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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJQ906E-T1_GE3 | 2.6800 |  | 3221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 8 x 8 듀얼 | SQJQ906 | MOSFET (금속 (() | 50W | PowerPak® 8 x 8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 95A (TC) | 3.3mohm @ 5a, 10V | 3.5V @ 250µA | 42NC @ 10V | 3600pf @ 20V | - | |||||||
 | IRFD420PBF | 1.8600 | | 8782 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD420 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFD420PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 370MA (TA) | 10V | 3ohm @ 220ma, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||||
 | SI4933DY-T1-E3 | - | | 3964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4933 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 12V | 7.4A | 14mohm @ 9.8a, 4.5v | 1V @ 500µA | 70NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||
 | SI7742DP-T1-GE3 | 0.8647 | | 2259 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7742 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 2.7V @ 250µA | 115 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 15 v | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SI2343CDS-T1-GE3 | 0.6200 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 5.9A (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 4.2a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 590 pf @ 15 v | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
 | SIHD7N60E-GE3 | 2.0100 | | 165 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIHD7 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHD7N60EGE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 680 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | ||||
 | SI5484DU-T1-E3 | - | | 2765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5484 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 12A (TC) | 2.5V, 4.5V | 16mohm @ 7.6a, 4.5v | 2V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 12V | 1600 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
 | IRFPS37N50A | - | | 1868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | IRFPS37 | MOSFET (금속 (() | Super-247 ™ (TO-274AA) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFPS37N50A | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 36A (TC) | 10V | 130mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 30V | 5579 pf @ 25 v | - | 446W (TC) | |||
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 | IRF840PBF | 1.9400 | | 21 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF840 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF840PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||
 | SQW44N65EF-GE3 | 7.6600 | | 509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, e | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SQW44N65EF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 480 | n 채널 | 650 v | 47A (TC) | 10V | 73mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 266 NC @ 10 v | ± 30V | 5858 pf @ 100 v | - | 500W (TC) | |||||
| SUP28N15-52-E3 | - | | 3391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup28 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 150 v | 28A (TC) | 6V, 10V | 52mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1725 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 120W (TC) | ||||
| IRFD9220PBF | 2.7600 | | 2009 년 년 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9220 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | p 채널 | 200 v | 560MA (TA) | 10V | 1.5ohm @ 340ma, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 340 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||
 | SIS427EDN-T1-GE3 | 0.7100 | | 6952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS427 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 10.6mohm @ 11a, 10V | 2.5V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 25V | 1930 pf @ 15 v | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SQJQ184E-T1_GE3 | 3.5500 | | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 8 x 8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 80 v | 430A (TC) | 10V | 1.4mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 272 NC @ 10 v | ± 20V | 16010 pf @ 25 v | - | 600W (TC) | ||||||
 | IRFU020 | - | | 1579 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFU020 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
| SI7409ADN-T1-E3 | - | | 6256 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7409 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 7A (TA) | 2.5V, 4.5V | 19mohm @ 11a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 40 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||
| SIS890ADN-T1-GE3 | 0.9600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SIS890 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 7.6A (TA), 24.7A (TC) | 25.5mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 1330 pf @ 50 v | - | 3.6W (TA), 39W (TC) | ||||||
| IRF7822TRR | - | | 8912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7822 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 18A (TA) | 4.5V | 6.5mohm @ 15a, 4.5v | 1V @ 250µA | 60 nc @ 5 v | ± 12V | 5500 pf @ 16 v | - | 3.1W (TA) | ||||
| irl540L | - | | 1540 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRL540 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL540L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 28A (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | - | 64 NC @ 5 v | ± 10V | 2200 pf @ 25 v | - | - | |||
| IRFD310PBF | 1.6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD310 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 400 v | 350MA (TA) | 10V | 3.6ohm @ 210ma, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||
| SI4196DY-T1-E3 | - | | 9485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4196 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 22 nc @ 8 v | ± 8V | 830 pf @ 10 v | - | 2W (TA), 4.6W (TC) | ||||
| SI4421DY-T1-E3 | 2.1000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4421 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 10A (TA) | 1.8V, 4.5V | 8.75mohm @ 14a, 4.5v | 800MV @ 850µA | 125 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRF620S | - | | 6739 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF620 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF620S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 5.2A (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 260 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 50W (TC) | |||
| IRF744L | - | | 9534 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF744 | MOSFET (금속 (() | i2pak | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF744L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 8.8A (TC) | 10V | 630mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | - | ||||
| IRF710 | - | | 9674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF710 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF710 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 2A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | |||
| IRF640STRPBF | 3.0900 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF640 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 18A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||||
| irfbc20strlpbf | 2.9100 | | 358 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBC20 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 2.2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.3a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SI7956DP-T1-E3 | 3.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | SI7956 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | PowerPak® SO-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 150V | 2.6a | 105mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250µA | 26NC @ 10V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||
 | SIA444DJT-T1-GE3 | - | | 6755 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA444 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 7.4a, 10V | 2.2V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 560 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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