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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on)
SISS42DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS42DN-T1-GE3 0.6825
RFQ
 ECAD 5178 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS42 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 11.8A (TA), 40.5A (TC) 7.5V, 10V 14.4mohm @ 15a, 10V 3.4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 50 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3987EV-T1_GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3987 MOSFET (금속 (() 1.67W 6TSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 3A (TC) 133mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 250µA 12.2NC @ 10V 570pf @ 15V -
SUP18N15-95-E3 Vishay Siliconix SUP18N15-95-E3 -
RFQ
 ECAD 2799 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP18 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 150 v 18A (TC) 6V, 10V 95mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA (Min) 25 nc @ 10 v ± 20V 900 pf @ 25 v - 88W (TC)
SUM60N10-17-E3 Vishay Siliconix SUM60N10-17-E3 2.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum60 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 60A (TC) 6V, 10V 16.5mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
SQD40N06-14L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD40N06-14L_T4GE3 0.6209
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 742-SQD40N06-14L_T4GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 40A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2105 pf @ 25 v - 75W (TC)
SIHD14N60ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHD14N60ET1-GE3 2.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 742-SIHD14N60ET1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 309mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 30V 1205 pf @ 100 v - 147W (TC)
SIE882DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE882DF-T1-GE3 2.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE882 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6400 pf @ 12.5 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SQA409CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa409cejw-t1_ge3 0.5300
RFQ
 ECAD 2656 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® SC-70-6 SQA409 MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 3,000 p 채널 12 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 4.5 v ± 8V 3070 pf @ 6 v - 13.6W (TC)
IRF9610PBF Vishay Siliconix IRF9610PBF 1.6700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9610 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) *IRF9610pbf 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 1.8A (TC) 10V 3ohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 20W (TC)
SIJ438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ438DP-T1-GE3 1.7300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ438 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 1.35mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 182 NC @ 10 v +20V, -16V 9400 pf @ 20 v - 69.4W (TC)
IRFBC30PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBC30PBF-BE3 1.7300
RFQ
 ECAD 938 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRFBC30PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 74W (TC)
SQS414CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS414CENW-T1_GE3 0.6800
RFQ
 ECAD 3013 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 18A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 870 pf @ 25 v - 33W (TC)
SUD50N024-09P-E3 Vishay Siliconix SUD50N024-09P-E3 -
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 22 v 49A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 20V 1300 pf @ 10 v - 6.5W (TA), 39.5W (TC)
SI4386DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4386DY-T1-GE3 1.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4386 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.47W (TA)
SI4401BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4401BDY-T1-E3 1.9500
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4401 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 8.7A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 10.5a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SUM90N08-4M8P-E3 Vishay Siliconix sum90n08-4m8p-e3 -
RFQ
 ECAD 4336 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 90A (TC) 4.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v 6460 pf @ 40 v -
SI2306BDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-E3 0.6200
RFQ
 ECAD 6427 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2306 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.16a (TA) 4.5V, 10V 47mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 4.5 nc @ 5 v ± 20V 305 pf @ 15 v - 750MW (TA)
IRF9520STRLPBF Vishay Siliconix IRF9520STRLPBF 2.1900
RFQ
 ECAD 472 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SI3483DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3483DDV-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3483 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.4A (TA), 8A (TC) 4.5V, 10V 31.2MOHM @ 5A, 10V 2.2V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v +16V, -20V 580 pf @ 15 v - 2W (TA), 3W (TC)
SIRA54ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix siRA54ADP-T1-RE3 1.9300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira54 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 36.2A (TA), 128A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v +20V, -16V 3850 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
IRLL014TRPBF Vishay Siliconix irll014trpbf 0.8800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRLL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 1.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SIB408DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB408DK-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB408 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 9.5 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SI7110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7110DN-T1-GE3 2.1700
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7110 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 13.5A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 21.1a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SQJQ130EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ130EL-T1_GE3 3.3300
RFQ
 ECAD 8034 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 1 (무제한) 742-sqjq130el-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 445A (TC) 4.5V, 10V 0.52MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 455 NC @ 10 v ± 20V 23345 pf @ 25 v - 600W (TC)
SI4174DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4174DY-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4174 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 985 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SI1032X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1032X-T1-GE3 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1032 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 5ohm @ 200ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 6V - 300MW (TA)
VQ1006P Vishay Siliconix vq1006p -
RFQ
 ECAD 6088 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 - VQ1006 MOSFET (금속 (() 2W 14-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 4 n 채널 90V 400ma 4.5ohm @ 1a, 10V 2.5V @ 1mA - 60pf @ 25V 논리 논리 게이트
SIE808DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE808DF-T1-GE3 1.9970
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE808 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 8800 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SQW61N65EF-GE3 Vishay Siliconix SQW61N65EF-GE3 12.3100
RFQ
 ECAD 380 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, e 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SQW61 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 742-SQW61N65EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 62A (TC) 52mohm @ 32a, 10V 4V @ 250µA 344 NC @ 10 v ± 30V 7379 pf @ 100 v - 625W (TC)
2N4391-2 Vishay Siliconix 2N4391-2 -
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4391 1.8 w TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 14pf @ 20V 40 v 50 ma @ 20 v 4 v @ 1 na 30 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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