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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQD45P03-12_GE3 Vishay Siliconix SQD45P03-12_GE3 1.7700
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 83 NC @ 10 v ± 20V 3495 pf @ 15 v - 71W (TC)
SIJ150DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ150DP-T1-GE3 1.2600
RFQ
 ECAD 9137 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ150 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIJ150DP-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 30.9A (TA), 110A (TC) 4.5V, 10V 2.83mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 70 nc @ 10 v +20V, -16V 4000 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
SISS05DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS05DN-T1-GE3 1.2600
RFQ
 ECAD 4007 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS05 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 29.4A (TA), 108A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 115 NC @ 10 v +16V, -20V 4930 pf @ 15 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SI2312BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-BE3 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2312BDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.9A (TA) 1.8V, 4.5V 31mohm @ 5a, 4.5v 850MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 8V - 750MW (TA)
SIHH21N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH21N60E-T1-GE3 2.1785
RFQ
 ECAD 2605 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH21 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 176mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 83 NC @ 10 v ± 30V 2015 PF @ 100 v - 104W (TC)
SIHP14N50D-E3 Vishay Siliconix SIHP14N50D-E3 2.9400
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP14N50DE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 7a, 10V 5V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 1144 pf @ 100 v - 208W (TC)
SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4459ADY-T1-GE3 1.6000
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4459 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 29A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 195 NC @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI1551DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1551DL-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5068 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1551 MOSFET (금속 (() 270MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 290ma, 410ma 1.9ohm @ 290ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQM120N04-1M7_GE3 Vishay Siliconix SQM120N04-1M7_GE3 2.1512
RFQ
 ECAD 7763 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SQM120N04-1M7-GE3 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.7mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 310 nc @ 10 v ± 20V 17350 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF9Z34SPBF Vishay Siliconix IRF9Z34SPBF 2.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9Z34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SIHU6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihu6n65e-ge3 0.7796
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB Sihu6 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
SQJ412EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ412EP-T2_GE3 0.7110
RFQ
 ECAD 5531 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ412 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj412ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 32A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 10.3a, 10V 2.5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 5950 pf @ 20 v - 83W (TC)
SIA914ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA914ADJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9137 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA914 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.5A 43mohm @ 3.7a, 4.5v 900MV @ 250µA 12.5NC @ 8V 470pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI2323DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2323DS-T1-E3 0.7300
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2323 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.7a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 8V 1020 pf @ 10 v - 750MW (TA)
SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ348DT-T1-GE3 1.1500
RFQ
 ECAD 5734 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz348 MOSFET (금속 (() 3.7W (TA), 16.7W (TC) 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 18A (TA), 30A (TC) 7.12mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 18.2NC @ 10V 820pf @ 15V -
SI1307DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1307DL-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8633 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1307 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 850MA (TA) 1.8V, 4.5V 290mohm @ 1a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 5 nc @ 4.5 v ± 8V - 290MW (TA)
SI4834CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4834CDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6914 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4834 MOSFET (금속 (() 2.9W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8a 20mohm @ 8a, 10V 3V @ 1mA 25NC @ 10V 950pf @ 15V -
SI7423DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7423DN-T1-E3 1.5900
RFQ
 ECAD 725 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7423 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7.4A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 11.7a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRFR9120PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR9120PBF-BE3 0.8080
RFQ
 ECAD 2691 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr9120pbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI4484EY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4484EY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4026 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4484 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 4.8A (TA) 6V, 10V 34mohm @ 6.9a, 10V 2V @ 250µA (Min) 30 nc @ 10 v ± 20V - 1.8W (TA)
IRF820ASTRL Vishay Siliconix irf820astrl -
RFQ
 ECAD 6010 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF820 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
SIZ342DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ342DT-T1-GE3 0.9200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz342 - 3.6W, 4.3W 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 15.7A (TA), 100A (TC) 11.5mohm @ 14a, 10V 2.4V @ 250µA 20NC @ 10V 650pf @ 15V -
SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7820DN-T1-GE3 1.5500
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7820 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 1.7A (TA) 6V, 10V 240mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SISS42DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS42DN-T1-GE3 0.6825
RFQ
 ECAD 5178 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS42 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 11.8A (TA), 40.5A (TC) 7.5V, 10V 14.4mohm @ 15a, 10V 3.4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 50 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3987EV-T1_GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3987 MOSFET (금속 (() 1.67W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 3A (TC) 133mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 250µA 12.2NC @ 10V 570pf @ 15V -
SUP18N15-95-E3 Vishay Siliconix SUP18N15-95-E3 -
RFQ
 ECAD 2799 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP18 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 150 v 18A (TC) 6V, 10V 95mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA (Min) 25 nc @ 10 v ± 20V 900 pf @ 25 v - 88W (TC)
SUM60N10-17-E3 Vishay Siliconix SUM60N10-17-E3 2.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum60 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 60A (TC) 6V, 10V 16.5mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 150W (TC)
SQD40N06-14L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD40N06-14L_T4GE3 0.6209
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SQD40N06-14L_T4GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 40A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2105 pf @ 25 v - 75W (TC)
SIHD14N60ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHD14N60ET1-GE3 2.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 742-SIHD14N60ET1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 309mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 30V 1205 pf @ 100 v - 147W (TC)
SIE882DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE882DF-T1-GE3 2.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE882 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6400 pf @ 12.5 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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