SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id
SI4388DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4388DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6003 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4388 MOSFET (금속 (() 3.3W, 3.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 10.7a, 11.3a 16mohm @ 8a, 10V 3V @ 250µA 27NC @ 10V 946pf @ 15V -
SQM40022E_GE3 Vishay Siliconix SQM40022E_GE3 1.7500
RFQ
ECAD 6591 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM40022 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 150A (TC) 10V 1.63mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 9200 pf @ 25 v - 150W (TC)
SIJ462ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ462ADP-T1-GE3 1.4600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ462 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIJ462ADP-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 15.8A (TA), 39.3A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1235 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 22.3W (TC)
SI7374DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7374DP-T1-E3 1.5920
RFQ
ECAD 1759 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7374 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 24A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 23.8a, 10V 2.8V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 15 v - 5W (TA), 56W (TC)
SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix SUD19P06-60-GE3 1.1800
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD19 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 18.3A (TC) 4.5V, 10V 60mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 25 v - 2.3W (TA), 38.5W (TC)
SI7784DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7784DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8744 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7784 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.7W (TC)
SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz920DT-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6771 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz920 MOSFET (금속 (() 39W, 100W 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 40a 7.1mohm @ 18.9a, 10V 2.5V @ 250µA 35NC @ 10V 1260pf @ 15V -
2N4861JTXL02 Vishay Siliconix 2N4861JTXL02 -
RFQ
ECAD 1981 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4861 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
2N4119A-E3 Vishay Siliconix 2N4119A-E3 -
RFQ
ECAD 9201 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4119 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 3pf @ 10V 40 v 200 µa @ 10 v 2 v @ 1 na
SUM47N10-24L-E3 Vishay Siliconix SUM47N10-24L-E3 -
RFQ
ECAD 7940 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum47 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 47A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 40a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 136W (TC)
IRFBE30SPBF Vishay Siliconix IRFBE30SPBF 3.2000
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBE30SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI2399DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2399DS-T1-GE3 0.5100
RFQ
ECAD 4257 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2399 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 10V 34mohm @ 5.1a, 10V 1.5V @ 250µA 20 nc @ 4.5 v ± 12V 835 pf @ 10 v - 2.5W (TC)
IRFI620G Vishay Siliconix IRFI620G -
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI620 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI620G 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 4.1A (TC) 10V 800mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 30W (TC)
SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj418ep-t1_ge3 1.1800
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ418 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 48A (TC) 10V 14mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 68W (TC)
SI1304BDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1304BDL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3486 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1304 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 900ma (TC) 2.5V, 4.5V 270mohm @ 900ma, 4.5v 1.3V @ 250µA 2.7 NC @ 4.5 v ± 12V 100 pf @ 15 v - 340MW (TA), 370MW (TC)
SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4101DY-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4101 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 25.7A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 203 NC @ 10 v ± 20V 8190 pf @ 15 v - 6W (TC)
IRFR020TRL Vishay Siliconix irfr020trl -
RFQ
ECAD 6218 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 100mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFBG20 Vishay Siliconix IRFBG20 -
RFQ
ECAD 3796 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFBG20 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBG20 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1000 v 1.4A (TC) 10V 11ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 54W (TC)
SI6924AEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9759 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6924 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 28V 4.1a 33mohm @ 4.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI3440DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3440DV-T1-E3 1.5200
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3440 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 1.2A (TA) 6V, 10V 375mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA440DJ-T1-GE3 0.4800
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA440 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12A (TC) 2.5V, 10V 26mohm @ 9a, 10V 1.4V @ 250µA 21.5 nc @ 10 v ± 12V 700 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SIHB20N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHB20N50E-GE3 3.2800
RFQ
ECAD 6792 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 19A (TC) 10V 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 179W (TC)
SIHD240N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHD240N60E-GE3 2.5500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD240 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 240mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 783 pf @ 100 v - 78W (TC)
SQJB48EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb48ep-t1_ge3 1.5800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB48 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 5.2mohm @ 8a, 10V 3.3V @ 250µA 40NC @ 10V 2350pf @ 25v -
SUM110P04-05-E3 Vishay Siliconix SUM110P04-05-E3 4.7600
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 40 v 110A (TC) 10V 5MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 11300 pf @ 25 v - 15W (TA), 375W (TC)
SIHF23N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHF23N60E-GE3 1.7972
RFQ
ECAD 9785 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF23 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 23A (TC) 10V 158mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 30V 2418 pf @ 100 v - 35W (TC)
IRLR8103TRR Vishay Siliconix IRLR8103TRR -
RFQ
ECAD 3471 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR8103 MOSFET (금속 (() D-PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 89A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA (Min) 50 nc @ 5 v ± 20V - -
IRLIZ44GPBF Vishay Siliconix IRLIZ44GPBF 2.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irliz44 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irliz44gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TC) 4V, 5V 28mohm @ 18a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 3300 pf @ 25 v - 48W (TC)
IRFR214TRRPBF Vishay Siliconix irfr214trrpbf 0.6159
RFQ
ECAD 5566 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQJQ186ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ186ER-T1_GE3 2.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 갈매기 날개 SQJQ186 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 329A (TC) 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 20V 10552 pf @ 25 v - 600W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고