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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
IRFP350LC Vishay Siliconix IRFP350LC -
RFQ
 ECAD 8028 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP350 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP350LC 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 400 v 16A (TC) 10V 300mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 25 v - 190W (TC)
SI4430BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4430BDY-T1-GE3 1.8500
RFQ
 ECAD 9321 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4430 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 36 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SI5935DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5935DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2667 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5935 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3A 86mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 8.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
2N4860JTXV02 Vishay Siliconix 2N4860JTXV02 -
RFQ
 ECAD 2023 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4860 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SI6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6954ADQ-T1-E3 0.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6954 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.1a 53mohm @ 3.4a, 10V 1V @ 250µA (Min) 16NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SI1305EDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1305EDL-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3699 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1305 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 8 v 860MA (TA) 1.8V, 4.5V 280mohm @ 1a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 4 NC @ 4.5 v ± 8V - 290MW (TA)
IRF830STRLPBF Vishay Siliconix irf830strlpbf 2.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF830 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRFBE20S Vishay Siliconix IRFBE20 -
RFQ
 ECAD 2735 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBE20 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 1.8A (TC) 10V 6.5ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - -
IRLD120PBF Vishay Siliconix IRLD120PBF 1.7500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) irld120 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRLD120PBF 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 100 v 1.3A (TA) 4V, 5V 270mohm @ 780ma, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SI5415EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5415EDU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4391 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5415 MOSFET (금속 (() PowerPak® Chipfet 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 25A (TC) 1.8V, 4.5V 9.8mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 120 nc @ 8 v ± 8V 4300 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SUD50P04-23-E3 Vishay Siliconix SUD50P04-23-E3 -
RFQ
 ECAD 1765 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 8.2A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 16V 1880 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 45.4W (TC)
IRFZ44SPBF Vishay Siliconix IRFZ44SPBF 2.7800
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SIRA58DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira58dp-t1-ge3 1.2000
RFQ
 ECAD 7155 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira58 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.65mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v +20V, -16V 3750 pf @ 20 v - 27.7W (TC)
2N4859JTX02 Vishay Siliconix 2N4859JTX02 -
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4859 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SI3417DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3417DV-T1-GE3 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3417 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8A (TA) 4.5V, 10V 25.2MOHM @ 7.3A, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 15 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SIZ270DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz270DT-T1-GE3 1.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz270 MOSFET (금속 (() 4.3W (TA), 33W (TC) 8-PowerPair® (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 7.1A (TA), 19.5A (TC), 6.9A (TA), 19.1A (TC) 37.7mohm @ 7a, 10v, 39.4mohm @ 7a, 10v 2.4V @ 250µA 27NC @ 10V 860pf @ 50v, 845pf @ 50v -
SIA462DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA462DJ-T4-GE3 -
RFQ
 ECAD 6987 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA462 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 9a, 10V 2.4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 570 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SST4416-E3 Vishay Siliconix SST4416-E3 -
RFQ
 ECAD 4471 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4416 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 2.2pf @ 15V 30 v 5 ma @ 15 v 3 v @ 1 na
IRF740LCS Vishay Siliconix IRF740LCS -
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF740LCS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - -
SIS414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS414DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8432 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS414 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 2.5V, 4.5V 16mohm @ 10a, 4.5v 1.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 12V 795 pf @ 15 v - 3.4W (TA), 31W (TC)
SQJQ144AER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ144AER-T1_GE3 2.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 575A (TC) 10V 0.9mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 9020 pf @ 25 v - 600W (TC)
SI4953ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4953ADY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4441 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4953 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 3.7a 53mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 25NC @ 10V - 논리 논리 게이트
IRFI9540GPBF Vishay Siliconix IRFI9540GPBF 3.6100
RFQ
 ECAD 541 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9540 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI9540GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 11A (TC) 10V 200mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 48W (TC)
IRFBG30PBF Vishay Siliconix IRFBG30PBF 2.5600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBG30 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBG30PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 3.1A (TC) 10V 5ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 980 pf @ 25 v - 125W (TC)
SUD23N06-31-T4-GE3 Vishay Siliconix SUD23N06-31-T4-GE3 1.3900
RFQ
 ECAD 3133 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD23 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 21.4A (TC) 4.5V, 10V 31mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 5.7W (TA), 31.25W (TC)
IRF9620L Vishay Siliconix IRF9620L -
RFQ
 ECAD 6745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF9620 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF9620L 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - -
SIHG026N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG026N60EF-GE3 14.3000
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 742-SIHG026N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 95A (TC) 10V 26mohm @ 38a, 10V 5V @ 250µA 227 NC @ 10 v ± 30V 7926 pf @ 100 v - 521W (TC)
SISS94DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS94DN-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 7062 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS94 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5.4A (TA), 19.5A (TC) 7.5V, 10V 75mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 100 v - 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SI1443EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1443EDH-T1-GE3 0.5400
RFQ
 ECAD 1694 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1443 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TC) 10V 54mohm @ 4.3a, 10V 1.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 12V - 1.6W (TA), 2.8W (TC)
IRFZ20PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ20PBF-BE3 1.9000
RFQ
 ECAD 657 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irfz20pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 50 v 15A (TC) 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 40W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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