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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
sqj403beep-t1_ge3	1.6000	RFQ	7688	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ403	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	30A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	164 NC @ 10 v	± 20V		-	68W (TC)
SUD50N10-18P-GE3	-	RFQ	8157	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD50	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	8.2A (TA), 50A (TC)	10V	18.5mohm @ 15a, 10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	2600 pf @ 50 v	-	3W (TA), 136.4W (TC)
Siz342ADT-T1-GE3	0.8600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	Siz342	MOSFET (금속 (()	3.7W (TA), 16.7W (TC)	8-power33 (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SIZ342ADT-T1-GE3CT	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	15.7A (TA), 33.4A (TC)		9.4mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	12.2NC @ 10V		580pf @ 15V	-
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2N5114JAN02	-	RFQ	1721	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N5114			TO-206AA (TO-18)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	40		-								-
irfr9014trpbf-be3	1.1100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9014	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	60 v	5.1A (TC)	10V	500mohm @ 3.1a, 10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	270 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²