SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SUP80090E-GE3 Vishay Siliconix SUP80090E-GE3 3.0600
RFQ
ECAD 5898 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP80090 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 150 v 128A (TC) 7.5V, 10V 9.4mohm @ 30a, 10V 5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3425 pf @ 75 v - 375W (TC)
IRF740APBF Vishay Siliconix IRF740APBF 2.7800
RFQ
ECAD 674 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF740 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF740APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1030 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFP264NPBF Vishay Siliconix IRFP264NPBF -
RFQ
ECAD 4745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP264 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP264NPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 250 v 44A (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 3860 pf @ 25 v - 380W (TC)
SI4628DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4628DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8167 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4628 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 38A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1mA 87 NC @ 10 v ± 20V 3450 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3 1.0000
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2325 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 150 v 530MA (TA) 6V, 10V 1.2ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 510 pf @ 25 v - 750MW (TA)
SISH407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH407DN-T1-GE3 0.8900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH407 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 15.4A (TA), 25A (TC) 1.8V, 4.5V 9.5mohm @ 15.3a, 4.5v 1V @ 250µA 93.8 nc @ 8 v ± 8V 2760 pf @ 10 v - 3.6W (TA), 33W (TC)
IRF840PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF840PBF-BE3 1.9400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF840 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf840pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFZ30PBF Vishay Siliconix IRFZ30PBF -
RFQ
ECAD 3560 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ30PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 50 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 74W (TC)
SI4944DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4944DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8283 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4944 MOSFET (금속 (() 1.3W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 9.3a 9.5mohm @ 12.2a, 10V 3V @ 250µA 21NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQ4435EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4435EY-T1_GE3 1.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 15A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 2170 pf @ 15 v - 6.8W (TC)
SQD50P03-07-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD50P03-07-T4_GE3 0.6985
RFQ
ECAD 4339 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqd50p03-07-t4_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 146 NC @ 10 v ± 20V 5490 pf @ 25 v - 136W (TC)
IRF530STRL Vishay Siliconix irf530strl -
RFQ
ECAD 3263 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SQJA04EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja04ep-t1_ge3 1.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA04 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 6.2MOHM @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIHP125N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHP125N60EF-GE3 4.7600
RFQ
ECAD 5247 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP125 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 1533 pf @ 100 v - 179W (TC)
SI5857DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5857DU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7076 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5857 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 58mohm @ 3.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 12V 480 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 2.3W (TA), 10.4W (TC)
IRF614STRR Vishay Siliconix IRF614STRR -
RFQ
ECAD 4962 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF614 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 2ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
SIRA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira74dp-t1-ge3 1.0100
RFQ
ECAD 340 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira74 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIRA74DP-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 24A (TA), 81.2A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 41 NC @ 10 v +20V, -16V 2000 pf @ 20 v - 4.1W (TA), 46.2W (TC)
SQJ459EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ459EP-T1_BE3 1.3300
RFQ
ECAD 9590 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj459ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 52A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 108 NC @ 10 v ± 20V 4586 pf @ 30 v - 83W (TC)
SIHD14N60ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHD14N60ET5-GE3 2.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 309mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 30V 1205 pf @ 100 v - 147W (TC)
SI4320DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4320DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7409 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4320 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TA) 4.5V, 10V 3MOHM @ 25A, 10V 3V @ 250µA 70 NC @ 4.5 v ± 20V 6500 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
IRFR9220TRLPBF Vishay Siliconix irfr9220trlpbf 2.2900
RFQ
ECAD 170 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 42W (TC)
SI2308DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2308DS-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9418 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2308 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 2a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 1.25W (TA)
IRFR420APBF Vishay Siliconix IRFR420APBF 1.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFR420APBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 3.3A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 83W (TC)
SQD50034EL_GE3 Vishay Siliconix SQD50034EL_GE3 1.6600
RFQ
ECAD 7422 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD50034 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 107W (TC)
SI3805DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3805DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3285 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3805 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.3A (TC) 2.5V, 10V 84mohm @ 3a, 10V 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 330 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.1W (TA), 1.4W (TC)
SUD45P03-15-E3 Vishay Siliconix SUD45P03-15-E3 -
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD45 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 13a, 10V 1V @ 250µA (Min) 125 nc @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 4W (TA), 70W (TC)
SI7888DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7888DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2937 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7888 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9.4A (TA) 4.5V, 10V 12.4A, 10V 2V @ 250µA 10.5 nc @ 5 v ± 12V - 1.8W (TA)
SQM200N04-1M8_GE3 Vishay Siliconix SQM200N04-1M8_GE3 1.8981
RFQ
ECAD 1150 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) SQM200 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 200a (TC) 10V 1.8mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 310 nc @ 10 v ± 20V 17350 pf @ 25 v - 375W (TC)
SI4812BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4812BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7036 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4812 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 7.3A (TA) 4.5V, 10V 16mohm @ 9.5a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V - 1.4W (TA)
IRFBC30ASTRRPBF Vishay Siliconix irfbc30astpbf -
RFQ
ECAD 4896 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 74W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고