| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIZ918DT-T1-GE3 | 1.7200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | SIZ918 | MOSFET(금속) | 29W, 100W | 8-PowerPair®(6x5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N 채널(하프 다리) | 30V | 16A, 28A | 12m옴 @ 13.8A, 10V | 2.2V @ 250μA | 21nC @ 10V | 790pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||
![]() | IRFD9123 | - | ![]() | 9032 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 스루홀 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | IRFD9123 | MOSFET(금속) | 4-HVMDIP | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 100V | 1A(타) | 600m옴 @ 600mA, 10V | 4V @ 250μA | 18nC @ 10V | 390pF @ 25V | - | - | |||||||
![]() | SI7911DN-T1-GE3 | - | ![]() | 5080 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8 듀얼 | SI7911 | MOSFET(금속) | 1.3W | PowerPAK® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 4.2A | 51m옴 @ 5.7A, 4.5V | 1V @ 250μA | 15nC @ 4.5V | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
![]() | SISS10ADN-T1-GE3 | 0.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® Gen IV | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8S | SISS10 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 31.7A(Ta), 109A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.65m옴 @ 15A, 10V | 2.4V @ 250μA | 61nC @ 10V | +20V, -16V | 3030pF @ 20V | - | 4.8W(Ta), 56.8W(Tc) | |||||
![]() | SI1033X-T1-E3 | - | ![]() | 6318 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | SI1033 | MOSFET(금속) | 250mW | SC-89 (SOT-563F) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 145mA | 8옴 @ 150mA, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 1.5nC @ 4.5V | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
![]() | SI4831BDY-T1-E3 | - | ![]() | 7710 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 작은 발® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | SI4831 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 30V | 6.6A(Tc) | 4.5V, 10V | 42m옴 @ 5A, 10V | 3V @ 250μA | 26nC @ 10V | ±20V | 625pF @ 15V | 쇼트키 다이오드(절연) | 2W(Ta), 3.3W(Tc) | ||||
![]() | SIHD6N80AE-GE3 | 1.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | SIHD6 | MOSFET(금속) | TO-252AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 800V | 5A(Tc) | 10V | 950m옴 @ 2A, 10V | 4V @ 250μA | 22.5nC @ 10V | ±30V | 100V에서 422pF | - | 62.5W(Tc) | |||||
![]() | SIR124DP-T1-RE3 | 1.0700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® Gen IV | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 | SIR124 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 80V | 16.1A(Ta), 56.8A(Tc) | 7.5V, 10V | 8.4m옴 @ 10A, 10V | 3.8V @ 250μA | 40nC @ 10V | ±20V | 40V에서 1666pF | - | 5W(Ta), 62.5W(Tc) | |||||
![]() | SI7308DN-T1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8 | SI7308 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 6A(TC) | 4.5V, 10V | 58m옴 @ 5.4A, 10V | 3V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±20V | 15V에서 665pF | - | 3.2W(Ta), 19.8W(Tc) | |||||
![]() | SI1304BDL-T1-E3 | - | ![]() | 3486 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | SI1304 | MOSFET(금속) | SC-70-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 900mA(Tc) | 2.5V, 4.5V | 270m옴 @ 900mA, 4.5V | 1.3V @ 250μA | 2.7nC @ 4.5V | ±12V | 15V에서 100pF | - | 340mW(Ta), 370mW(Tc) | ||||
![]() | SQ3427AEEV-T1_BE3 | 0.7800 | ![]() | 812 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | SQ3427 | MOSFET(금속) | 6-TSOP | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 60V | 5.3A(Tc) | 4.5V, 10V | 95m옴 @ 4.5A, 10V | 2.5V @ 250μA | 22nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1000pF | - | 5W(Tc) | ||||||
![]() | SISS02DN-T1-GE3 | 1.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® Gen IV | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8S | SISS02 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 25V | 51A(타), 80A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.2m옴 @ 15A, 10V | 2.2V @ 250μA | 83nC @ 10V | +16V, -12V | 10V에서 4450pF | - | 5W(Ta), 65.7W(Tc) | |||||
![]() | SI3429EDV-T1-GE3 | 0.4700 | ![]() | 2398 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | SI3429 | MOSFET(금속) | 6-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 8A(Ta), 8A(Tc) | 1.8V, 4.5V | 21m옴 @ 4A, 4.5V | 1V @ 250μA | 118nC @ 10V | ±8V | 50V에서 4085pF | - | 4.2W(Tc) | |||||
![]() | SI7818DN-T1-GE3 | 1.6600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8 | SI7818 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 150V | 2.2A(타) | 6V, 10V | 135m옴 @ 3.4A, 10V | 4V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±20V | - | 1.5W(타) | ||||||
![]() | SIHP085N60EF-GE3 | 5.9900 | ![]() | 4348 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | EF | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | SIHP085 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 742-SIHP085N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 34A(티씨) | 10V | 84m옴 @ 17A, 10V | 5V @ 250μA | 63nC @ 10V | ±30V | 100V에서 2733pF | - | 184W(Tc) | ||||
