SIC
close

불연속 불연속 제품 (5717)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI8904EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8904EDB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 7351 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6 c ® ®csp SI8904 MOSFET (금속 (() 1W 6 (™ ™ (2.36x1.56) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 30V 3.8a - 1.6V @ 250µA - - 논리 논리 게이트
SIHK045N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHK045N60EF-T1GE3 10.4700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Vishay Siliconix ef 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 52mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 30V 4685 pf @ 100 v - 278W (TC)
SI4487DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4487DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6315 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4487 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 11.6A (TC) 4.5V, 10V 20.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 25V 1075 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
SIHB15N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB15N80AE-GE3 2.7300
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB15 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHB15N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 13A (TC) 10V 350mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1093 pf @ 100 v - 156W (TC)
SQ3419EV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3419EV-T1_BE3 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3419 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 6.9A (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 11.3 NC @ 4.5 v ± 20V 990 pf @ 20 v - 5W (TC)
IRFL214TR Vishay Siliconix irfl214tr -
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL214 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 790MA (TC) 10V 2ohm @ 470ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SQ1539EH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1539EH-T1_GE3 0.7600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SQ1539 MOSFET (금속 (() 1.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 850MA (TC) 280mohm @ 1a, 10v, 940mohm @ 500ma, 10v 2.6V @ 250µA 1.4nc @ 4.5v, 1.6nc @ 4.5v 48pf @ 15V, 50pf @ 15V -
SIR836DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir836dp-t1-ge3 0.8300
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir836 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 21A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 20 v - 3.9W (TA), 15.6W (TC)
SI7726DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7726DN-T1-GE3 0.3822
RFQ
 ECAD 8983 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7726 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.6V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1765 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SI7450DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7450DP-T1-GE3 2.9000
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7450 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 3.2A (TA) 6V, 10V 80mohm @ 4a, 10V 4.5V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
IRFB9N60A Vishay Siliconix IRFB9N60A -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB9N60 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB9N60A 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
SI7407DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7407DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8034 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7407 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 9.9A (TA) 1.8V, 4.5V 12mohm @ 15.6a, 4.5v 1V @ 400µA 59 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
SIHU6N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHU6N80E-GE3 2.3400
RFQ
 ECAD 1499 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB Sihu6 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 5.4A (TC) 10V 940mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 30V 827 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRC730PBF Vishay Siliconix IRC730pbf -
RFQ
 ECAD 7708 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRC730 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRC730pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v 현재 현재 74W (TC)
SI4398DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4398DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4398 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 19A (TA) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5620 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
SIA918EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA918EDJ-T1-GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA918 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.5A (TC) 58mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 5.5NC @ 4.5V - -
SIR692DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir692DP-T1-RE3 1.7900
RFQ
 ECAD 4707 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir692 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 24.2A (TC) 7.5V, 10V 63mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 7.5 v ± 20V 1405 pf @ 125 v - 104W (TC)
IRFL9110TRPBF Vishay Siliconix irfl9110trpbf 0.8800
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL9110 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 1.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 660ma, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF5300DT-T1-GE3 2.0700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-PowerPair ™ SIZF5300 MOSFET (금속 (() 4.5W (TA), 56.8W (TC) PowerPair® 3x3fs 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 30V 35A (TA), 125A (TC) 2.43mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 32NC @ 10V 1480pf @ 15V -
SI1467DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1467DH-T1-BE3 0.6700
RFQ
 ECAD 9484 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1467 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1467DH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA), 2.7A (TC) 90mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 8V 561 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 2.78W (TC)
SI4947ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4947ADY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6959 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4947 MOSFET (금속 (() 1.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 3A 80mohm @ 3.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 8NC @ 5V - 논리 논리 게이트
SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir5211dp-t1-ge3 0.9300
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 31.2A (TA), 105A (TC) 2.5V, 10V 3.2mohm @ 10a, 10V 1.5V @ 250µA 158 NC @ 10 v ± 12V 6700 pf @ 10 v - 5W (TA), 56.8W (TC)
SQJA88EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja88ep-t1_be3 0.9600
RFQ
 ECAD 2205 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja88ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 48W (TC)
SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7113DN-T1-GE3 1.6800
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7113 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 13.2A (TC) 4.5V, 10V 134mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIRC16DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRC16DP-T1-RE3 1.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIRC16DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 57A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 0.96mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 105 NC @ 10 v +20V, -16V 5150 pf @ 10 v Schottky Diode (Body) 5W (TA), 54.3W (TC)
SI4158DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4158DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6438 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4158 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 36.5A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 132 NC @ 10 v ± 16V 5710 pf @ 10 v - 3W (TA), 6W (TC)
IRLR024TR Vishay Siliconix irlr024tr -
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI5513DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5513DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7782 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5513 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 3.1a, 2.1a 75mohm @ 3.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3127DV-T1-GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3127 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.5A (TA), 13A (TC) 4.5V, 10V 89mohm @ 1.5a, 4.5v 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 833 pf @ 20 v - 2W (TA), 4.2W (TC)
SUM50N06-16L-E3 Vishay Siliconix SUM50N06-16L-E3 -
RFQ
 ECAD 8922 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum50 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 16MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 10 v 1325 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 93W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다