SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on)
SI4952DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4952DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8181 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4952 MOSFET (금속 (() 2.8W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 25V 8a 23mohm @ 7a, 10V 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 680pf @ 13v 논리 논리 게이트
SI7635DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7635DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8467 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7635 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 26a, 10V 2.2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 16V 4595 pf @ 10 v - 5W (TA), 54W (TC)
SIHP240N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP240N60E-GE3 2.9700
RFQ
ECAD 419 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP240 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 240mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 795 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRFZ44S Vishay Siliconix IRFZ44S -
RFQ
ECAD 9097 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ44S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SUD50N10-34P-T4-E3 Vishay Siliconix SUD50N10-34P-T4-E3 -
RFQ
ECAD 6384 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 5.9A (TA), 20A (TC) 6V, 10V 34mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 56W (TC)
SUD50P04-23-E3 Vishay Siliconix SUD50P04-23-E3 -
RFQ
ECAD 1765 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 8.2A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 16V 1880 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 45.4W (TC)
SUP70N03-09BP-E3 Vishay Siliconix SUP70N03-09BP-E3 -
RFQ
ECAD 2489 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup70 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 19 NC @ 5 v ± 20V 1500 pf @ 25 v - 93W (TC)
2N4392-2 Vishay Siliconix 2N4392-2 -
RFQ
ECAD 8641 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4392 1.8 w TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 14pf @ 20V 40 v 25 ma @ 20 v 2 v @ 1 na 60 옴
SIHP28N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHP28N65E-GE3 2.8195
RFQ
ECAD 4982 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP28 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 29A (TC) 10V 112mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 30V 3405 pf @ 100 v - 250W (TC)
SQP120P06-6M7L_GE3 Vishay Siliconix SQP120P06-6M7L_GE3 -
RFQ
ECAD 7565 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SQP120 TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 119A (TC)
2N4392-E3 Vishay Siliconix 2N4392-E3 -
RFQ
ECAD 4337 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4392 1.8 w TO-206AA (TO-18) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 n 채널 14pf @ 20V 40 v 25 ma @ 20 v 2 v @ 1 na 60 옴
IRFR214TRPBF Vishay Siliconix irfr214trpbf 1.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI1404BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1404BDH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3173 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1404 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 1.9A (TA), 2.37A (TC) 2.5V, 4.5V 238mohm @ 1.9a, 4.5v 1.3V @ 250µA 2.7 NC @ 4.5 v ± 12V 100 pf @ 15 v - 1.32W (TA), 2.28W (TC)
SIHG47N60AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHG47N60AEF-GE3 8.7500
RFQ
ECAD 2163 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG47 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 40A (TC) 10V 70mohm @ 23.5a, 10V 4V @ 250µA 189 NC @ 10 v ± 30V 3576 pf @ 100 v - 313W (TC)
SISS63DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS63DN-T1-GE3 1.0000
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS63 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 35.1A (TA), 127.5A (TC) 2.5V, 10V 2.7mohm @ 15a, 10V 1.5V @ 250µA 236 NC @ 8 v ± 12V 7080 pf @ 10 v - 5W (TA), 65.8W (TC)
SIZ260DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz260DT-T1-GE3 1.2100
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz260 MOSFET (금속 (() 4.3W (TA), 33W (TC) 8-PowerPair® (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 80V 8.9A (TA), 24.7A (TC), 8.9A (TA), 24.6A (TC) 24.5mohm @ 10a, 10v, 24.7mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA 27NC @ 10V 820pf @ 40v -
IRFB13N50A Vishay Siliconix IRFB13N50A -
RFQ
ECAD 4485 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB13 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB13N50A 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 450mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 30V 1910 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRFD210PBF Vishay Siliconix IRFD210PBF 1.3900
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD210 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD210PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 600MA (TA) 10V 1.5ohm @ 360ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 1W (TA)
SIZF918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF918DT-T1-GE3 1.5900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn SIZF918 MOSFET (금속 (() 3.4W (TA), 26.6W (TC), 3.7W (TA), 50W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 23A (TA), 40A (TC), 35A (TA), 60A (TC) 4mohm @ 10a, 10v, 1.9mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA, 2.3V @ 250µA 22NC @ 10V, 56NC @ 10V 1060pf @ 15v, 2650pf @ 15v -
IRF640STRL Vishay Siliconix irf640strl -
RFQ
ECAD 4966 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
IRFR9220TRR Vishay Siliconix irfr9220trr -
RFQ
ECAD 6034 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIR124DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir124DP-T1-RE3 1.0700
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir124 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 16.1A (TA), 56.8A (TC) 7.5V, 10V 8.4mohm @ 10a, 10V 3.8V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1666 pf @ 40 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SI4818DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4818DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7266 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4818 MOSFET (금속 (() 1W, 1.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5.3a, 7a 22mohm @ 6.3a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 12NC @ 5V - 논리 논리 게이트
IRFD224PBF Vishay Siliconix IRFD224PBF 1.4900
RFQ
ECAD 2298 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD224 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD224PBF 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 630MA (TA) 10V 1.1ohm @ 380ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 1W (TA)
SI7102DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7102DN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5767 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7102 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 35A (TC) 2.5V, 4.5V 3.8mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 110 nc @ 8 v ± 8V 3720 pf @ 6 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
IRFR420TRL Vishay Siliconix irfr420trl -
RFQ
ECAD 9143 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI3464DV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3464DV-T1-BE3 0.6200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 7.5A (TA), 8A (TC) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 7.5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 8V 1065 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.6W (TC)
SIA911DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA911DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5903 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA911 MOSFET (금속 (() 6.5W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A 94mohm @ 2.8a, 4.5v 1V @ 250µA 12.8nc @ 8v 355pf @ 10V -
SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz350DT-T1-GE3 1.1300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz350 MOSFET (금속 (() 3.7W (TA), 16.7W (TC) 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 18.5A (TA), 30A (TC) 6.75mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 20.3NC @ 10V 940pf @ 15V -
SI4340DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4340DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9910 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4340 MOSFET (금속 (() 1.14W, 1.43W 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 7.3a, 9.9a 12mohm @ 9.6a, 10V 2V @ 250µA 15NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고