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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIHF12N50C-E3 Vishay Siliconix SIHF12N50C-E3 5.2600
RFQ
 ECAD 994 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF12 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 555mohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 1375 pf @ 25 v - 36W (TC)
SUM90N06-5M5P-E3 Vishay Siliconix SUM90N06-5M5P-E3 -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM90 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 30 v - 3.75W (TA), 272W (TC)
IRL620 Vishay Siliconix irl620 -
RFQ
 ECAD 6237 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 irl620 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL620 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 5.2A (TC) 4V, 5V 800mohm @ 3.1a, 5V 2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 10V 360 pf @ 25 v - 50W (TC)
SUP85N03-04P-E3 Vishay Siliconix SUP85N03-04P-E3 -
RFQ
 ECAD 2868 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup85 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 85A (TC) 4.5V, 10V 4.3MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 166W (TC)
SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-E3 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3460 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 24 nc @ 8 v ± 8V 860 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.5W (TC)
SQ4937EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4937EY-T1_GE3 1.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4937 MOSFET (금속 (() 3.3W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 5A (TC) 75mohm @ 3.9a, 10V 2.5V @ 250µA 15NC @ 10V 480pf @ 25V -
SIHA240N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA240N60E-GE3 2.9600
RFQ
 ECAD 9526 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA240 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 240mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 783 pf @ 100 v - 31W (TC)
SQJA12EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja12ep-t1_ge3 1.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C MOSFET (금속 (() 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v - 10V 8.6mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 49.1 NC @ 10 v - 3635 pf @ 25 v - -
SIHF18N50D-E3 Vishay Siliconix SIHF18N50D-E3 2.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF18 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 18A (TC) 10V 280mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 30V 1500 pf @ 100 v - 39W (TC)
SIR878BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir878BDP-T1-RE3 1.7000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir878 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 12A (TA), 42.5A (TC) 7.5V, 10V 14.4mohm @ 15a, 10V 3.4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 50 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
IRF640PBF Vishay Siliconix IRF640PBF 1.9900
RFQ
 ECAD 795 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF640 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF640PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI4501BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4501BDY-T1-GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4501 MOSFET (금속 (() 4.5W, 3.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 공통 p 채널, 공통 배수 30V, 8V 12a, 8a 17mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 25NC @ 10V 805pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIS862DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS862DN-T1-GE3 1.1700
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS862 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 40A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1320 pf @ 30 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5442DU-T1-GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 9052 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5442 MOSFET (금속 (() PowerPak® Chipfet 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 25A (TC) 1.8V, 4.5V 10mohm @ 8a, 4.5v 900MV @ 250µA 45 NC @ 8 v ± 8V 1700 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
SQP100P06-9M3L_GE3 Vishay Siliconix SQP100P06-9M3L_GE3 -
RFQ
 ECAD 5131 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SQP100 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 9.3mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 20V 12010 pf @ 25 v - 187W (TC)
IRFP244PBF Vishay Siliconix IRFP244PBF 5.3100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP244 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP244PBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 250 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI7465DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7465DP-T1-GE3 1.3200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7465 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 64mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V - 1.5W (TA)
SQJB00EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqjb00ep-t1_be3 1.3100
RFQ
 ECAD 5243 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJB00 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqjb00ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 30A (TC) 13mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 35NC @ 10V 1700pf @ 25V -
SIDR5802EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR5802EP-T1-RE3 2.8700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR5802 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 34.2A (TA), 153A (TC) 7.5V, 10V 2.9mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3020 pf @ 40 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
SI3879DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3879DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2837 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3879 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5A (TC) 2.5V, 4.5V 70mohm @ 3.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 12V 480 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.3W (TC)
IRF740LCSTRL Vishay Siliconix IRF740LCSTRL -
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - -
IRF830STRR Vishay Siliconix irf830strr -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF830 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
SUP65P04-15-E3 Vishay Siliconix SUP65P04-15-E3 -
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup65 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SUP65P0415E3 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 40 v 65A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 120W (TC)
IRF9640SPBF Vishay Siliconix IRF9640SPBF 2.4000
RFQ
 ECAD 569 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3W (TA), 125W (TC)
SIHA12N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA12N60E-GE3 2.5300
RFQ
 ECAD 1575 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA12N60E-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 937 pf @ 100 v - 33W (TC)
SUD50P10-43-E3 Vishay Siliconix SUD50P10-43-E3 -
RFQ
 ECAD 3794 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 38A (TC) 10V 43mohm @ 9.4a, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 5230 pf @ 50 v - 8.3W (TA), 136W (TC)
SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA440DJ-T1-GE3 0.4800
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA440 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12A (TC) 2.5V, 10V 26mohm @ 9a, 10V 1.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v ± 12V 700 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
IRFP150 Vishay Siliconix IRFP150 -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP150 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP150 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 41A (TC) 10V 55mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 25 v - 230W (TC)
IRFD9014PBF Vishay Siliconix IRFD9014PBF 1.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9014 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD9014PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.1A (TA) 10V 500mohm @ 660ma, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
IRF520PBF Vishay Siliconix IRF520PBF 1.1900
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF520PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.2A (TC) 10V 270mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 60W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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