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 | SUP70040E-GE3 | 3.0600 | | 490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SUP70040 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 7.5V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 5100 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||
 | SQJ740EP-T1_GE3 | 1.9200 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | MOSFET (금속 (() | 93W (TC) | PowerPak® SO-8L 듀얼 BWL | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | 2 n 채널 | 40V | 123A (TC) | 3.4mohm @ 7a, 10V | 3.5V @ 250µA | 56NC @ 10V | 3143pf @ 25v | 기준 | ||||||||||
| IRF744PBF | - | | 8552 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF744 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF744PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 8.8A (TC) | 10V | 630mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||
| IRFP460LC | - | | 3133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP460 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRFP460LC | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 3600 pf @ 25 v | - | 280W (TC) | ||||
| SI5424DC-T1-GE3 | 0.8600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5424 | MOSFET (금속 (() | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6A (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 4.8a, 10V | 2.3V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 25V | 950 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 6.25W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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