SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SI1021R-T1-E3 Vishay Siliconix SI1021R-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SI1021 MOSFET (금속 (() SC-75A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 190ma (TA) 4.5V, 10V 4ohm @ 500ma, 10V 3V @ 250µA 1.7 NC @ 15 v ± 20V 23 pf @ 25 v - 250MW (TA)
IRFI9620GPBF Vishay Siliconix IRFI9620GPBF 2.4800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9620 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI9620GPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 200 v 3A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.8a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 15 v - 30W (TC)
SI5935DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5935DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2667 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5935 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3A 86mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 8.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SISS66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS66DN-T1-GE3 1.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS66 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 49.1A (TA), 178.3A (TC) 4.5V, 10V 1.38mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 85.5 nc @ 10 v +20V, -16V 3327 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 5.1W (TA), 65.8W (TC)
SI5905DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5905DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9289 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5905 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 8V 3A 90mohm @ 3a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 9NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
2N4339 Vishay Siliconix 2N4339 -
RFQ
ECAD 6713 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4339 300MW TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 7pf @ 15V 50 v 500 µa @ 15 v 600 mV @ 100 NA
SI1303DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1303DL-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1303 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 670MA (TA) 2.5V, 4.5V 430mohm @ 1a, 4.5v 1.4V @ 250µA 2.2 NC @ 4.5 v ± 12V - 290MW (TA)
SIA950DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA950DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3492 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA950 MOSFET (금속 (() 7W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 190V 950ma 3.8ohm @ 360ma, 4.5v 1.4V @ 250µA 4.5NC @ 10V 90pf @ 100v 논리 논리 게이트
SQM110P04-04L-GE3 Vishay Siliconix SQM110P04-04L-GE3 -
RFQ
ECAD 4477 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM110P MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 330 nc @ 10 v ± 20V 13980 pf @ 20 v - 375W (TC)
SI5975DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5975DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1962 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5975 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 3.1a 86mohm @ 3.1a, 4.5v 450mv @ 1ma (min) 9NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4920EY-T1_GE3 1.6600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4920 MOSFET (금속 (() 4.4W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8a 14.5mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V 1465pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIHA155N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHA155N60EF-GE3 3.6600
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA155 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 1 (무제한) 742-SIHA155N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 89mohm @ 3.7a, 10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1465 pf @ 100 v - 33W (TC)
SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj479ep-t1_ge3 1.2300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ479 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 32A (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 68W (TC)
SQJ914EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ914EP-T1_BE3 1.3000
RFQ
ECAD 2763 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ914 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj914ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 30A (TC) 12MOHM @ 4.5A, 10V 2.5V @ 250µA 25NC @ 10V 1110pf @ 15V -
SI1406DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1406DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1704 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1406 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3.1A (TA) 1.8V, 4.5V 65mohm @ 3.9a, 4.5v 1.2V @ 250µA 7.5 NC @ 4.5 v ± 8V - 1W (TA)
SI7164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7164DP-T1-GE3 2.9100
RFQ
ECAD 984 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7164 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 60A (TC) 10V 6.25mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2830 pf @ 30 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
SQA401EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA401EJ-T1_GE3 0.6300
RFQ
ECAD 2854 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SQA401 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.75A (TC) 2.5V, 4.5V 125mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 12V 330 pf @ 10 v - 13.6W (TC)
SI7886ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7886ADP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4383 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7886 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 1.5V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 12V 6450 pf @ 15 v - 1.9W (TA)
SIHB186N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB186N60EF-GE3 2.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB186 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHB186N60EF-GE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 8.4A (TC) 10V 193mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 1081 pf @ 100 v - 156W (TC)
IRFPS43N50KPBF Vishay Siliconix IRFPS43N50KPBF -
RFQ
ECAD 2505 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA IRFPS43 MOSFET (금속 (() Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPS43N50KPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 47A (TC) 10V 90mohm @ 28a, 10V 5V @ 250µA 350 NC @ 10 v ± 30V 8310 pf @ 25 v - 540W (TC)
SQJ464EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj464ep-t1_ge3 1.0100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ464 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 32A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 7.1a, 10V 2.5V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 2086 pf @ 30 v - 45W (TC)
SIHF22N60E-E3 Vishay Siliconix SIHF22N60E-E3 1.8728
RFQ
ECAD 5341 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHF22N60EE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v 1920 pf @ 100 v -
IRF830PBF Vishay Siliconix IRF830PBF 1.5800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF830 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 74W (TC)
SI7392ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7392ADP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3398 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7392 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 12.5a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1465 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.5W (TC)
SI7852ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7852ADP-T1-E3 2.7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7852 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 30A (TC) 8V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1825 pf @ 40 v - 5W (TA), 62.5W (TC)
SI7454DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7454DP-T1-GE3 1.0773
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7454 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 5A (TA) 6V, 10V 34mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SISA16DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA16DN-T1-GE3 0.1995
RFQ
ECAD 6070 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SISA16 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TA) 6.8mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 47 NC @ 10 v 2060 pf @ 15 v - -
IRFD9120 Vishay Siliconix IRFD9120 -
RFQ
ECAD 1664 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9120 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFD9120 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 1A (TA) 10V 600mohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SIA483DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA483DJ-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 118 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA483 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 5a, 10V 2.2V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1550 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix SUD19P06-60-GE3 1.1800
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD19 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 18.3A (TC) 4.5V, 10V 60mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 25 v - 2.3W (TA), 38.5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고