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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SI5404BDC-T1-E3	0.4200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5404	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	5.4A (TA)	2.5V, 4.5V	28mohm @ 5.4a, 4.5v	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	± 12V		-	1.3W (TA)
SI1403BDL-T1-BE3	0.5300	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1403	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	1.4A (TA)		150mohm @ 1.5a, 4.5v	1.3V @ 250µA	4.5 nc @ 4.5 v	± 12V		-	568MW (TA)
Sir158DP-T1-RE3	1.7900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir158	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	1.8mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 20V	4980 pf @ 15 v	-	83W (TC)
SI2304DDS-T1-GE3	0.4300	RFQ	18	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2304	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	3.3A (TA), 3.6A (TC)	4.5V, 10V	60mohm @ 3.2a, 10V	2.2V @ 250µA	6.7 NC @ 10 v	± 20V	235 pf @ 15 v	-	1.1W (TA), 1.7W (TC)
sqj431ep-t1_ge3	1.9800	RFQ	1	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ431	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	200 v	12A (TC)	6V, 10V	213mohm @ 1a, 4v	3.5V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	4355 pf @ 25 v	-	83W (TC)
SI3853DV-T1-GE3	-	RFQ	1430	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3853	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	1.6A (TA)	2.5V, 4.5V	200mohm @ 1.8a, 4.5v	500MV @ 250µA (최소)	4 NC @ 4.5 v	± 12V		Schottky 분리 (다이오드)	830MW (TA)
IRFPS38N60L	-	RFQ	1105	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-274AA	IRFPS38	MOSFET (금속 (()		Super-247 ™ (TO-274AA)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	600 v	38A (TC)	10V	150mohm @ 23a, 10V	5V @ 250µA	320 NC @ 10 v	± 30V	7990 pf @ 25 v	-	540W (TC)
IRFD9123	-	RFQ	9032	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFD9123	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	-	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	100 v	1A (TA)		600mohm @ 600ma, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v		390 pf @ 25 v	-	-
SIS472ADN-T1-GE3	0.1714	RFQ	7351	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS472	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	24A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	1515 pf @ 15 v	-	28W (TC)
sqja92ep-t1_ge3	1.1900	RFQ	3462	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJA92	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	57A (TC)	10V	9.5mohm @ 10a, 10V	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 20V	2650 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SI7844DP-T1-GE3	-	RFQ	6195	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7844	MOSFET (금속 (()	1.4W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	6.4a		22mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	20NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
SIHP22N60E-E3	2.1315	RFQ	5738	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP22	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		SIHP22N60EE3	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	21A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 v	± 30V	1920 pf @ 100 v	-	227W (TC)
SIDR500EP-T1-RE3	3.4400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드		1 (무제한)		742-SIDR500EP-T1-RE3DKR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	94A (TA), 421A (TC)	4.5V, 10V	0.47mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	180 NC @ 10 v	+16V, -12V	8960 pf @ 15 v	-	7.5W (TA), 150W (TC)
SIHH150N60E-T1-GE3	5.3800	RFQ	6149	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	SIHH150	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 8 x 8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	19A (TC)	10V	155mohm @ 10a, 10V	5V @ 250µA	36 nc @ 10 v	± 30V	1514 pf @ 100 v	-	156W (TC)
sq3469ev-t1_ge3	0.6900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SQ3469	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	8A (TC)	4.5V, 10V	36mohm @ 6.7a, 10V	2.5V @ 25µA	27 NC @ 10 v	± 20V	1020 pf @ 10 v	-	5W (TC)
SI7138DP-T1-E3	-	RFQ	6191	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7138	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	30A (TC)	6V, 10V	7.8mohm @ 19.7a, 10V	4V @ 250µA	135 NC @ 10 v	± 20V	6900 pf @ 30 v	-	5.4W (TA), 96W (TC)
IRFP450PBF	3.5400	RFQ	757	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP450	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFP450PBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	500 v	14A (TC)	10V	400mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	150 nc @ 10 v	± 20V	2600 pf @ 25 v	-	190W (TC)
IRF730ASPBF	2.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF730	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRF730ASPBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	5.5A (TC)	10V	1ohm @ 3.3a, 10V	4.5V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 30V	600 pf @ 25 v	-	74W (TC)
IRFD9110PBF	1.6300	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFD9110	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFD9110PBF	귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	100 v	700MA (TA)	10V	1.2ohm @ 420ma, 10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 v	± 20V	200 pf @ 25 v	-	1.3W (TA)
SI4850EY-T1-E3	1.7700	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4850	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	6A (TA)	4.5V, 10V	22mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	27 NC @ 10 v	± 20V		-	1.7W (TA)
SI4411DY-T1-GE3	-	RFQ	2800	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4411	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	9A (TA)	4.5V, 10V	10mohm @ 13a, 10V	3V @ 250µA	65 nc @ 5 v	± 20V		-	1.5W (TA)
SIE802DF-T1-E3	1.8574	RFQ	5701	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-Polarpak® (L)	SIE802	MOSFET (금속 (()		10-Polarpak® (L)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	1.9mohm @ 23.6a, 10V	2.7V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	7000 pf @ 15 v	-	5.2W (TA), 125W (TC)
VQ2001P-2	-	RFQ	7358	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	14-DIP	VQ2001	MOSFET (금속 (()	2W	14-DIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25	4 p 채널		30V	600ma		2ohm @ 1a, 12v	4.5V @ 1mA	-		150pf @ 15V	-
SI7909DN-T1-E3	-	RFQ	1916	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SI7909	MOSFET (금속 (()	1.3W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		12V	5.3A		37mohm @ 7.7a, 4.5v	1V @ 700µA	24NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI7774DP-T1-GE3	-	RFQ	9356	Vishay Siliconix	Skyfet®, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7774	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 15a, 10V	2.2V @ 250µA	66 NC @ 10 v	± 20V	2630 pf @ 15 v	-	5W (TA), 48W (TC)
SI4831BDY-T1-E3	-	RFQ	7710	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4831	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	6.6A (TC)	4.5V, 10V	42mohm @ 5a, 10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	625 pf @ 15 v	Schottky 분리 (다이오드)	2W (TA), 3.3W (TC)
irl540pbf	2.5100	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRL540	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*irl540pbf	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	28A (TC)	4V, 5V	77mohm @ 17a, 5V	2V @ 250µA	64 NC @ 5 v	± 10V	2200 pf @ 25 v	-	150W (TC)
irfr9024tr	-	RFQ	2242	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	60 v	8.8A (TC)	10V	280mohm @ 5.3a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	570 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI7148DP-T1-GE3	2.9200	RFQ	6835	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7148	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	75 v	28A (TC)	10V	11mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	2900 pf @ 35 v	-	5.4W (TA), 96W (TC)
SI4966DY-T1-GE3	-	RFQ	4448	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4966	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		20V	-		25mohm @ 7.1a, 4.5v	1.5V @ 250µA	50NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²