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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI9934BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9934BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9934 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V 4.8a 35mohm @ 6.4a, 4.5v 1.4V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI7159DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7159DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5642 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7159 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 25V 5170 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SI4963BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4963BDY-T1-E3 1.5100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4963 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 4.9A 32mohm @ 6.5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 21NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQJA82EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja82ep-t1_ge3 1.1900
RFQ
 ECAD 3840 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA82 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 68W (TC)
SQJA82EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja82ep-t1_be3 1.1900
RFQ
 ECAD 1790 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja82ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIS496EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS496EDNT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS496 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1515 pf @ 15 v - 52W (TC)
SIA450DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA450DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9361 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA450 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 240 v 1.52A (TC) 2.5V, 10V 2.9ohm @ 700ma, 10V 2.4V @ 250µA 7.04 NC @ 10 v ± 20V 167 pf @ 120 v - 3.3W (TA), 15W (TC)
SQJB90EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb90ep-t1_ge3 1.4100
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB90 MOSFET (금속 (() 48W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 80V 30A (TC) 21.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 25NC @ 10V 1200pf @ 25V -
SI4438DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4438DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2325 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4438 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 36A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 126 NC @ 10 v ± 20V 4645 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SIHP120N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP120N60E-GE3 5.1500
RFQ
 ECAD 5003 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP120 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 120mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1562 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQS484ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS484ENW-T1_GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 7656 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS484 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 62.5W (TC)
SIB411DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB411DK-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4675 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB411 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 66mohm @ 3.3a, 4.5v 1V @ 250µA 15 nc @ 8 v ± 8V 470 pf @ 10 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
SI7491DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7491DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6283 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7491 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 85 nc @ 5 v ± 20V - 1.8W (TA)
SI3443BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3443BDV-T1-BE3 0.6700
RFQ
 ECAD 2781 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3443 MOSFET (금속 (() 6TSOP - 1 (무제한) 742-SI3443BDV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.6A (TA) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 4.7a, 4.5v 1.4V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.1W (TA)
SI4354DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4354DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4280 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4354 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9.5A (TA) 4.5V, 10V 16.5mohm @ 9.5a, 10V 1.6V @ 250µA 10.5 nc @ 4.5 v ± 12V - 2.5W (TA)
SI1073X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1073X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9096 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1073 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 980MA (TA) 4.5V, 10V 173mohm @ 980ma, 10V 3V @ 250µA 9.45 NC @ 10 v ± 20V 265 pf @ 15 v - 236MW (TA)
SIR180ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir180ADP-T1-RE3 1.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sir180 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 35A (TA), 137A (TC) 7.5V, 10V 2.2MOHM @ 10A, 10V 3.6V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3280 pf @ 30 v - 5.4W (TA), 83.3W (TC)
SIRA18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA18DP-T1-GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 911 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira18 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 33A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v +20V, -16V 1000 pf @ 15 v - 3.3W (TA), 14.7W (TC)
SUM80090E-GE3 Vishay Siliconix SUM80090E-GE3 3.0600
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum80090 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 128A (TC) 7.5V, 10V 9MOHM @ 30A, 10V 5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3425 pf @ 75 v - 375W (TC)
SI7156DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7156DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7156 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 6900 pf @ 20 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
IRLR014TRLPBF Vishay Siliconix irlr014trlpbf 0.6218
RFQ
 ECAD 3285 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SIS822DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS822DNT-T1-GE3 0.1157
RFQ
 ECAD 5737 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS822 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 7.8a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 435 pf @ 15 v - 15.6W (TC)
SUM09N20-270-E3 Vishay Siliconix SUM09N20-270-E3 -
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM09 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 9A (TC) 6V, 10V 270mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 580 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 60W (TC)
SIA850DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA850DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1490 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA850 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 190 v 950MA (TC) 1.8V, 4.5V 3.8ohm @ 360ma, 4.5v 1.4V @ 250µA 4.5 nc @ 10 v ± 16V 90 pf @ 100 v Schottky 분리 (다이오드) 1.9W (TA), 7W (TC)
SI2392DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2392DS-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2699 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2392 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3.1A (TC) 4.5V, 10V 126MOHM @ 2A, 10V 3V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 196 pf @ 50 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SQD45P03-12_GE3 Vishay Siliconix SQD45P03-12_GE3 1.7700
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 83 NC @ 10 v ± 20V 3495 pf @ 15 v - 71W (TC)
SIJ150DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ150DP-T1-GE3 1.2600
RFQ
 ECAD 9137 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ150 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIJ150DP-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 30.9A (TA), 110A (TC) 4.5V, 10V 2.83mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 70 nc @ 10 v +20V, -16V 4000 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
SISS05DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS05DN-T1-GE3 1.2600
RFQ
 ECAD 4007 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS05 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 29.4A (TA), 108A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 115 NC @ 10 v +16V, -20V 4930 pf @ 15 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SI2312BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-BE3 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2312BDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.9A (TA) 1.8V, 4.5V 31mohm @ 5a, 4.5v 850MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 8V - 750MW (TA)
SIHH21N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH21N60E-T1-GE3 2.1785
RFQ
 ECAD 2605 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH21 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 176mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 83 NC @ 10 v ± 30V 2015 PF @ 100 v - 104W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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