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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFR9024PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR9024PBF-BE3 0.8874
RFQ
 ECAD 5679 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9024 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr9024pbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4569DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4569DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5818 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4569 MOSFET (금속 (() 3.1W, 3.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 7.6a, 7.9a 27mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 32NC @ 10V 855pf @ 20V -
SIS472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS472DN-T1-GE3 0.7100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS472 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 997 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 28W (TC)
SIS410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS410DN-T1-GE3 1.0700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS410 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 35A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SIA537EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA537EDJ-T1-GE3 0.6600
RFQ
 ECAD 9503 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA537 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 12V, 20V 4.5A 28mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 16nc @ 8v 455pf @ 6v 논리 논리 게이트
2N5115JTXL02 Vishay Siliconix 2N5115JTXL02 -
RFQ
 ECAD 6135 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5115 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 - -
SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4666DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7257 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4666 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 16.5A (TC) 2.5V, 10V 10MOHM @ 10A, 10V 1.5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 12V 1145 pf @ 10 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SUD50N02-06P-E3 Vishay Siliconix SUD50N02-06P-E3 -
RFQ
 ECAD 4639 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 20V 2550 pf @ 10 v - 6.8W (TA), 65W (TC)
SIHP6N80E-BE3 Vishay Siliconix sihp6n80e-be3 2.4400
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 5.4A (TC) 10V 940mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 30V 827 pf @ 100 v - 78W (TC)
SIHA125N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHA125N60EF-GE3 6.3400
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA125 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA125N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 1533 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQJA86EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja86ep-t1_ge3 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA86 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 30A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 48W (TC)
SIJ482DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ482DP-T1-GE3 1.8000
RFQ
 ECAD 1441 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ482 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 20A, 10V 2.7V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 2425 pf @ 40 v - 5W (TA), 69.4W (TC)
SQM120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3 3.8400
RFQ
 ECAD 1089 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 7230 pf @ 25 v - 375W (TC)
SIDR510EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR510EP-T1-RE3 3.0500
RFQ
 ECAD 7529 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 33A (TA), 148A (TC) 7.5V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 4980 pf @ 50 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-GE3 2.9300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR668 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 23.2A (TA), 95A (TC) 7.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 50 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SI6969DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6969DQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6969 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V - 34mohm @ 4.6a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 40nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
IRFP450APBF Vishay Siliconix IRFP450APBF 3.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP450 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP450APBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 30V 2038 pf @ 25 v - 190W (TC)
SQJ457EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj457ep-t2_ge3 0.9900
RFQ
 ECAD 9575 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 36A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 68W (TC)
SQ3493EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3493EV-T1_GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3493 MOSFET (금속 (() 6TSOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sq3493ev-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TC) 2.5V, 4.5V 21mohm @ 5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 34 NC @ 4.5 v ± 12V 3300 pf @ 10 v - 5W (TC)
SI6963BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6963BDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8660 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6963 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.4a 45mohm @ 3.9a, 4.5v 1.4V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SUM110N03-03P-E3 Vishay Siliconix SUM110N03-03P-E3 -
RFQ
 ECAD 2087 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 110A (TC) 4.5V, 10V 2.6MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 12100 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 375W (TC)
SIHA15N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHA15N50E-GE3 2.2100
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA15N50E-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 14.5A (TC) 10V 280mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 30V 1162 pf @ 100 v - 33W (TC)
SQJB80EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb80ep-t1_be3 1.1900
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB80 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqjb80ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 80V 30A (TC) 19mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 32NC @ 10V 1400pf @ 25V -
IRLL014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irll014trpbf-be3 0.8800
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRLL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 1 (무제한) 742-irll014trpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 1.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI5411EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5411EDU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5411 MOSFET (금속 (() PowerPak® Chipfet 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 25A (TC) 1.8V, 4.5V 8.2mohm @ 6a, 4.5v 900MV @ 250µA 105 NC @ 8 v ± 8V 4100 pf @ 6 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SIHP22N60AE-BE3 Vishay Siliconix SIHP22N60AE-BE3 3.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 1451 pf @ 100 v - 179W (TC)
IRFZ14S Vishay Siliconix IRFZ14S -
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ14S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SIHA25N50E-E3 Vishay Siliconix SiHA25N50E-E3 3.2000
RFQ
 ECAD 6980 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA25 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1980 pf @ 100 v - 35W (TC)
IRFU310 Vishay Siliconix IRFU310 -
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU3 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU310 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 400 v 1.7A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF740PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF740PBF-BE3 2.0400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF740 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRF740PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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