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![]() | SI7454DP-T1-GE3 | 1.0773 | ![]() | 4952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7454 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 5A (TA) | 6V, 10V | 34mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||||||
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![]() | IRFD9120 | - | ![]() | 1664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | IRFD9120 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFD9120 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 1A (TA) | 10V | 600mohm @ 600ma, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | ||||||
![]() | SIA483DJ-T1-GE3 | 0.5100 | ![]() | 118 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA483 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 5a, 10V | 2.2V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1550 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||||||
![]() | SUD19P06-60-GE3 | 1.1800 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD19 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 60 v | 18.3A (TC) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1710 pf @ 25 v | - | 2.3W (TA), 38.5W (TC) |
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