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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFR220TRLPBF Vishay Siliconix irfr220trlpbf 0.9300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 4.8A (TC) 10V 800mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF520PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF520PBF-BE3 1.1700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRF520PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.2A (TC) 10V 270mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRF9640PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9640PBF-BE3 2.0400
RFQ
 ECAD 674 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9640 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 1 (무제한) 742-IRF9640PBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI4933DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4933DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4933 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V 7.4A 14mohm @ 9.8a, 4.5v 1V @ 500µA 70NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI7848BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7848BDP-T1-GE3 1.7500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7848 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 47A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 20 v - 4.2W (TA), 36W (TC)
SQJB02ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB02ELP-T1_GE3 1.0900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB02 MOSFET (금속 (() 27W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 7.5mohm @ 6a, 10V 2.2V @ 250µA 32NC @ 10V 1700pf @ 20V -
SI7445DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7445DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4828 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7445 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 12A (TA) 1.8V, 4.5V 7.7mohm @ 19a, 4.5v 1V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 8V - 1.9W (TA)
SI4634DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4634DY-T1-E3 1.7700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4634 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 24.5A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
SI9936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9936BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1375 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9936 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 4.5A 35mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 13NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIHP38N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP38N60E-GE3 6.6100
RFQ
 ECAD 987 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP38 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 43A (TC) 10V 65mohm @ 19a, 10V 4V @ 250µA 183 NC @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 100 v - 313W (TC)
SI4539ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4539ADY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8006 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4539 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 4.4a, 3.7a 36mohm @ 5.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIS780DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS780DN-T1-GE3 0.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS780 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 24.5 nc @ 10 v ± 20V 722 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 27.7W (TC)
2N7002-T1-E3 Vishay Siliconix 2N7002-T1-E3 0.6500
RFQ
 ECAD 404 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() TO-236 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 200MW (TA)
SI2329DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2329DS-T1-GE3 0.5900
RFQ
 ECAD 6689 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2329 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 6A (TC) 1.2V, 4.5V 30mohm @ 5.3a, 4.5v 800MV @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 5V 1485 pf @ 4 v - 2.5W (TC)
SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2319ADS-T1_GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 3532 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2319 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 4.6A (TC) 4.5V, 10V 75mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 620 pf @ 20 v - 2.5W (TC)
SQ4080EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4080EY-T1_BE3 1.3300
RFQ
 ECAD 6462 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 18A (TC) 10V 85mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1590 pf @ 75 v - 7.1W (TC)
SQJ423EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ423EP-T1_BE3 1.1200
RFQ
 ECAD 2420 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj423ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 55A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIA427DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA427DJ-T1-GE3 0.5700
RFQ
 ECAD 505 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA427 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 12A (TC) 1.2V, 4.5V 16mohm @ 8.2a, 4.5v 800MV @ 250µA 50 nc @ 5 v ± 5V 2300 pf @ 4 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SQJ168ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ168ELP-T1_GE3 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj168elp-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 24A (TC) 4.5V, 10V 36mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 987 pf @ 25 v - 29.4W (TC)
SI7623DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7623DN-T1-GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7623 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 35A (TC) 2.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 1.5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 12V 5460 pf @ 10 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI4569DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4569DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4569 MOSFET (금속 (() 3.1W, 3.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 7.6a, 7.9a 27mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 32NC @ 10V 855pf @ 20V -
SQ2337ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2337ES-T1_GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 7873 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2337 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 2.2A (TC) 6V, 10V 290mohm @ 1a, 4.5v 2.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 620 pf @ 30 v - 3W (TC)
IRF740APBF-BE3 Vishay Siliconix IRF740APBF-BE3 2.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF740 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRF740APBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1030 pf @ 25 v - 125W (TC)
SQJA60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja60ep-t1_ge3 1.1100
RFQ
 ECAD 7855 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA60 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 45W (TC)
SIHG32N50D-E3 Vishay Siliconix SIHG32N50D-E3 3.2990
RFQ
 ECAD 1527 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG32 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 30A (TC) 10V 150mohm @ 16a, 10V 5V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 2550 pf @ 100 v - 390W (TC)
SQJ461EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj461ep-t1_ge3 2.9100
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ461 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 14.4A, 10V 16mohm 2.5V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 4710 pf @ 30 v - 83W (TC)
SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ466E-T1_GE3 2.8100
RFQ
 ECAD 7656 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 SQJQ466 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 200a (TC) 10V 1.9mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 10210 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI7469DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7469DP-T1-GE3 2.6600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7469 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 28A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 10.2a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 40 v - 5.2W (TA), 83.3W (TC)
SQJ570EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ570EP-T1_BE3 1.1000
RFQ
 ECAD 7498 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ570 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj570ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 100V 15A (TC), 9.5A (TC) 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250µA 15nc @ 10v, 20nc @ 10v 600pf @ 25v, 650pf @ 25v -
SI6954ADQ-T1-BE3 Vishay Siliconix SI6954ADQ-T1-BE3 1.1800
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6954 MOSFET (금속 (() 830MW (TA) 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 742-SI6954ADQ-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.1A (TA) 53mohm @ 3.4a, 10V 1V @ 250µA 16NC @ 10V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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