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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SIA461DJ-T1-GE3	0.4100	RFQ	9838	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA461	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	12A (TC)	1.8V, 4.5V	33mohm @ 5.2a, 4.5v	1V @ 250µA	45 NC @ 8 v	± 8V	1300 pf @ 10 v	-	3.4W (TA), 17.9W (TC)
SQ9945AEY-T1-E3	-	RFQ	1369	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ9945	MOSFET (금속 (()	2.4W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		60V	3.7a		80mohm @ 3.7a, 10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
IRF840ASTLPBF	2.5500	RFQ	2809	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF840	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 30V	1018 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
IRFZ44STRR	-	RFQ	7485	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFZ44	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	50A (TC)	10V	28mohm @ 31a, 10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 v	± 20V	1900 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 150W (TC)
SQJ962EP-T1-GE3	-	RFQ	1684	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ962	MOSFET (금속 (()	25W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	8a		60mohm @ 4.3a, 10V	2.5V @ 250µA	14NC @ 10V		475pf @ 25V	논리 논리 게이트
sqjb48ep-t1_ge3	1.5800	RFQ	3	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJB48	MOSFET (금속 (()	48W (TC)	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	30A (TC)		5.2mohm @ 8a, 10V	3.3V @ 250µA	40NC @ 10V		2350pf @ 25v	-
irfr310tr	-	RFQ	2491	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR310	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	400 v	1.7A (TC)	10V	3.6ohm @ 1a, 10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	170 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
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SI2303BDS-T1	-	RFQ	6326	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2303	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	1.49A (TA)	4.5V, 10V	200mohm @ 1.7a, 10V	3V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 20V	180 pf @ 15 v	-	700MW (TA)
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Siz270DT-T1-GE3	1.4100	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	Siz270	MOSFET (금속 (()	4.3W (TA), 33W (TC)	8-PowerPair® (3.3x3.3)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		100V	7.1A (TA), 19.5A (TC), 6.9A (TA), 19.1A (TC)		37.7mohm @ 7a, 10v, 39.4mohm @ 7a, 10v	2.4V @ 250µA	27NC @ 10V		860pf @ 50v, 845pf @ 50v	-
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IRF740AL	-	RFQ	3007	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRF740	MOSFET (금속 (()		i2pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF740AL	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	550mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 30V	1030 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SI7194DP-T1-GE3	-	RFQ	4426	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7194	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	25 v	60A (TC)	4.5V, 10V	2MOHM @ 20A, 10V	2.6V @ 250µA	145 NC @ 10 v	± 20V	6590 pf @ 15 v	-	5.4W (TA), 83W (TC)
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SIS452DN-T1-GE3	-	RFQ	6025	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS452	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	12 v	35A (TC)	4.5V, 10V	3.25mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 20V	1700 pf @ 6 v	-	3.8W (TA), 52W (TC)
sir668dp-t1-Re3	2.3800	RFQ	1761	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir668	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	95A (TC)	7.5V, 10V	4.8mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	83 NC @ 7.5 v	± 20V	5400 pf @ 50 v	-	104W (TC)
SISA96DN-T1-GE3	0.4400	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SISA96	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	16A (TC)	4.5V, 10V	8.8mohm @ 10a, 10V	2.2V @ 250µA	15 nc @ 4.5 v	+20V, -16V	1385 pf @ 15 v	-	26.5W (TC)
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sqj407ep-t1_ge3	1.4800	RFQ	6300	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ407	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	4.4mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	260 NC @ 10 v	± 20V	10700 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SQD40030E_GE3	0.7297	RFQ	2938	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD40030	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	40 v	100A (TC)	10V	-	-	65 nc @ 10 v	-		-	-
IRF830AS	-	RFQ	5679	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF830	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF830AS	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	5A (TC)	10V	1.4ohm @ 3a, 10V	4.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 30V	620 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 74W (TC)
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SI1958DH-T1-E3	-	RFQ	8468	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1958	MOSFET (금속 (()	1.25W	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	1.3a		205mohm @ 1.3a, 4.5v	1.6V @ 250µA	3.8nc @ 10V		105pf @ 10v	논리 논리 게이트
2N5116JTXL02	-	RFQ	4372	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N5116			TO-206AA (TO-18)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	20		-								-
sqj423ep-t1_ge3	1.1200	RFQ	7995	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ423	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	40 v	55A (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 20V	4500 pf @ 25 v	-	68W (TC)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²