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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQJA16EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja16ep-t1_ge3 1.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 278A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 20V 5485 pf @ 25 v - 500W (TC)
SQJQ144AER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ144AER-T1_GE3 2.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 575A (TC) 10V 0.9mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 9020 pf @ 25 v - 600W (TC)
SUM70042E-GE3 Vishay Siliconix SUM70042E-GE3 2.9900
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 조각 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SUM70042E-GE3 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 150A (TC) 7.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 6490 pf @ 50 v - 278W (TC)
SQJQ148ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ148ER-T1_GE3 2.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 372A (TC) 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 20V 5750 pf @ 25 v - 394W (TC)
SQA446CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa446cejw-t1_ge3 0.6200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 6-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqa446cejw-t1_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 9A (TC) 2.5V, 4.5V 17.5mohm @ 4.5a, 4.5v 1.3V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 12V 910 pf @ 10 v - 13.6W (TC)
SIR4606DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir4606dp-t1-ge3 1.2600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 10.5A (TA), 16A (TC) 7.5V, 10V 18.5mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 13.5 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 30 v - 3.7W (TA), 31.2W (TC)
SIHB055N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB055N60EF-GE3 6.4400
RFQ
 ECAD 8992 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHB055N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 46A (TC) 10V 55mohm @ 26.5a, 10V 5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 30V 3707 pf @ 100 v - 278W (TC)
SIHH105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix SIHH105N60EF-T1GE3 6.8600
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHH15N60EF-T1GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 105mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 2099 PF @ 100 v - 174W (TC)
SIA4265EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA4265EDJ-T1-GE3 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIA4265EDJ-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.8A (TA), 9A (TC) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 36 nc @ 8 v ± 8V 1180 pf @ 0 v - 2.9W (TA), 15.6W (TC)
SISA14BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA14BDN-T1-GE3 0.7100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 21A (TA), 72A (TC) 4.5V, 10V 5.38mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 22 nc @ 10 v +20V, -16V 917 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
SISS588DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS588DN-T1-GE3 1.3600
RFQ
 ECAD 6289 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SISS588DN-T1-GE3TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 80 v 16.9A (TA), 58.1A (TC) 7.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 28.5 nc @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 40 v - 4.8W (TA), 56.8W (TC)
SIR4602LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir4602LDP-T1-RE3 0.9500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 15.2A (TA), 52.1A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1185 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 43W (TC)
SQA444CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa444cejw-t1_ge3 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 PowerPak® SC-70-6 MOSFET (금속 (() PowerPak®SC-70W-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 9A (TC) 4.5V, 10V 39mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 9 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - 13.6W (TC)
SIDR500EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR500EP-T1-RE3 3.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR500EP-T1-RE3DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 94A (TA), 421A (TC) 4.5V, 10V 0.47mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 180 NC @ 10 v +16V, -12V 8960 pf @ 15 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
SQJQ184ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ184ER-T1_GE3 3.6700
RFQ
 ECAD 451 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 갈매기 날개 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 430A (TC) 10V 1.4mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 16009 pf @ 25 v - 600W (TC)
SIDR570EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR570EP-T1-RE3 3.0300
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 30.8A (TA), 90.9A (TC) 7.5V, 10V 7.9mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 3740 pf @ 75 v - 7.5W (TA), 150W (TC)
SI3483DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3483DDV-T1-BE3 0.5500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.4A (TA), 8A (TC) 4.5V, 10V 31.2MOHM @ 5A, 10V 2.2V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v +16V, -20V 580 pf @ 15 v - 2W (TA), 3W (TC)
SIHA21N65EF-GE3 Vishay Siliconix SIHA21N65EF-GE3 4.7200
RFQ
 ECAD 3706 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA21N65EF-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 30V 2322 pf @ 100 v - 35W (TC)
SIDR870ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR870ADP-T1-RE3 2.3800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR870ADP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 21.8A (TA), 95A (TC) 4.5V, 10V 6.6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2866 pf @ 50 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SIHFRC20TR-GE3 Vishay Siliconix SIHFRC20TR-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-sihfrc20tr-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQJ914EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ914EP-T1_BE3 1.3000
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ914 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj914ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 30A (TC) 12MOHM @ 4.5A, 10V 2.5V @ 250µA 25NC @ 10V 1110pf @ 15V -
SI3460BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-BE3 0.9100
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3460BDV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.7A (TA), 8A (TC) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 5.1a, 4.5v 1V @ 250µA 24 nc @ 8 v ± 8V 860 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.5W (TC)
SI2333DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2333DDS-T1-BE3 0.4200
RFQ
 ECAD 2908 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2333DDS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5A (TA), 6A (TC) 1.5V, 4.5V 28mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 35 NC @ 8 v ± 8V 1275 pf @ 6 v - 1.2W (TA), 1.7W (TC)
SQJ481EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_BE3 1.0000
RFQ
 ECAD 3518 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj481ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 16A (TC) 4.5V, 10V 80mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 45W (TC)
SIHP11N80E-BE3 Vishay Siliconix SIHP11N80E-BE3 3.5300
RFQ
 ECAD 916 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 440mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 30V 1670 pf @ 100 v - 179W (TC)
SQJA76EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja76ep-t1_be3 1.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 2.4mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 5250 pf @ 25 v - 68W (TC)
SIHFR320TRL-GE3 Vishay Siliconix SIHFR320TRL-GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-SIHFR320TRL-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQJ454EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ454EP-T1_BE3 1.3100
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj454ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 13A (TC) 4.5V, 10V 145mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI2342DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2342DS-T1-BE3 0.5100
RFQ
 ECAD 3935 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2342DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 6A (TA), 6A (TC) 1.2V, 4.5V 17mohm @ 7.2a, 4.5v 800MV @ 250µA 15.8 nc @ 4.5 v ± 5V 1070 pf @ 4 v - 1.3W (TA), 2.5W (TC)
SQJA37EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja37ep-t1_be3 0.9200
RFQ
 ECAD 1863 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqja37ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 9.2MOHM @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4900 pf @ 25 v - 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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