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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on)
SIHW70N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHW70N60EF-GE3 8.2809
RFQ
 ECAD 8568 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHW70 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 70A (TC) 10V 38mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 380 nc @ 10 v ± 30V 7500 pf @ 100 v - 520W (TC)
SIZ328DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz328DT-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz328 MOSFET (금속 (() 2.9W (TA), 15W (TC), 3.6W (TA), 16.2W (TC) 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25V 11.1A (TA), 25.3A (TC), 15A (TA), 30A (TC) 15mohm @ 5a, 10v, 10mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250µA 6.9nc @ 10v, 11.3nc @ 10v 325pf @ 10V, 600pf @ 10V -
SI7172ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix SI7172ADP-T1-RE3 1.2000
RFQ
 ECAD 9558 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7172 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5.3A (TA), 17.2A (TC) 7.5V, 10V 50mohm @ 10a, 10V 3.1V @ 250µA 19.5 nc @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 100 v - -
SIA922EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA922EDJ-T4-GE3 -
RFQ
 ECAD 4377 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA922 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 7.8W (TC) PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.4A (TA), 4.5A (TC) 64mohm @ 3a, 4.5v 1.4V @ 250µA 12NC @ 10V - -
SIHB22N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60ALE-GE3 3.9200
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB22 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 30V 1757 pf @ 100 v - 208W (TC)
SISS70DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS70DN-T1-GE3 1.3600
RFQ
 ECAD 9752 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS70 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 125 v 8.5A (TA), 31A (TC) 10V 29.8mohm @ 8.5a, 10V 4.5V @ 250µA 15.3 NC @ 10 v ± 20V 535 pf @ 62.5 v - 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SQUN702E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQUN702E-T1_GE3 3.6300
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 주사위 SQUN702 MOSFET (금속 (() 48W (TC), 60W (TC) 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 공통 p 채널, 공통 배수 40V, 200V 30A (TC), 20A (TC) 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 60mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA 23nc @ 20v, 14nc @ 20v, 30.2nc @ 100v 1474pf @ 20v, 1450pf @ 20v, 1302pf @ 100v -
SISHA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisha10dn-t1-ge3 0.9500
RFQ
 ECAD 1701 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH Sisha10 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 25A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 51 NC @ 10 v +20V, -16V 2425 pf @ 15 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
SISS60DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS60DN-T1-GE3 1.5100
RFQ
 ECAD 1881 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS60 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50.1A (TA), 181.8A (TC) 4.5V, 10V 1.31MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 85.5 nc @ 10 v +16V, -12V 3960 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SIHU4N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihu4n80ae-ge3 1.6100
RFQ
 ECAD 1830 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB sihu4 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 4.3A (TC) 10V 1.27ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 622 pf @ 100 v - 69W (TC)
SQJA38EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja38ep-t1_ge3 1.1600
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA38 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 3900 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIRA18BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA18BDP-T1-GE3 0.4900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira18 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 19A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 6.83mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 19 NC @ 10 v +20V, -16V 680 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 17W (TC)
SIHF9520S-GE3 Vishay Siliconix SIHF9520S-GE3 1.0900
RFQ
 ECAD 3888 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHF9520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SQJ418EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj418ep-t2_ge3 0.4560
RFQ
 ECAD 5155 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ418 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj418ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 48A (TC) 10V 14mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIHD3N50DT5-GE3 Vishay Siliconix SIHD3N50DT5-GE3 0.3563
RFQ
 ECAD 2148 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHD3N50DT5-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 175 pf @ 100 v - 69W (TC)
SIHFZ48RS-GE3 Vishay Siliconix SIHFZ48RS-GE3 1.0779
RFQ
 ECAD 7593 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHFZ48 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHFZ48RS-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 190W (TC)
SIHFR220TRL-GE3 Vishay Siliconix SIHFR220TRL-GE3 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHFR220 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 4.8A (TC) 10V 800mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQJ474EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj474ep-t2_ge3 0.3784
RFQ
 ECAD 4806 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ474 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj474ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 26A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 45W (TC)
SQD25N15-52-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD25N15-52-T4_GE3 0.6985
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SQD25N15-52-T4_GE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 25A (TC) 10V 52mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 107W (TC)
SIZF914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF914DT-T1-GE3 0.7095
RFQ
 ECAD 9526 0.00000000 Vishay Siliconix PowerPair®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn SIZF914 MOSFET (금속 (() 3.4W (TA), 26.6W (TC), 4W (TA), 60W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIZF914DT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25V 23.5A (TA), 40A (TC), 52A (TA), 60A (TC) 3.8mohm @ 10a, 10v, 0.9mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 21NC @ 10V, 98NC @ 10V 1050pf @ 10v, 4670pf @ 10v -
SIZ980BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ980BDT-T1-GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz980 MOSFET (금속 (() 3.8W (TA), 20W (TC), 5W (TA), 66W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIZ980BDT-T1-GE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 23.7A (TA), 54.8A (TC), 54.3A (TA), 197A (TC) 4.39mohm @ 15a, 10v, 1.06mohm @ 19a, 10v 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V, 79NC @ 10V 790pf @ 15v, 3655pf @ 15v -
SQS484CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS484CENW-T1_GE3 0.8600
RFQ
 ECAD 7624 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQS484 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SQS484CENW-T1_GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 25 v - 62.5W (TC)
VQ1001P-2 Vishay Siliconix VQ1001P-2 -
RFQ
 ECAD 1057 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 - VQ1001 MOSFET (금속 (() 2W 14-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 4 n 채널 30V 830ma 1.75ohm @ 200ma, 5V 2.5V @ 1mA - 110pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI8805EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8805EDB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 3290 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8805 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 8 v 2.2A (TA) 1.2V, 4.5V 68mohm @ 1.5a, 4.5v 700MV @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 5V - 500MW (TA)
SIR818DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir818dp-t1-ge3 1.3300
RFQ
 ECAD 6426 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir818 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3660 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 69W (TC)
SST174-E3 Vishay Siliconix SST174-E3 -
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST174 350 MW TO-236 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 p 채널 20pf @ 0v 30 v 20 ma @ 15 v 5 v @ 10 na 85 옴
SST4118-T1-E3 Vishay Siliconix SST4118-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4118 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 3pf @ 10V 40 v 80 µa @ 10 v 1 v @ 1 na
SST5485-T1-E3 Vishay Siliconix SST5485-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3914 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5485 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 5pf @ 15V 25 v 4 ma @ 15 v 500 mV @ 10 NA
U310-E3 Vishay Siliconix U310-E3 -
RFQ
 ECAD 4316 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AC, TO-52-3 금속 캔 U310 500MW TO-206AC (TO-52) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 5pf @ 10V 25 v 24 ma @ 10 v 2.5 v @ 1 na
2N4119A Vishay Siliconix 2N4119A -
RFQ
 ECAD 3870 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4119 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 3pf @ 10V 40 v 200 µa @ 10 v 2 v @ 1 na
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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