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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
SI1054X-T1-GE3	-	RFQ	6435	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1054	MOSFET (금속 (()		SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	12 v	1.32A (TA)	1.8V, 4.5V	95mohm @ 1.32a, 4.5v	1V @ 250µA	8.57 NC @ 5 v	± 8V	480 pf @ 6 v	-	236MW (TA)
IRFPG50PBF	5.8800	RFQ	1915	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFPG50	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFPG50PBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	1000 v	6.1A (TC)	10V	2ohm @ 3.6a, 10V	4V @ 250µA	190 NC @ 10 v	± 20V	2800 pf @ 25 v	-	190W (TC)
SIHB24N65EF-GE3	6.0100	RFQ	6909	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB24	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	650 v	24A (TC)	10V	156mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	122 NC @ 10 v	± 30V	2774 pf @ 100 v	-	250W (TC)
SIA914DJ-T1-E3	-	RFQ	5141	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA914	MOSFET (금속 (()	6.5W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	4.5A		53mohm @ 3.7a, 4.5v	1V @ 250µA	11.5NC @ 8V		400pf @ 10V	논리 논리 게이트
SIJ188DP-T1-GE3	1.5600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIJ188	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	25.5A (TA), 92.4A (TC)	7.5V, 10V	3.85mohm @ 10a, 10V	3.6V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	1920 pf @ 30 v	-	5W (TA), 65.7W (TC)
SST5462-T1-E3	-	RFQ	8004	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SST5462		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널								7pf @ 15V			40 v	4 ma @ 15 v	1.8 V @ 1 µA
SI1028X-T1-GE3	-	RFQ	3803	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1028	MOSFET (금속 (()	220MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	-		650mohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	2NC @ 10V		16pf @ 15V	논리 논리 게이트
IRFR310	-	RFQ	3591	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR310	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFR310	귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	400 v	1.7A (TC)	10V	3.6ohm @ 1a, 10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	170 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
IRFZ44SPBF	2.7800	RFQ	8486	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFZ44	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	50A (TC)	10V	28mohm @ 31a, 10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 v	± 20V	1900 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 150W (TC)
irfr9024trpbf	1.2900	RFQ	16	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	60 v	8.8A (TC)	10V	280mohm @ 5.3a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	570 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
IRFDC20PBF	2.2600	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFDC20	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFDC20PBF	귀 99	8541.29.0095	100		n 채널	600 v	320MA (TA)	10V	4.4ohm @ 190ma, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	350 pf @ 25 v	-	1W (TA)
SI1903DL-T1-GE3	-	RFQ	5939	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1903	MOSFET (금속 (()	270MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	410ma		995mohm @ 410ma, 4.5v	1.5V @ 250µA	1.8NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI1553DL-T1-GE3	-	RFQ	7147	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1553	MOSFET (금속 (()	270MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	660ma, 410ma		385mohm @ 660ma, 4.5v	600MV @ 250µa (최소)	1.2NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
IRF740BPBF	1.4900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF740	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	600mohm @ 5a, 10V	5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 30V	526 pf @ 100 v	-	147W (TC)
IRL510SPBF	0.7072	RFQ	4109	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRL510	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	100 v	5.6A (TC)	4V, 5V	540mohm @ 3.4a, 5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 v	± 10V	250 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
irf610strlpbf	1.7300	RFQ	677	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF610	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	3.3A (TC)	10V	1.5ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 25 v	-	3W (TA), 36W (TC)
2N6660-E3	-	RFQ	7399	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N6660	MOSFET (금속 (()		TO-205AD (TO-39)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	100		n 채널	60 v	990MA (TC)	5V, 10V	3ohm @ 1a, 10v	2V @ 1mA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	725MW (TA), 6.25W (TC)
SI6993DQ-T1-E3	-	RFQ	4104	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6993	MOSFET (금속 (()	830MW	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		30V	3.6a		31mohm @ 4.7a, 10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SQD50P08-28-T4_GE3	0.6985	RFQ	7852	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD50	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sqd50p08-28-t4_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	80 v	48A (TC)	10V	28mohm @ 12.5a, 10V	3.5V @ 250µA	145 NC @ 10 v	± 20V	6035 pf @ 25 v	-	136W (TC)
SI4916DY-T1-E3	-	RFQ	8390	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4916	MOSFET (금속 (()	3.3W, 3.5W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	10a, 10.5a		18mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SQD50N04-5M6L_GE3	1.3300	RFQ	3	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD50	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	40 v	50A (TC)	4.5V, 10V	5.6MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	4000 pf @ 25 v	-	71W (TC)
SI7905DN-T1-GE3	-	RFQ	2854	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SI7905	MOSFET (금속 (()	20.8W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		40V	6A		60mohm @ 5a, 10V	3V @ 250µA	30NC @ 10V		880pf @ 20V	-
SIA911EDJ-T1-GE3	-	RFQ	8750	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6 듀얼	SIA911	MOSFET (금속 (()	7.8W	PowerPak® SC-70-6 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	4.5A		101mohm @ 2.7a, 4.5v	1V @ 250µA	11nc @ 8v		-	논리 논리 게이트
Sir626LDP-T1-RE3	1.8000	RFQ	3581	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir626	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	45.6a (TA), 186a (TC)	4.5V, 10V	1.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 v	± 20V	5900 pf @ 30 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SUP85N03-3M6P-GE3	-	RFQ	8312	Vishay Siliconix	Trenchfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	sup85	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	30 v	85A (TC)	4.5V, 10V	3.6mohm @ 22a, 10V	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	3535 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 78.1W (TC)
TP0202K-T1-E3	-	RFQ	9227	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TP0202	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	385MA (TA)	4.5V, 10V	1.4ohm @ 500ma, 10V	3V @ 250µA	1 nc @ 10 v	± 20V	31 pf @ 15 v	-	350MW (TA)
IRF740LCS	-	RFQ	6821	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF740	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF740LCS	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	1100 pf @ 25 v	-	-
SI7922DN-T1-E3	1.7700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SI7922	MOSFET (금속 (()	1.3W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		100V	1.8a		195mohm @ 2.5a, 10V	3.5V @ 250µA	8NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
IRF530L	-	RFQ	2765	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRF530	MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRF530L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	14A (TC)	10V	160mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	670 pf @ 25 v	-	-
SI7104DN-T1-GE3	1.0490	RFQ	9150	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7104	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	12 v	35A (TC)	2.5V, 4.5V	3.7mohm @ 26.1a, 4.5v	1.8V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 12V	2800 pf @ 6 v	-	3.8W (TA), 52W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²