전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF614STRR | - | ![]() | 4962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF614 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 2.7A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||
![]() | sira74dp-t1-ge3 | 1.0100 | ![]() | 340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira74 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIRA74DP-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 24A (TA), 81.2A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 10A, 10V | 2.4V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | +20V, -16V | 2000 pf @ 20 v | - | 4.1W (TA), 46.2W (TC) | ||||
![]() | SQJ459EP-T1_BE3 | 1.3300 | ![]() | 9590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj459ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 52A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 108 NC @ 10 v | ± 20V | 4586 pf @ 30 v | - | 83W (TC) | ||||||
![]() | SIHD14N60ET5-GE3 | 2.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 13A (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 30V | 1205 pf @ 100 v | - | 147W (TC) | |||||||
![]() | SI4320DY-T1-GE3 | - | ![]() | 7409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4320 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 17A (TA) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 25A, 10V | 3V @ 250µA | 70 NC @ 4.5 v | ± 20V | 6500 pf @ 15 v | - | 1.6W (TA) | ||||
![]() | irfr9220trlpbf | 2.2900 | ![]() | 170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 200 v | 3.6A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 340 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | |||||
![]() | SI2308DS-T1-E3 | - | ![]() | 9418 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2308 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2A (TA) | 4.5V, 10V | 160mohm @ 2a, 10V | 3V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 240 pf @ 25 v | - | 1.25W (TA) | ||||
![]() | IRFR420APBF | 1.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFR420APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 3.3A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 340 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||
![]() | SQD50034EL_GE3 | 1.6600 | ![]() | 7422 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD50034 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 6100 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||
![]() | SI3805DV-T1-E3 | - | ![]() | 3285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3805 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.3A (TC) | 2.5V, 10V | 84mohm @ 3a, 10V | 1.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 12V | 330 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.1W (TA), 1.4W (TC) | |||||
![]() | SUD45P03-15-E3 | - | ![]() | 5830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD45 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 30 v | 13A (TA) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 13a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 25 v | - | 4W (TA), 70W (TC) | ||||
![]() | SI7888DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7888 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 9.4A (TA) | 4.5V, 10V | 12.4A, 10V | 2V @ 250µA | 10.5 nc @ 5 v | ± 12V | - | 1.8W (TA) | |||||
![]() | SQM200N04-1M8_GE3 | 1.8981 | ![]() | 1150 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | SQM200 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 200a (TC) | 10V | 1.8mohm @ 30a, 10V | 3.5V @ 250µA | 310 nc @ 10 v | ± 20V | 17350 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||
![]() | SI4812BDY-T1-E3 | - | ![]() | 7036 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4812 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 7.3A (TA) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 9.5a, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 5 v | ± 20V | - | 1.4W (TA) | ||||||
![]() | irfbc30astpbf | - | ![]() | 4896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 510 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | ||||
![]() | SIHFL9014TR-GE3 | 0.7900 | ![]() | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | SIHFL9014 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 1.8A (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 270 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
![]() | SI4942DY-T1-E3 | - | ![]() | 3872 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4942 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 5.3A | 21mohm @ 7.4a, 10V | 3V @ 250µA | 32NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | SI4908DY-T1-E3 | - | ![]() | 7320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4908 | MOSFET (금속 (() | 2.75W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 5a | 60mohm @ 4.1a, 10V | 2.2V @ 250µA | 12NC @ 10V | 355pf @ 20V | - | ||||||
![]() | SI7450DP-T1-E3 | 2.9000 | ![]() | 475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7450 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 3.2A (TA) | 6V, 10V | 80mohm @ 4a, 10V | 4.5V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
![]() | SI4435DDY-T1-E3 | 0.7500 | ![]() | 6676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4435 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 11.4A (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 9.1a, 10V | 3V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 1350 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
![]() | SI3434DV-T1-GE3 | - | ![]() | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3434 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 34mohm @ 6.1a, 4.5v | 600mv @ 1ma (min) | 12 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.14W (TA) | |||||
![]() | IRFP244 | - | ![]() | 5470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP244 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP244 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 250 v | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
IRF830A | - | ![]() | 2643 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF830 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF830A | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||||
![]() | Sir872DP-T1-GE3 | 2.8600 | ![]() | 6287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir872 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 53.7a (TC) | 10V | 18mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 2130 pf @ 75 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
![]() | SI7615DN-T1-GE3 | 1.6300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7615 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 35A (TC) | 6V, 10V | 3.9mohm @ 20a, 10V | 1.5V @ 250µA | 183 NC @ 10 v | ± 12V | 6000 pf @ 10 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | SIHFBC40AS-GE3 | 1.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHFBC40AS-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 6.2A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 30V | 1036 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||
![]() | IRFZ34STRR | - | ![]() | 7393 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ34 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
![]() | SI7682DP-T1-GE3 | - | ![]() | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7682 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 9MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1595 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 27.5W (TC) | ||||
![]() | SI7370DP-T1-E3 | 2.4500 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7370 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 9.6A (TA) | 6V, 10V | 11mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
![]() | SUD25N15-52-E3 | 2.5100 | ![]() | 93 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD25 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 150 v | 25A (TC) | 6V, 10V | 52mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1725 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 136W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고