mohm @ 10.9a, 10V	3V @ 250µA	74NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
IRF830APBF-BE3	1.5700	RFQ	973	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF830	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-IRF830APBF-BE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	5A (TC)	10V	1.4ohm @ 3a, 10V	4.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 30V	620 pf @ 25 v	-	74W (TC)
SI5920DC-T1-E3	-	RFQ	8082	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5920	MOSFET (금속 (()	3.12W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		8V	4a		32mohm @ 6.8a, 4.5v	1V @ 250µA	12NC @ 5V		680pf @ 4v	논리 논리 게이트
SIE868DF-T1-GE3	-	RFQ	3193	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-Polarpak® (L)	SIE868	MOSFET (금속 (()		10-Polarpak® (L)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	60A (TC)	4.5V, 10V	2.3MOHM @ 20A, 10V	2.2V @ 250µA	145 NC @ 10 v	± 20V	6100 pf @ 20 v	-	5.2W (TA), 125W (TC)
U430	-	RFQ	1693	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	78-6 금속 6	U430		500MW	To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	100		2 n 채널 (채널)								5pf @ 10V			25 v	12 ma @ 10 v	1 v @ 1 na
IRF840LCPBF-BE3	2.2000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF840	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	1100 pf @ 25 v	-	125W (TC)
SI3552DV-T1-E3	0.7000	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3552	MOSFET (금속 (()	1.15W	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		30V	2.5A		105mohm @ 2.5a, 10V	1V @ 250µA (Min)	3.2NC @ 5V		-	논리 논리 게이트
SIA467EDJ-T1-GE3	-	RFQ	9770	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA467	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6 싱글	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	31A (TC)	1.8V, 4.5V	13mohm @ 5a, 4.5v	1V @ 250µA	72 NC @ 8 v	± 8V	2520 pf @ 6 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)
irl620strlpbf	2.0300	RFQ	130	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	irl620	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	5.2A (TC)	4V, 10V	800mohm @ 3.1a, 10V	2V @ 250µA	16 nc @ 5 v	± 10V	360 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 50W (TC)
SI7718DN-T1-GE3	-	RFQ	2744	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7718	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 20V	1600 pf @ 15 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SI3879DV-T1-E3	-	RFQ	9160	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3879	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5A (TC)	2.5V, 4.5V	70mohm @ 3.5a, 4.5v	1.5V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	± 12V	480 pf @ 10 v	-	2W (TA), 3.3W (TC)
SIHG70N60AEF-GE3	11.1500	RFQ	4882	Vishay Siliconix	ef	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	SIHG70	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	600 v	60A (TC)	10V	41mohm @ 35a, 10V	4V @ 250µA	410 nc @ 10 v	± 20V	5348 pf @ 100 v	-	417W (TC)
SI4842BDY-T1-E3	2.4800	RFQ	185	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4842	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	28A (TC)	4.5V, 10V	4.2MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	3650 pf @ 15 v	-	3W (TA), 6.25W (TC)
SI7898DP-T1-GE3	2.2300	RFQ	23	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7898	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	150 v	3A (TA)	6V, 10V	85mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 20V		-	1.9W (TA)
SI7448DP-T1-E3	-	RFQ	1350	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7448	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	13.4A (TA)	2.5V, 4.5V	6.5mohm @ 22a, 4.5v	1.5V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 12V		-	1.9W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²