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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SISA72DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA72DN-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 7733 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA72 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v +20V, -16V 3240 pf @ 20 v - 52W (TC)
SI7100DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7100DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4211 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7100 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 35A (TC) 2.5V, 4.5V 3.5mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 105 NC @ 8 v ± 8V 3810 pf @ 4 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI1050X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1050X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1050 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8 v 1.34A (TA) 1.5V, 4.5V 86mohm @ 1.34a, 4.5v 900MV @ 250µA 11.6 NC @ 5 v ± 5V 585 pf @ 4 v - 236MW (TA)
SI7434DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7434DP-T1-E3 2.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7434 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.3A (TA) 6V, 10V 155mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI1416EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1416EDH-T1-GE3 0.4700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1416 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.9A (TC) 2.5V, 10V 58mohm @ 3.1a, 10V 1.4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V - 2.8W (TC)
SI7212DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7212DN-T1-E3 2.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7212 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.9A 36mohm @ 6.8a, 10V 1.6V @ 250µA 11nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SI3460BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3460 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 24 nc @ 8 v ± 8V 860 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.5W (TC)
SUM55P06-19L-E3 Vishay Siliconix SUM55P06-19L-E3 2.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM55 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 125W (TC)
SIA931DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA931DJ-T1-GE3 0.5300
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA931 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 4.5A 65mohm @ 3a, 10V 2.2V @ 250µA 13NC @ 10V 445pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI1012X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1012X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1012 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 500MA (TA) 1.8V, 4.5V 700mohm @ 600ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 6V - 250MW (TA)
SIJ128LDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ128LDP-T1-GE3 1.6200
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ128 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 10.2A (TA), 25.5A (TC) 4.5V, 10V 15.6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 40 v - 3.6W (TA), 22.3W (TC)
SI1073X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1073X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7601 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1073 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 980MA (TA) 4.5V, 10V 173mohm @ 980ma, 10V 3V @ 250µA 9.45 NC @ 10 v ± 20V 265 pf @ 15 v - 236MW (TA)
SI6466ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6466ADQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8588 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6466 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.8A (TA) 2.5V, 4.5V 14mohm @ 8.1a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 27 NC @ 5 v ± 8V - 1.05W (TA)
SI8410DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8410dB-T2-E1 1.0700
RFQ
 ECAD 8575 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8410 MOSFET (금속 (() 4 x 1 (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3.8A (TA) 1.5V, 4.5V 37mohm @ 1.5a, 4.5v 850MV @ 250µA 16 nc @ 8 v ± 8V 620 pf @ 10 v - 780MW (TA), 1.8W (TC)
SI7925DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7925DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8830 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7925 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 4.8a 42MOHM @ 6.5A, 4.5V 1V @ 250µA 12NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIS862ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS862ADN-T1-GE3 0.9700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS862 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 15.8A (TA), 52A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1235 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
SI4409DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4409DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8217 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4409 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 150 v 1.3A (TC) 6V, 10V 1.2ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 332 pf @ 50 v - 2.2W (TA), 4.6W (TC)
SQA300CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa300cejw-t1_ge3 0.5300
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 30 v 5.63A (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 365 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SI7326DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7326DN-T1-E3 0.9100
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7326 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 10a, 10V 1.8V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 25V - 1.5W (TA)
SST5461-T1-E3 Vishay Siliconix SST5461-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1768 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5461 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 7pf @ 15V 40 v 2 ma @ 15 v 1 V @ 1 µA
SIHG33N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG33N60EF-GE3 6.7500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG33 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 33A (TC) 10V 98mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 30V 3454 pf @ 100 v - 278W (TC)
SI4384DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4384DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9449 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4384 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.47W (TA)
SIHD2N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHD2N80E-GE3 1.4200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 2.8A (TC) 10V 2.75ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 19.6 NC @ 10 v ± 30V 315 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1023CX-T1-GE3 0.4500
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1023 MOSFET (금속 (() 220MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V - 756MOHM @ 350MA, 4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 45pf @ 10V 논리 논리 게이트
SIR438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir438dp-t1-ge3 1.9500
RFQ
 ECAD 261 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir438 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4560 pf @ 10 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SI4860DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4860DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1404 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4860 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 16a, 10V 1V @ 250µA (Min) 18 nc @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
2N5116 Vishay Siliconix 2N5116 -
RFQ
 ECAD 3587 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5116 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 - -
SI1470DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1470DH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6216 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1470 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.1A (TC) 2.5V, 4.5V 66mohm @ 3.8a, 4.5v 1.6V @ 250µA 7.5 NC @ 5 v ± 12V 510 pf @ 15 v - 1.5W (TA), 2.8W (TC)
SI7960DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7960DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7960 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 6.2A 21mohm @ 9.7a, 10V 3V @ 250µA 75NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI4682DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4682DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7187 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4682 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1595 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 4.45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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