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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
SIR170DP-T1-RE3	1.9300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir170	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	23.2A (TA), 95A (TC)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 10 v	± 20V	6195 pf @ 50 v	-	6.25W (TA), 104W (TC)
SIS436DN-T1-GE3	-	RFQ	1531	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS436	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	25 v	16A (TC)	4.5V, 10V	10a, 10a, 10v 10.5mohm	2.3V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	855 pf @ 10 v	-	3.5W (TA), 27.7W (TC)
irf9610strl	-	RFQ	5762	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF9610	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	200 v	1.8A (TC)	10V	3ohm @ 900ma, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	170 pf @ 25 v	-	3W (TA), 20W (TC)
IRF9Z20	-	RFQ	2062	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF9	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRF9Z20	귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널	50 v	9.7A (TC)	10V	280mohm @ 5.6a, 10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	480 pf @ 25 v	-	40W (TC)
SI4626ADY-T1-GE3	0.9923	RFQ	4355	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4626	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	30A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	125 nc @ 10 v	± 20V	5370 pf @ 15 v	-	3W (TA), 6W (TC)
SQJ844AEP-T1_GE3	1.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SQJ844	MOSFET (금속 (()	48W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	8a		16.6MOHM @ 7.6A, 10V	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1161pf @ 15V	-
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SUM70090E-GE3	1.6600	RFQ	1264	Vishay Siliconix	Thunderfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	sum70090	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	50A (TC)	7.5V, 10V	8.9mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 20V	1950 pf @ 50 v	-	125W (TC)
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irfr210trlpbf	1.1700	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR210	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	2.6A (TC)	10V	1.5ohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
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SI6926ADQ-T1-GE3	0.9700	RFQ	14	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6926	MOSFET (금속 (()	830MW	8-tssop	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	4.1a		30mohm @ 4.5a, 4.5v	1V @ 250µA	10.5nc @ 4.5v		-	논리 논리 게이트
sira58dp-t1-ge3	1.2000	RFQ	7155	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sira58	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	60A (TC)	4.5V, 10V	2.65mohm @ 15a, 10V	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 v	+20V, -16V	3750 pf @ 20 v	-	27.7W (TC)
SI1414DH-T1-GE3	-	RFQ	8721	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1414	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	4A (TC)	1.8V, 4.5V	46mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 250µA	15 nc @ 8 v	± 8V	560 pf @ 15 v	-	2.8W (TC)
SISS04DN-T1-GE3	1.5400	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8S	SISS04	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8S	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	50.5A (TA), 80A (TC)	4.5V, 10V	1.2mohm @ 15a, 10V	2.2V @ 250µA	93 NC @ 10 v	+16V, -12V	4460 pf @ 15 v	-	5W (TA), 65.7W (TC)
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sqj403beep-t1_ge3	1.6000	RFQ	7688	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ403	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	30A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	164 NC @ 10 v	± 20V		-	68W (TC)
SUD50N10-18P-GE3	-	RFQ	8157	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD50	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	100 v	8.2A (TA), 50A (TC)	10V	18.5mohm @ 15a, 10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	2600 pf @ 50 v	-	3W (TA), 136.4W (TC)
Siz342ADT-T1-GE3	0.8600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn	Siz342	MOSFET (금속 (()	3.7W (TA), 16.7W (TC)	8-power33 (3x3)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		742-SIZ342ADT-T1-GE3CT	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	15.7A (TA), 33.4A (TC)		9.4mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	12.2NC @ 10V		580pf @ 15V	-
SI5905BDC-T1-GE3	-	RFQ	2661	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5905	MOSFET (금속 (()	3.1W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		8V	4a		80mohm @ 3.3a, 4.5v	1V @ 250µA	11nc @ 8v		350pf @ 4v	논리 논리 게이트
irl520strl	-	RFQ	1494	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRL520	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	9.2A (TC)	4V, 5V	270mohm @ 5.5a, 5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 v	± 10V	490 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 60W (TC)
SI5980DU-T1-GE3	-	RFQ	2634	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	PowerPak® ChipFet ™ 듀얼	SI5980	MOSFET (금속 (()	7.8W	PowerPak® Chipfet Dual	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		100V	2.5A		567mohm @ 400ma, 10V	4V @ 250µA	3.3NC @ 10V		78pf @ 50V	-
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SIJA58DP-T1-GE3	0.4092	RFQ	3967	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sija58	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	60A (TC)	4.5V, 10V	2.65mohm @ 15a, 10V	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 v	+20V, -16V	3750 pf @ 20 v	-	27.7W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²