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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
IRL630PBF-BE3 Vishay Siliconix irl630pbf-be3 2.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 irl630 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irl630pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9A (TC) 400mohm @ 5.4a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 1100 pf @ 25 v - 74W (TC)
SIZ340BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ340BDT-T1-GE3 0.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz340 MOSFET (금속 (() 3.7W (TA), 16.7W (TC), 4.2W (TA), 31W (TC) 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIZ340BDT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 16.9A (TA), 36A (TC), 25.3A (TA), 69.3A (TC) 8.56mohm @ 10a, 10v, 4.31mohm @ 20a, 10v 2.4V @ 250µA 12.6NC @ 10V, 23.5NC @ 10V 550pf @ 15v, 1065pf @ 15v -
IRL510PBF-BE3 Vishay Siliconix irl510pbf-be3 1.3500
RFQ
 ECAD 388 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irl510pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 5.6A (TC) 540mohm @ 3.4a, 5V 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 43W (TC)
IRFZ40PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ40PBF-BE3 2.7800
RFQ
 ECAD 746 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ40 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfz40pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFR014PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR014PBF-BE3 1.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-IRFR014PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 7.7A (TC) 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQJ136ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj136elp-t1_ge3 1.6800
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ136 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj136elp-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 350A (TC) 1.12mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 8015 pf @ 25 v - 500W (TC)
SI1411DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1411DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1411 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 420MA (TA) 10V 2.6ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 100µa 6.3 NC @ 10 v ± 20V - 1W (TA)
SI2300DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2300DS-T1-BE3 0.4700
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2300DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.1A (TA), 3.6A (TC) 2.5V, 4.5V 68mohm @ 2.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 12V 320 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 1.7W (TC)
SUD19P06-60-BE3 Vishay Siliconix SUD19P06-60-BE3 1.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD19 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 18.3A (TC) 4.5V, 10V 60mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 25 v - 2.3W (TA), 38.5W (TC)
2N4416A-2 Vishay Siliconix 2N4416A-2 -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4416 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 n 채널 4pf @ 15V 35 v 5 ma @ 15 v 2.5 v @ 1 na
SI7810DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7810DN-T1-E3 1.5100
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7810 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3.4A (TA) 6V, 10V 62mohm @ 5.4a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIHB21N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB21N80AE-GE3 2.9000
RFQ
 ECAD 1847 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB21 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHB21N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 17.4A (TC) 10V 235mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 30V 1388 pf @ 100 v - 32W (TC)
SI1424EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1424EDH-T1-BE3 0.4300
RFQ
 ECAD 2356 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1424 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1424EDH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 4A (TA), 4A (TC) 33mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 8 v ± 8V - 1.56W (TA), 2.8W (TC)
SI3476DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3476DV-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3476 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 4.6A (TC) 4.5V, 10V 93mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 20V 195 pf @ 40 v - 2W (TA), 3.6W (TC)
SQJ992EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ992EP-T1_BE3 1.3900
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ992 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj992ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 15A (TC) 56.2mohm @ 3.7a, 10V 2.5V @ 250µA 12NC @ 10V 446pf @ 30v -
SIRS4400DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRS4400DP-T1-RE3 4.2200
RFQ
 ECAD 5057 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 77A (TA), 440A (TC) 4.5V, 10V 0.69mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 295 NC @ 10 v ± 20V 13730 pf @ 20 v - 7.4W (TA), 240W (TC)
SIR846ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir846ADP-T1-RE3 0.8618
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir846 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 60A (TC) 6V, 10V 7.8mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 50 v - 83W (TC)
SI7960DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7960DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7960 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 6.2A 21mohm @ 9.7a, 10V 3V @ 250µA 75NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI4668DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4668DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4668 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 16.2A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 16V 1654 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SI7223DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7223DN-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7223 MOSFET (금속 (() 2.6W (TA), 23W (TC) PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 6A (TC) 26.4mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 40NC @ 10V 1425pf @ 15V -
SI1470DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1470DH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6216 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1470 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.1A (TC) 2.5V, 4.5V 66mohm @ 3.8a, 4.5v 1.6V @ 250µA 7.5 NC @ 5 v ± 12V 510 pf @ 15 v - 1.5W (TA), 2.8W (TC)
SIHF22N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHF22N65E-GE3 2.5872
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 2415 pf @ 100 v - 35W (TC)
SQD40131EL_GE3 Vishay Siliconix SQD40131EL_GE3 1.3500
RFQ
 ECAD 6953 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40131 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 62W (TC)
SI6973DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6973DQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9141 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6973 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.1a 30mohm @ 4.8a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 30NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI8489EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8489EDB-T2-E1 0.4700
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8489 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.06A (TA) 2.5V, 10V 44mohm @ 1.5a, 10V 1.2V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 12V 765 pf @ 10 v - 780MW (TA), 1.8W (TC)
SI4874BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4874BDY-T1-GE3 0.9497
RFQ
 ECAD 1976 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4874 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 3230 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
SISS30LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss30ldn-t1-ge3 1.3000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS30 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 16A (TA), 55.5A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2070 pf @ 40 v - 4.8W (TA), 57W (TC)
SI2343CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2343CDS-T1-BE3 0.5600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.2A (TA), 5.9A (TC) 4.5V, 10V 45mohm @ 4.2a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SQ4182EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4182EY-T1_BE3 1.6500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4182 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 742-SQ4182EY-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 32A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 15 v - 7.1W (TC)
SI2371EDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2371EDS-T1-BE3 0.4300
RFQ
 ECAD 2886 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2371EDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.7A (TA), 4.8A (TC) 2.5V, 10V 45mohm @ 3.7a, 10V 1.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 12V - 1W (TA), 1.7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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