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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on)
SIR164ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir164ADP-T1-GE3 1.0700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir164 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35.9A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 77 NC @ 10 v +20V, -16V 3595 pf @ 15 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SI3951DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3951DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7117 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3951 MOSFET (금속 (() 2W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.7a 115mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.1NC @ 5V 250pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI9434BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9434BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9597 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9434 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.5A (TA) 2.5V, 4.5V 40mohm @ 6.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
U291-E3 Vishay Siliconix U291-E3 -
RFQ
 ECAD 2889 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AC, TO-52-3 금속 캔 U291 500MW TO-206AC (TO-52) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 160pf @ 0v 30 v 200 ma @ 10 v 1.5 v @ 3 na 7 옴
SIA444DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA444DJT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6755 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA444 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 7.4a, 10V 2.2V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 560 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SIHB24N65ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHB24N65ET5-GE3 3.7126
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3 0.9800
RFQ
 ECAD 8853 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® 1212-8W 듀얼 SQS966 MOSFET (금속 (() 27.8W (TC) PowerPak® 1212-8W 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 6A (TC) 36mohm @ 1.25a, 10V 2.5V @ 250µA 8.8nc @ 10V 572pf @ 25v -
SI7450DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7450DP-T1-GE3 2.9000
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7450 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 3.2A (TA) 6V, 10V 80mohm @ 4a, 10V 4.5V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SQJ504EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ504EP-T1_BE3 1.4600
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ504 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 40V 30A (TC) 7.5mohm @ 8a, 10v, 17mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V, 85NC @ 10V 1900pf @ 25v, 4600pf @ 25v -
SI1972DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1972DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1972 MOSFET (금속 (() 1.25W SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 1.3a 225mohm @ 1.3a, 10V 2.8V @ 250µA 2.8NC @ 10V 75pf @ 15V -
SI7447ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7447ADP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5723 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7447 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 35A (TC) 10V 6.5mohm @ 24a, 10V 3V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 25V 4650 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83.3W (TC)
SQ4005EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4005EY-T1_BE3 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4005 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 742-SQ4005EY-T1_BE3TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 12 v 15A (TC) 2.5V, 4.5V 22mohm @ 13.5a, 4.5v 1V @ 250µA 38 NC @ 4.5 v ± 8V 3600 pf @ 6 v - 6W (TC)
SIR330DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir330dp-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 8799 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir330 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.7W (TC)
SQJA64EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja64ep-t1_be3 0.7300
RFQ
 ECAD 7773 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqja64ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 15A (TC) 10V 32mohm @ 4a, 10V 3.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 45W (TC)
IRFBC40APBF Vishay Siliconix IRFBC40APBF 2.4900
RFQ
 ECAD 496 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBC40 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC40APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 1036 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI8457DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8457dB-T1-E1 0.6000
RFQ
 ECAD 8268 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA SI8457 MOSFET (금속 (() 4 (® ® (1.6x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 93 NC @ 8 v ± 8V 2900 pf @ 6 v - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
TP0202K-T1-GE3 Vishay Siliconix TP0202K-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TP0202 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 385MA (TA) 4.5V, 10V 1.4ohm @ 500ma, 10V 3V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 31 pf @ 15 v - 350MW (TA)
SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-BE3 0.4500
RFQ
 ECAD 8039 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1902 MOSFET (금속 (() 300MW (TA), 420MW (TC) SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1902CDL-T1-BE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1A (TA), 1.1A (TC) 235mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 10V 62pf @ 10V -
SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira28bdp-t1-ge3 0.5700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira28 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA), 38A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 14 nc @ 10 v +20V, -16V 582 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 17W (TC)
SI4888DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4888DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4888 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 16a, 10V 1.6V @ 250µA 24 nc @ 5 v ± 20V - 1.6W (TA)
SQJ415EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_BE3 1.0000
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj415ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 30A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 25 v - 45W (TC)
SUP75P05-08-E3 Vishay Siliconix SUP75P05-08-E3 -
RFQ
 ECAD 2982 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup75 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 225 NC @ 10 v ± 20V 8500 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 250W (TC)
SIRS4301DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRS4301DP-T1-GE3 3.4700
RFQ
 ECAD 7455 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 Sirs4301 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 53.7A (TA), 227A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 255 NC @ 4.5 v ± 20V 19750 pf @ 15 v - 7.4W (TA), 132W (TC)
SIHD7N60ET4-GE3 Vishay Siliconix SIHD7N60ET4-GE3 0.8080
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
SIA915DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA915DJ-T4-GE3 -
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA915 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 6.5W (TC) PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 3.7A (TA), 4.5A (TC) 87mohm @ 2.9a, 10V 2.2V @ 250µA 9NC @ 10V 275pf @ 15V -
SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4101DY-T1-GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4101 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 25.7A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 203 NC @ 10 v ± 20V 8190 pf @ 15 v - 6W (TC)
SI7216DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7216DN-T1-E3 1.6600
RFQ
 ECAD 5455 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7216 MOSFET (금속 (() 20.8W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A 32mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 19NC @ 10V 670pf @ 20V -
SQD40061EL_GE3 Vishay Siliconix SQD40061EL_GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 4455 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40061 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 5.1MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 14500 pf @ 25 v - 107W (TC)
SQ7415AEN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ7415AEN-T1_BE3 -
RFQ
 ECAD 9246 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQ7415 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 16A (TC) 4.5V, 10V 65mohm @ 5.7a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1385 pf @ 25 v - 53W (TC)
SQJ910AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ910AEP-T2_GE3 0.5433
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ910 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj910aep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 30A (TC) 7mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 39NC @ 10V 1869pf @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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