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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
IRFR9014PBF-BE3	0.6468	RFQ	5929	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9014	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드			742-irfr9014pbf-be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	5.1A (TC)	10V	500mohm @ 3.1a, 10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	270 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SIHFR320TR-GE3	0.8800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드		1 (무제한)	742-SIHFR320TR-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	400 v	3.1A (TC)	10V	1.8ohm @ 1.9a, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	350 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
sqja12ep-t1_ge3	1.8800	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C				MOSFET (금속 (()			다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	-	10V	8.6mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	49.1 NC @ 10 v	-	3635 pf @ 25 v	-	-
SQJ433EP-T1_BE3	1.4100	RFQ	3015	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)	742-SQJ433EP-T1_BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	75A (TC)	4.5V, 10V	8.1mohm @ 16a, 10V	2.5V @ 250µA	108 NC @ 10 v	± 20V	4877 pf @ 15 v	-	83W (TC)
SI2301BDS-T1-BE3	0.4600	RFQ	6098	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)	742-si2301bds-t1-be3tr	귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	2.2A (TA)	2.5V, 4.5V	100mohm @ 2.8a, 4.5v	950MV @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 8V	375 pf @ 6 v	-	700MW (TA)
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SIHA15N60E-GE3	3.0700	RFQ	1682	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드		1 (무제한)	742-SIHA15N60E-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	15A (TC)	10V	280mohm @ 8a, 10V	4V @ 250µA	76 NC @ 10 v	± 30V	1350 pf @ 100 v	-	34W (TC)
SQJ407EP-T1_BE3	1.4800	RFQ	1406	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)	742-sqj407ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	4.4mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	260 NC @ 10 v	± 20V	10700 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SIHB30N60ET1-GE3	6.0700	RFQ	426	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	600 v	29A (TC)	10V	125mohm @ 15a, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 30V	2600 pf @ 100 v	-	250W (TC)
SQJ844AEP-T1_BE3	1.2100	RFQ	7886	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ844	MOSFET (금속 (()	48W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드		1 (무제한)	742-sqj844aep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	8A (TC)		16.6MOHM @ 7.6A, 10V	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1161pf @ 15V	-
SIDR668DP-T1-RE3	2.9700	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드		1 (무제한)	742-SIDR668DP-T1-RE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	23.2A (TA), 95A (TC)	7.5V, 10V	4.8mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	108 NC @ 10 v	± 20V	5400 pf @ 50 v	-	6.25W (TA), 125W (TC)
SQJ415EP-T1_BE3	1.0000	RFQ	1990	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)	742-sqj415ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	40 v	30A (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	6000 pf @ 25 v	-	45W (TC)
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sqjb00ep-t1_be3	1.3100	RFQ	5243	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJB00	MOSFET (금속 (()	48W (TC)	PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)	742-sqjb00ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	30A (TC)		13mohm @ 10a, 10V	3.5V @ 250µA	35NC @ 10V		1700pf @ 25V	-
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SI3476DV-T1-BE3	0.4700	RFQ	2625	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6		MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)	742-SI3476DV-T1-BE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	3.5A (TA), 4.6A (TC)	4.5V, 10V	93mohm @ 3.5a, 10V	3V @ 250µA	7.5 NC @ 10 v	± 20V	195 pf @ 40 v	-	2W (TA), 3.6W (TC)
siHA6n65e-ge3	2.0400	RFQ	1	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드		1 (무제한)	742-siHA6n65e-ge3tr	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	650 v	7A (TC)	10V	600mohm @ 3a, 10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 v	± 30V	1640 pf @ 100 v	-	31W (TC)
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SQJB44EP-T1_GE3	1.5800	RFQ	5490	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJB44	MOSFET (금속 (()	48W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드		1 (무제한)	742-sqjb44ep-t1_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	30A (TC)		5.2mohm @ 8a, 10V	2.2V @ 250µA	50NC @ 10V		3075pf @ 25V	-
sqja20ep-t1_be3	1.4700	RFQ	3641	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)	742-sqja20ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	22.5A (TC)	7.5V, 10V	50mohm @ 10a, 10V	3.5V @ 250µA	27 NC @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SI2302CDS-T1-BE3	0.4100	RFQ	2031	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	2.6A (TA)	2.5V, 4.5V	57mohm @ 3.6a, 4.5v	850MV @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 v	± 8V		-	710MW (TA)
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SI2367DS-T1-BE3	0.4100	RFQ	7592	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)	742-SI2367DS-T1-BE3TR	귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	2.8A (TA), 3.8A (TC)	1.8V, 4.5V	66mohm @ 2.5a, 4.5v	1V @ 250µA	23 nc @ 8 v	± 8V	561 pf @ 10 v	-	960MW (TA), 1.7W (TC)
SIHP14N60E-BE3	2.3600	RFQ	978	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	13A (TC)	10V	309mohm @ 7a, 10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 v	± 30V	1205 pf @ 100 v	-	147W (TC)
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Sisha06dn-T1-Ge3	1.0200	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8SH		MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8SH	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	28.1A (TA), 104A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 10A, 10V	2.4V @ 250µA	67 NC @ 10 v	+20V, -16V	3932 pf @ 15 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
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SIS4604LDN-T1-GE3	0.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS4604	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	15.1A (TA), 45.9A (TC)	4.5V, 10V	8.9mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	28 nc @ 10 v	± 20V	1180 pf @ 30 v	-	3.6W (TA), 33.7W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²