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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI2303BDS-T1-GE3	-	RFQ	9005	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2303	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	1.49A (TA)	4.5V, 10V	200mohm @ 1.7a, 10V	3V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 20V	180 pf @ 15 v	-	700MW (TA)
SQ3427EV-T1_BE3	0.6900	RFQ	5932	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SQ3427	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)		742-sq3427ev-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	5.3A (TC)	4.5V, 10V	95mohm @ 4.5a, 10V	2.5V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	1000 pf @ 30 v	-	5W (TC)
SI4892DY-T1-GE3	-	RFQ	5443	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4892	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	8.8A (TA)	4.5V, 10V	12.4A, 10V	800mv @ 250µa (최소)	10.5 nc @ 5 v	± 20V		-	1.6W (TA)
SI4620DY-T1-GE3	-	RFQ	7058	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4620	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	6A (TA), 7.5A (TC)	4.5V, 10V	35mohm @ 6a, 10V	2.5V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 20V	1040 pf @ 15 v	Schottky 분리 (다이오드)	2W (TA), 3.1W (TC)
SI7738DP-T1-E3	3.1700	RFQ	8509	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7738	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	150 v	30A (TC)	10V	38mohm @ 7.7a, 10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 v	± 20V	2100 pf @ 75 v	-	5.4W (TA), 96W (TC)
SI4946CDY-T1-GE3	0.9600	RFQ	9283	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4946	MOSFET (금속 (()	2W (TA), 2.8W (TC)	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		60V	5.2A (TA), 6.1A (TC)		40.9mohm @ 5.2a, 10V	3V @ 250µA	10nc @ 10v		350pf @ 30V	-
SI2351DS-T1-E3	-	RFQ	3221	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2351	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	2.8A (TC)		115mohm @ 2.4a, 4.5v	1.5V @ 250µA	5.1 NC @ 5 v		250 pf @ 10 v	-
SI5475DC-T1-GE3	-	RFQ	3540	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5475	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	5.5A (TA)	1.8V, 4.5V	31mohm @ 5.5a, 4.5v	450mv @ 1ma (min)	29 NC @ 4.5 v	± 8V		-	1.3W (TA)
Sir846BDP-T1-RE3	1.6600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir846	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	16.1A (TA), 65.8 (TC)	7.5V, 10V	8mohm @ 15a, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 20V	2440 pf @ 50 v	-	5W (TA), 83.3W (TC)
IRFI820G	-	RFQ	1818	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI820	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRFI820G	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	2.1A (TC)	10V	3ohm @ 1.3a, 10V	4V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	30W (TC)
SIHB12N50E-GE3	2.3900	RFQ	5146	Vishay Siliconix	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB12	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	10.5A (TC)	10V	380mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 30V	886 pf @ 100 v	-	114W (TC)
SI2325DS-T1-GE3	1.0000	RFQ	2399	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2325	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	150 v	530MA (TA)	6V, 10V	1.2ohm @ 500ma, 10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	510 pf @ 25 v	-	750MW (TA)
SIHF8N50D-E3	1.6600	RFQ	1678	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHF8	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	8.7A (TC)	10V	850mohm @ 4a, 10V	5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 30V	527 pf @ 100 v	-	33W (TC)
SIHB8N50D-GE3	0.7765	RFQ	3374	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB8	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	8.7A (TC)	10V	850mohm @ 4a, 10V	5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 30V	527 pf @ 100 v	-	156W (TC)
SIB415DK-T1-GE3	-	RFQ	8305	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-75-6	SIB415	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-75-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	9A (TC)	4.5V, 10V	87mohm @ 4.17a, 10V	3V @ 250µA	10.05 nc @ 10 v	± 20V	295 pf @ 15 v	-	2.4W (TA), 13W (TC)
SI4486EY-T1-E3	-	RFQ	8917	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4486	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	5.4A (TA)	6V, 10V	25mohm @ 7.9a, 10V	2V @ 250µA (Min)	44 NC @ 10 v	± 20V		-	1.8W (TA)
sq4840cey-t1_ge3	1.3100	RFQ	2986	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)		742-sq4840cey-t1_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	20.7A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 14a, 10V	2.5V @ 250µA	68 NC @ 10 v	± 20V	2550 pf @ 20 v	-	7.1W (TC)
SISD5300DN-T1-GE3	1.6100	RFQ	8063	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-F		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	62A (TA), 198a (TC)	4.5V, 10V	0.87mohm @ 15a, 10V	2V @ 250µA	36.2 NC @ 10 v	+16V, -12V	5030 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 57W (TC)
SIE832DF-T1-E3	-	RFQ	3880	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-Polarpak® (S)	SIE832	MOSFET (금속 (()		10-Polarpak® (S)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	50A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 14a, 10V	3V @ 250µA	77 NC @ 10 v	± 20V	3800 pf @ 20 v	-	5.2W (TA), 104W (TC)
irf820strl	-	RFQ	4930	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF820	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	500 v	2.5A (TC)	10V	3ohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 50W (TC)
IRF624	-	RFQ	1275	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF624	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF624	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	250 v	4.4A (TC)	10V	1.1ohm @ 2.6a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	50W (TC)
IRFBC30	-	RFQ	4202	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFBC30	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	3.6A (TC)	10V	2.2ohm @ 2.2a, 10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 v	± 20V	660 pf @ 25 v	-	74W (TC)
IRFS9N60ATRL	-	RFQ	2136	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFS9	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	600 v	9.2A (TC)	10V	750mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 v	± 30V	1400 pf @ 25 v	-	170W (TC)
SI2300DS-T1-GE3	0.4100	RFQ	7492	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2300	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	3.6A (TC)	2.5V, 4.5V	68mohm @ 2.9a, 4.5v	1.5V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 12V	320 pf @ 15 v	-	1.1W (TA), 1.7W (TC)
V30406-T1-GE3	-	RFQ	5521	Vishay Siliconix	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				v30406				-	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	3,000
IRLZ14	-	RFQ	8433	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRLZ14	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRLZ14	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	60 v	10A (TC)	4V, 5V	200mohm @ 6a, 5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 v	± 10V	400 pf @ 25 v	-	43W (TC)
irl510L	-	RFQ	5364	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRL510	MOSFET (금속 (()		TO-262-3	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRL510L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	5.6A (TC)	4V, 5V	540mohm @ 3.4a, 5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 v	± 10V	250 pf @ 25 v	-	-
SI8481DB-T1-E1	0.1432	RFQ	8459	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-UFBGA	SI8481	MOSFET (금속 (()		4 (® ® (1.6x1.6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	9.7A (TC)	1.8V, 4.5V	21mohm @ 3a, 4.5v	900MV @ 250µA	47 NC @ 4.5 v	± 8V	2500 pf @ 10 v	-	2.8W (TC)
SIHP12N50C-E3	2.4696	RFQ	6152	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP12	MOSFET (금속 (()			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	12A (TC)	10V	555mohm @ 4a, 10V	5V @ 250µA	48 NC @ 10 v	± 30V	1375 pf @ 25 v	-	208W (TC)
irfr9024trl	-	RFQ	9679	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	8.8A (TC)	10V	280mohm @ 5.3a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	570 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²