SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI8467DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8467dB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 8463 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8467 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 73mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 12V 475 pf @ 10 v - 780MW (TA), 1.8W (TC)
SISS5710DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS5710DN-T1-GE3 1.7100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS5710DN-T1-GE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 7.2A (TA), 26.2A (TC) 7.5V, 10V 31.5mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 770 pf @ 75 v - 4.1W (TA), 54.3W (TC)
SIHG14N50D-E3 Vishay Siliconix SIHG14N50D-E3 2.0567
RFQ
ECAD 2998 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG14 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHG14N50DE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 7a, 10V 5V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 1144 pf @ 100 v - 208W (TC)
SI4190ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4190ADY-T1-GE3 1.8600
RFQ
ECAD 9392 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4190 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 18.4A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1970 pf @ 50 v - 3W (TA), 6W (TC)
IRFZ34PBF Vishay Siliconix IRFZ34PBF 1.8800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ34 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFZ34PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 88W (TC)
SIHG47N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SIHG47N60ALE-GE3 9.2800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG47 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 65mohm @ 23.5a, 10V 4V @ 250µA 222 NC @ 10 v ± 30V 4600 pf @ 100 v - 379W (TC)
SI4952DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4952DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1814 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4952 MOSFET (금속 (() 2.8W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 25V 8a 23mohm @ 7a, 10V 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 680pf @ 13v 논리 논리 게이트
SQJ152ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ152ELP-T1_GE3 0.8900
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ152 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 123A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1633 pf @ 25 v - 136W (TC)
SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira10dp-t1-ge3 1.0400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 siRA10 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 v +20V, -16V 2425 pf @ 15 v - 5W (TA), 40W (TC)
SI5401DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5401DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5603 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5401 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.2A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
SQJ912AEP-T2_BE3 Vishay Siliconix SQJ912AEP-T2_BE3 -
RFQ
ECAD 8259 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ912 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 - 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 9.3mohm @ 9.7a, 10V 2.5V @ 250µA 38NC @ 10V 1835pf @ 20V -
IRFBF30L Vishay Siliconix IRFBF30L -
RFQ
ECAD 8764 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBF30 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFBF30L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 3.7ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - -
IRFZ48STRL Vishay Siliconix irfz48strl -
RFQ
ECAD 1613 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ48 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 190W (TC)
SI3586DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3586DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4225 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3586 MOSFET (금속 (() 830MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 2.9a, 2.1a 60mohm @ 3.4a, 4.5v 1.1V @ 250µA 6NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix sum90n10-8m2p-e3 4.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 90A (TC) 10V 8.2MOHM @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 6290 pf @ 50 v - 3.75W (TA), 300W (TC)
IRFBC20PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFBC20PBF-BE3 1.4000
RFQ
ECAD 977 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfbc20pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2.2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 50W (TC)
SQM50020EL_GE3 Vishay Siliconix SQM50020EL_GE3 3.6400
RFQ
ECAD 1146 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM50020 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 15100 pf @ 25 v - 375W (TC)
SI1072X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1072X-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3187 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1072 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.3A (TA) 4.5V, 10V 93mohm @ 1.3a, 10V 3V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 280 pf @ 15 v - 236MW (TA)
IRF840STRLPBF Vishay Siliconix IRF840STRLPBF 2.8500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRF630SPBF Vishay Siliconix IRF630SPBF 1.6900
RFQ
ECAD 700 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 400mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 3W (TA), 74W (TC)
SI4228DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4228DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3738 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4228 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 25V 8a 18mohm @ 7a, 10V 1.4V @ 250µA 25NC @ 10V 790pf @ 12.5v 논리 논리 게이트
SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ3426EEV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9832 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3426 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 7A (TC) 42mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v 700 pf @ 30 v -
IRF634STRL Vishay Siliconix IRF634STRL -
RFQ
ECAD 4686 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF634 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 770 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRFD123PBF Vishay Siliconix IRFD123PBF 1.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD123 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD123PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 1.3A (TA) 10V 270mohm @ 780ma, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ412EP-T1_GE3 2.4400
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ412 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 32A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 10.3a, 10V 2.5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 5950 pf @ 20 v - 83W (TC)
SI3454CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3454CDV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5283 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3454 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.2A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.8a, 10V 3V @ 250µA 10.6 NC @ 10 v ± 20V 305 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 1.5W (TC)
IRF644NSTRLPBF Vishay Siliconix irf644nstrlpbf -
RFQ
ECAD 3768 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 240mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI6415DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6415DQ-T1-E3 1.8600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6415 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 19mohm @ 6.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 70 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
IRLL110PBF Vishay Siliconix irll110pbf -
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA irll110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 100 v 1.5A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 900ma, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI4511DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4511DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6407 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4511 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 20V 7.2A, 4.6A 14.5mohm @ 9.6a, 10V 1.8V @ 250µA 18NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고