SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQJ412EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ412EP-T2_GE3 0.7110
RFQ
ECAD 5531 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ412 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj412ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 32A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 10.3a, 10V 2.5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 5950 pf @ 20 v - 83W (TC)
SQD25N06-22L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD25N06-22L_T4GE3 1.5700
RFQ
ECAD 9980 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 25A (TC) 4.5V, 10V 22MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1975 pf @ 25 v - 62W (TC)
SI2323DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2323DS-T1-E3 0.7300
RFQ
ECAD 4060 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2323 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 1.8V, 4.5V 39mohm @ 4.7a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 8V 1020 pf @ 10 v - 750MW (TA)
SIJ450DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ450DP-T1-GE3 1.3900
RFQ
ECAD 1003 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 45 v 36A (TA), 113A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 10a, 10V 2.3V @ 250µA 114 NC @ 10 v +20V, -16V 5920 pf @ 20 v - 4.8W (TA), 48W (TC)
SUD40N02-3M3P-E3 Vishay Siliconix SUD40N02-3M3P-E3 -
RFQ
ECAD 5722 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD40 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 24.4A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 6520 pf @ 10 v - 3.3W (TA), 79W (TC)
SUM60N02-3M9P-E3 Vishay Siliconix sum60n02-3m9p-e3 -
RFQ
ECAD 5979 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum60 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5950 pf @ 10 v - 3.75W (TA), 120W (TC)
SQM50N04-4M1_GE3 Vishay Siliconix SQM50N04-4M1_GE3 1.7194
RFQ
ECAD 4441 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM50 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 4.1MOHM @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 6715 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI7460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7460DP-T1-GE3 2.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7460 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 11A (TA) 4.5V, 10V 9.6mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI4963BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4963BDY-T1-E3 1.5100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4963 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 4.9A 32mohm @ 6.5a, 4.5v 1.4V @ 250µA 21NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF9Z14STRLPBF Vishay Siliconix irf9z14strlpbf 1.7600
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9Z14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 6.7A (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
SI9934BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9934BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8769 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9934 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V 4.8a 35mohm @ 6.4a, 4.5v 1.4V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQJA82EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja82ep-t1_be3 1.1900
RFQ
ECAD 1790 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja82ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI4559ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4559ADY-T1-E3 1.5600
RFQ
ECAD 103 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4559 MOSFET (금속 (() 3.1W, 3.4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 60V 5.3a, 3.9a 58mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 665pf @ 15V 논리 논리 게이트
SQM60N20-35_GE3 Vishay Siliconix SQM60N20-35_GE3 3.6400
RFQ
ECAD 8906 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM60 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 60A (TC) 10V 35mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 5850 pf @ 25 v - 375W (TC)
SI8473EDB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8473EDB-T1-E1 -
RFQ
ECAD 1574 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8473 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TA) 2.5V, 4.5V 41mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA ± 12V - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
SI7159DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7159DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5642 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7159 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 25V 5170 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix IRF830ARSTRLPBF 2.3800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF830 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRLD014 Vishay Siliconix irld014 -
RFQ
ECAD 7391 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) irld014 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLD014 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 1.7A (TA) 4V, 5V 200mohm @ 1a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SIHU6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihu6n65e-ge3 0.7796
RFQ
ECAD 6308 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB Sihu6 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRF9Z34SPBF Vishay Siliconix IRF9Z34SPBF 2.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9Z34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SQM120N04-1M7_GE3 Vishay Siliconix SQM120N04-1M7_GE3 2.1512
RFQ
ECAD 7763 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SQM120N04-1M7-GE3 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.7mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 310 nc @ 10 v ± 20V 17350 pf @ 25 v - 300W (TC)
SQJA82EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja82ep-t1_ge3 1.1900
RFQ
ECAD 3840 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA82 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 60A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIS496EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS496EDNT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS496 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1515 pf @ 15 v - 52W (TC)
SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ348DT-T1-GE3 1.1500
RFQ
ECAD 5734 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz348 MOSFET (금속 (() 3.7W (TA), 16.7W (TC) 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 18A (TA), 30A (TC) 7.12mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 18.2NC @ 10V 820pf @ 15V -
SI7459DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7459DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1431 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7459 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 13A (TA) 10V 6.8mohm @ 22a, 10V 3V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 25V - 1.9W (TA)
SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4459ADY-T1-GE3 1.6000
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4459 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 29A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 195 NC @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SIA459EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA459EDJ-T1-GE3 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA459 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9A (TC) 2.5V, 4.5V 35mohm @ 5a, 4.5v 1.2V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 12V 885 pf @ 10 v - 2.9W (TA), 15.6W (TC)
SI1307DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1307DL-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8633 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1307 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 850MA (TA) 1.8V, 4.5V 290mohm @ 1a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 5 nc @ 4.5 v ± 8V - 290MW (TA)
SIR514DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir514dp-t1-Re3 1.9800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 20.8A (TA), 84.8A (TC) 7.5V, 10V 5.8mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2550 pf @ 50 v - 5W (TA), 83.3W (TC)
SIR4608DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir4608dp-t1-ge3 1.1600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir4608 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 13.1A (TA), 42.8A (TC) 7.5V, 10V 11.8mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 740 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 39W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고