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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI5944DU-T1-GE3	-	RFQ	5386	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 듀얼	SI5944	MOSFET (금속 (()	10W	PowerPak® Chipfet Dual	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	6A		112mohm @ 3.3a, 10V	3V @ 250µA	6.6NC @ 10V		210pf @ 20V	논리 논리 게이트
SI7880ADP-T1-GE3	2.0808	RFQ	4171	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7880	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	125 nc @ 10 v	± 20V	5600 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)
SI5511DC-T1-E3	-	RFQ	9656	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5511	MOSFET (금속 (()	3.1W, 2.6W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		30V	4A, 3.6A		55mohm @ 4.8a, 4.5v	2V @ 250µA	7.1NC @ 5V		435pf @ 15V	논리 논리 게이트
SI2309CDS-T1-BE3	0.5500	RFQ	24	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	1.2A (TA), 1.6A (TC)	4.5V, 10V	345mohm @ 1.25a, 10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 v	± 20V	210 pf @ 30 v	-	1W (TA), 1.7W (TC)
SQ2315ES-T1_GE3	0.6000	RFQ	16	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2315	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	5A (TC)	1.8V, 4.5V	50mohm @ 3.5a, 10V	1V @ 250µA	13 nc @ 4.5 v	± 8V	870 pf @ 4 v	-	2W (TC)
SI7925DN-T1-GE3	-	RFQ	8830	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SI7925	MOSFET (금속 (()	1.3W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		12V	4.8a		42MOHM @ 6.5A, 4.5V	1V @ 250µA	12NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI7806ADN-T1-GE3	0.6174	RFQ	4247	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7806	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	9A (TA)	4.5V, 10V	11mohm @ 14a, 10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 v	± 20V		-	1.5W (TA)
SI3812DV-T1-GE3	-	RFQ	4771	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3812	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	2A (TA)	2.5V, 4.5V	125mohm @ 2.4a, 4.5v	600MV @ 250µa (최소)	4 NC @ 4.5 v	± 12V		Schottky 분리 (다이오드)	830MW (TA)
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irfr024trlpbf	1.6800	RFQ	9041	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	14A (TC)	10V	100mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
irli620gpbf	-	RFQ	6358	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	irli620	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRLI620GPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	200 v	4A (TC)	4V, 5V	800mohm @ 2.4a, 5V	2V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 10V	360 pf @ 25 v	-	30W (TC)
irfu1n60apbf	1.5600	RFQ	7934	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IRFU1	MOSFET (금속 (()		TO-251AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	600 v	1.4A (TC)	10V	7ohm @ 840ma, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 30V	229 pf @ 25 v	-	36W (TC)
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SIA433EDJ-T1-GE3	0.7100	RFQ	9587	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA433	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	12A (TC)	1.8V, 4.5V	18mohm @ 7.6a, 4.5v	1.2V @ 250µA	75 NC @ 8 v	± 12V		-	3.5W (TA), 19W (TC)
SI7380ADP-T1-E3	-	RFQ	9129	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7380	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 20A, 10V	1.6V @ 250µA	185 NC @ 10 v	± 12V	7785 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)
SI4155DY-T1-GE3	0.8100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4155	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	10.2A (TA), 13.6A (TC)	4.5V, 10V	15mohm @ 7a, 10V	2.5V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 25V	1870 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 4.5W (TC)
SUD19N20-90-E3	3.0700	RFQ	9031	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD19	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	200 v	19A (TC)	6V, 10V	90mohm @ 5a, 10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 20V	1800 pf @ 25 v	-	3W (TA), 136W (TC)
SI6926ADQ-T1-E3	0.9700	RFQ	31	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6926	MOSFET (금속 (()	830MW	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	4.1a		30mohm @ 4.5a, 4.5v	1V @ 250µA	10.5nc @ 4.5v		-	논리 논리 게이트
SI4378DY-T1-GE3	-	RFQ	7502	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4378	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	19A (TA)	2.5V, 4.5V	2.7mohm @ 25a, 4.5v	1.8V @ 250µA	55 NC @ 4.5 v	± 12V	8500 pf @ 10 v	-	1.6W (TA)
SI8404DB-T1-E1	-	RFQ	1558	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-XFBGA, CSPBGA	SI8404	MOSFET (금속 (()		4 마이크로 푸드	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	8 v	12.2A (TC)	1.8V, 4.5V	31mohm @ 1a, 4.5v	1V @ 250µA	33 NC @ 5 v	± 5V	1950 pf @ 4 v	-	2.78W (TA), 6.25W (TC)
Sub75p03-07-E3	-	RFQ	8289	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	Sub75	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	30 v	75A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 30a, 10V	3V @ 250µA	240 NC @ 10 v	± 20V	9000 pf @ 25 v	-	3.75W (TA), 187W (TC)
SI7326DN-T1-E3	0.9100	RFQ	6618	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7326	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	6.5A (TA)	4.5V, 10V	19.5mohm @ 10a, 10V	1.8V @ 250µA	13 nc @ 5 v	± 25V		-	1.5W (TA)
Sir166DP-T1-GE3	1.5000	RFQ	6182	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir166	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	3.2mohm @ 15a, 10V	2.2V @ 250µA	77 NC @ 10 v	± 20V	3340 pf @ 15 v	-	5W (TA), 48W (TC)
SQJ500AEP-T1_GE3	1.6100	RFQ	5831	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ500	-	48W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		40V	30A (TC)		27mohm @ 6a, 10V	2.3V @ 250µA	38.1NC @ 10V		1850pf @ 20V	-
SI3585DV-T1-E3	-	RFQ	6956	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3585	MOSFET (금속 (()	830MW	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	2A, 1.5A		125mohm @ 2.4a, 4.5v	600MV @ 250µa (최소)	3.2NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
IRF730S	-	RFQ	1821	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF730	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF730S	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	5.5A (TC)	10V	1ohm @ 3.3a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	700 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 74W (TC)
SIA456DJ-T1-GE3	0.9400	RFQ	8822	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA456	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	2.6A (TC)	1.8V, 4.5V	1.38ohm @ 750ma, 4.5v	1.4V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	± 16V	350 pf @ 100 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)
IRF740AST	-	RFQ	6933	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF740	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 30V	1030 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
Sir800DP-T1-GE3	1.6300	RFQ	71	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir800	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	50A (TC)	2.5V, 10V	2.3mohm @ 15a, 10V	1.5V @ 250µA	133 NC @ 10 v	± 12V	5125 pf @ 10 v	-	5.2W (TA), 69W (TC)
SIDR610DP-T1-RE3	2.5200	RFQ	5413	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	8.9A (TA), 39.6A (TC)	7.5V, 10V	31.9mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	1380 pf @ 100 v	-	6.25W (TA), 125W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²