SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIR844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir844dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 6675 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir844 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 3215 pf @ 10 v - 5W (TA), 50W (TC)
SIHH28N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH28N60E-T1-GE3 3.2036
RFQ
ECAD 3483 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH28 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 98mohm @ 14a, 10V 5V @ 250µA 129 NC @ 10 v ± 30V 2614 pf @ 100 v - 202W (TC)
SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS322DNT-T1-GE3 0.2436
RFQ
ECAD 8706 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS322 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 38.3A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v +20V, -16V 1000 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
IRF610PBF Vishay Siliconix IRF610PBF 0.9300
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF610 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) *IRF610PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 36W (TC)
SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7129dn-T1-GE3 0.9900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7129 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 14.4a, 10V 2.8V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 3345 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52.1W (TC)
SI1539DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1539DL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4817 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1539 MOSFET (금속 (() 270MW SC-70-6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 540MA, 420MA 480mohm @ 590ma, 10V 2.6V @ 250µA 1.4NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHP25N50E-BE3 Vishay Siliconix SIHP25N50E-BE3 3.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1980 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI3981DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3981DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7540 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3981 MOSFET (금속 (() 800MW 6TSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.6a 185mohm @ 1.9a, 4.5v 1.1V @ 250µA 5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SUM70040E-GE3 Vishay Siliconix SUM70040E-GE3 3.0600
RFQ
ECAD 1615 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM70040 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TC) 7.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 50 v - 375W (TC)
SIA421DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA421DJ-T1-GE3 1.0000
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA421 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 950 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
IRFR9024PBF Vishay Siliconix IRFR9024PBF 1.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 8.8A (TC) 10V 280mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI6955ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6955ADQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5918 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6955 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 2.5A 80mohm @ 2.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 8NC @ 5V - 논리 논리 게이트
IRF830L Vishay Siliconix IRF830L -
RFQ
ECAD 2752 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF830 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF830L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SQM40N15-38_GE3 Vishay Siliconix SQM40N15-38_GE3 2.8300
RFQ
ECAD 1040 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM40 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 40A (TC) 6V, 10V 38mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3390 pf @ 25 v - 166W (TC)
IRFBC30ASTRLPBF Vishay Siliconix irfbc30astrlpbf 2.9100
RFQ
ECAD 789 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 74W (TC)
SIHH125N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH125N60EF-T1GE3 6.3400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH125 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 23A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 30V 1533 pf @ 100 v - 156W (TC)
IRL640L Vishay Siliconix irl640L -
RFQ
ECAD 9208 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA irl640 MOSFET (금속 (() TO-262-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL640L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - -
IRF9510STRR Vishay Siliconix irf9510strr -
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRLZ34SPBF Vishay Siliconix IRLZ34SPBF 2.1700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ34 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 18a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
IRLZ44STRL Vishay Siliconix irlz44strl -
RFQ
ECAD 5204 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 4V, 5V 28mohm @ 31a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 3300 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SIHB4N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHB4N80E-GE3 1.1723
RFQ
ECAD 9370 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB4 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.3A (TC) 10V 1.27ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 622 pf @ 100 v - 69W (TC)
IRL2203STRR Vishay Siliconix IRL2203STRR -
RFQ
ECAD 3229 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL2203 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 100A (TC) 4V, 10V 7mohm @ 60a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 4.5 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 130W (TC)
SI3451DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3451DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5718 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3451 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.8A (TC) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 2.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.1 NC @ 5 v ± 12V 250 pf @ 10 v - 1.25W (TA), 2.1W (TC)
IRF644 Vishay Siliconix IRF644 -
RFQ
ECAD 8701 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF644 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF644 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFIBC40GPBF Vishay Siliconix IRFIBC40GPBF 3.9000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFIBC40 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) *IRFIBC40GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 40W (TC)
SUP40P10-43-GE3 Vishay Siliconix SUP40P10-43-GE3 -
RFQ
ECAD 6733 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup40 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 100 v 36A (TC) 4.5V, 10V 43mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 50 v - 2W (TA), 125W (TC)
IRF540L Vishay Siliconix IRF540L -
RFQ
ECAD 6623 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF540 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF540L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - -
SI4128BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4128BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3203 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 SI4128 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 8.3A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V ± 25V
SQJB42EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb42ep-t1_ge3 1.3100
RFQ
ECAD 3852 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB42 MOSFET (금속 (() 48W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 9.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1500pf @ 25v -
SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH11N60E-T1-GE3 1.5753
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH11 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 339mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 1076 pf @ 100 v - 114W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고