![]() | IRFD9020PBF | 1.6700 | ![]() | 505 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | IRFD9020 | MOSFET(금속) | 4-HVMDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | *IRFD9020PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | P채널 | 60V | 1.6A(타) | 10V | 280m옴 @ 960mA, 10V | 4V @ 1μA | 19nC @ 10V | ±20V | 25V에서 570pF | - | 1.3W(타) | ||||
![]() | SI5440DC-T1-GE3 | - | ![]() | 4577 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SMD, 플랫 리드 | SI5440 | MOSFET(금속) | 1206-8 ChipFET™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 6A(TC) | 4.5V, 10V | 19m옴 @ 9.1A, 10V | 2.5V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±20V | 1200pF @ 10V | - | 2.5W(Ta), 6.3W(Tc) | ||||
![]() | SQJQ112E-T1_GE3 | 3.6600 | ![]() | 8398 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 8x8 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 8x8 | 다운로드 | 1(무제한) | 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 100V | 296A(Tc) | 10V | 2.53m옴 @ 20A, 10V | 250μA에서 3.5V | 272nC @ 10V | ±20V | 25V에서 15945pF | - | 600W(Tc) | ||||||
![]() | SIE802DF-T1-E3 | 1.8574 | ![]() | 5701 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 10-PolarPAK® (L) | SIE802 | MOSFET(금속) | 10-PolarPAK® (L) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 60A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.9m옴 @ 23.6A, 10V | 2.7V @ 250μA | 160nC @ 10V | ±20V | 15V에서 7000pF | - | 5.2W(Ta), 125W(Tc) | |||||
![]() | SI2399DS-T1-GE3 | 0.5100 | ![]() | 4257 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2399 | MOSFET(금속) | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 6A(TC) | 2.5V, 10V | 34m옴 @ 5.1A, 10V | 250μA에서 1.5V | 20nC @ 4.5V | ±12V | 835pF @ 10V | - | 2.5W(Tc) | ||||
![]() | SI4430BDY-T1-E3 | 1.8500 | ![]() | 889 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | SI4430 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 14A(타) | 4.5V, 10V | 4.5m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 36nC @ 4.5V | ±20V | - | 1.6W(타) | ||||||
| SUP70060E-GE3 | 2.0800 | ![]() | 4366 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | ThunderFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | SUP70060 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 131A (Tc) | 7.5V, 10V | 5.8m옴 @ 30A, 10V | 4V @ 250μA | 81nC @ 10V | ±20V | 50V에서 3330pF | - | 200W(Tc) | ||||||
![]() | SQ2310ES-T1_BE3 | 0.9000 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2310 | MOSFET(금속) | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | 1(무제한) | 742-SQ2310ES-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 6A(TC) | 1.5V, 4.5V | 30m옴 @ 5A, 4.5V | 1V @ 250μA | 8.5nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 485pF | - | 2W(Tc) | |||||
![]() | IRFR1N60ATRRPBF | - | ![]() | 3189 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRFR1 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 600V | 1.4A(Tc) | 10V | 7옴 @ 840mA, 10V | 4V @ 250μA | 14nC @ 10V | ±30V | 229pF @ 25V | - | 36W(Tc) | ||||
![]() | SIS472ADN-T1-GE3 | 0.1714 | ![]() | 7351 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8 | SIS472 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 24A(TC) | 4.5V, 10V | 8.5m옴 @ 10A, 10V | 2.4V @ 250μA | 44nC @ 10V | ±20V | 1515pF @ 15V | - | 28W(Tc) | ||||||
![]() | SIR692DP-T1-RE3 | 1.7900 | ![]() | 4707 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | ThunderFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 | SIR692 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 250V | 24.2A(Tc) | 7.5V, 10V | 63m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 250μA | 30nC @ 7.5V | ±20V | 125V에서 1405pF | - | 104W(Tc) | |||||
![]() | SIS452DN-T1-GE3 | - | ![]() | 6025 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8 | SIS452 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 12V | 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.25m옴 @ 20A, 10V | 2.2V @ 250μA | 41nC @ 10V | ±20V | 6V에서 1700pF | - | 3.8W(Ta), 52W(Tc) | |||||
![]() | SI1902DL-T1-E3 | 0.5300 | ![]() | 8479 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET(금속) | 270mW | SC-70-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 660mA | 385m옴 @ 660mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 1.2nC @ 4.5V | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
![]() | SIR826DP-T1-RE3 | 0.9999 | ![]() | 3488 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 | SIR826 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SO-8 | - | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 80V | 60A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.8m옴 @ 20A, 10V | 2.8V @ 250μA | 90nC @ 10V | ±20V | 40V에서 2900pF | - | 104W(Tc) | ||||||
![]() | SI2377EDS-T1-GE3 | 0.4400 | ![]() | 7653 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2377 | MOSFET(금속) | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 4.4A(Tc) | 1.5V, 4.5V | 61m옴 @ 3.2A, 4.5V | 1V @ 250μA | 21nC @ 8V | ±8V | - | 1.25W(Ta), 1.8W(Tc) |

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