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| SI3424DV-T1-E3 | - | | 3434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3424 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5A (TA) | 28mohm @ 6.7a, 10V | 800mv @ 250µa (최소) | 18 nc @ 10 v | - | |||||||||
 | sqja88ep-t1_ge3 | 0.9600 | | 3630 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJA88 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | |||||
| irl630strr | - | | 5852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl630 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 10V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| SI4564DY-T1-GE3 | 1.3900 | | 7615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4564 | MOSFET (금속 (() | 3.1W, 3.2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 40V | 10A, 9.2A | 17.5mohm @ 8a, 10V | 2V @ 250µA | 31nc @ 10V | 855pf @ 20V | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | irfib8n50k | - | | 2461 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfib8 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *irfib8n50k | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 6.7A (TC) | 10V | 350mohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 89 NC @ 10 v | ± 30V | 2160 pf @ 25 v | - | 45W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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