SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF614STRR Vishay Siliconix IRF614STRR -
RFQ
ECAD 4962 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF614 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 2ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
SIRA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira74dp-t1-ge3 1.0100
RFQ
ECAD 340 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira74 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIRA74DP-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 24A (TA), 81.2A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 41 NC @ 10 v +20V, -16V 2000 pf @ 20 v - 4.1W (TA), 46.2W (TC)
SQJ459EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ459EP-T1_BE3 1.3300
RFQ
ECAD 9590 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj459ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 52A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 20V 4586 pf @ 30 v - 83W (TC)
SIHD14N60ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHD14N60ET5-GE3 2.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 309mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 30V 1205 pf @ 100 v - 147W (TC)
SI4320DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4320DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7409 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4320 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TA) 4.5V, 10V 3MOHM @ 25A, 10V 3V @ 250µA 70 NC @ 4.5 v ± 20V 6500 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
IRFR9220TRLPBF Vishay Siliconix irfr9220trlpbf 2.2900
RFQ
ECAD 170 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 42W (TC)
SI2308DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2308DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9418 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2308 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 2a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 1.25W (TA)
IRFR420APBF Vishay Siliconix IRFR420APBF 1.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFR420APBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 3.3A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 83W (TC)
SQD50034EL_GE3 Vishay Siliconix SQD50034EL_GE3 1.6600
RFQ
ECAD 7422 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50034 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 107W (TC)
SI3805DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3805DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3285 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3805 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.3A (TC) 2.5V, 10V 84mohm @ 3a, 10V 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 330 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.1W (TA), 1.4W (TC)
SUD45P03-15-E3 Vishay Siliconix SUD45P03-15-E3 -
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 13a, 10V 1V @ 250µA (Min) 125 nc @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 4W (TA), 70W (TC)
SI7888DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7888DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2937 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7888 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9.4A (TA) 4.5V, 10V 12.4A, 10V 2V @ 250µA 10.5 nc @ 5 v ± 12V - 1.8W (TA)
SQM200N04-1M8_GE3 Vishay Siliconix SQM200N04-1M8_GE3 1.8981
RFQ
ECAD 1150 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) SQM200 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 200a (TC) 10V 1.8mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 310 nc @ 10 v ± 20V 17350 pf @ 25 v - 375W (TC)
SI4812BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4812BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7036 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4812 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 7.3A (TA) 4.5V, 10V 16mohm @ 9.5a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V - 1.4W (TA)
IRFBC30ASTRRPBF Vishay Siliconix irfbc30astpbf -
RFQ
ECAD 4896 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 74W (TC)
SIHFL9014TR-GE3 Vishay Siliconix SIHFL9014TR-GE3 0.7900
RFQ
ECAD 3708 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA SIHFL9014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.8A (TC) 10V 500mohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI4942DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4942DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3872 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4942 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 5.3A 21mohm @ 7.4a, 10V 3V @ 250µA 32NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI4908DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4908DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7320 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4908 MOSFET (금속 (() 2.75W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 5a 60mohm @ 4.1a, 10V 2.2V @ 250µA 12NC @ 10V 355pf @ 20V -
SI7450DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7450DP-T1-E3 2.9000
RFQ
ECAD 475 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7450 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 3.2A (TA) 6V, 10V 80mohm @ 4a, 10V 4.5V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI4435DDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4435DDY-T1-E3 0.7500
RFQ
ECAD 6676 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 11.4A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 9.1a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SI3434DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3434DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6851 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3434 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.6A (TA) 2.5V, 4.5V 34mohm @ 6.1a, 4.5v 600mv @ 1ma (min) 12 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.14W (TA)
IRFP244 Vishay Siliconix IRFP244 -
RFQ
ECAD 5470 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP244 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP244 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRF830A Vishay Siliconix IRF830A -
RFQ
ECAD 2643 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF830 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF830A 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 74W (TC)
SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir872DP-T1-GE3 2.8600
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir872 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 53.7a (TC) 10V 18mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2130 pf @ 75 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SI7615DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7615DN-T1-GE3 1.6300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7615 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 35A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 1.5V @ 250µA 183 NC @ 10 v ± 12V 6000 pf @ 10 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIHFBC40AS-GE3 Vishay Siliconix SIHFBC40AS-GE3 1.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHFBC40AS-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 1036 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFZ34STRR Vishay Siliconix IRFZ34STRR -
RFQ
ECAD 7393 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SI7682DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7682DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6851 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7682 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1595 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.5W (TC)
SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7370DP-T1-E3 2.4500
RFQ
ECAD 62 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7370 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 9.6A (TA) 6V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SUD25N15-52-E3 Vishay Siliconix SUD25N15-52-E3 2.5100
RFQ
ECAD 93 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 25A (TC) 6V, 10V 52mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1725 pf @ 25 v - 3W (TA), 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고