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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQD40020E_GE3 Vishay Siliconix SQD40020E_GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 8476 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40020 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.33MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 107W (TC)
IRFI720G Vishay Siliconix IRFI720G -
RFQ
 ECAD 5880 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI720 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI720G 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 2.6A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 30W (TC)
SI5441DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5441DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5441 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.9A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 3.9a, 4.5v 1.4V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
SI3588DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3588DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3768 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3588 MOSFET (금속 (() 830MW, 83MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 2.5a, 570ma 80mohm @ 3a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 7.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFZ24SPBF Vishay Siliconix IRFZ24SPBF 2.4800
RFQ
 ECAD 741 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ24 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 17A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SI1071X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1071X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6637 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1071 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 960MA (TA) 2.5V, 10V 167mohm @ 960ma, 10V 1.45V @ 250µA 13.3 NC @ 10 v ± 12V 315 pf @ 15 v - 236MW (TA)
IRFR1N60A Vishay Siliconix irfr1n60a -
RFQ
 ECAD 5593 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfr1n60a 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
SI3850ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3850ADV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3328 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3850 MOSFET (금속 (() 1.08W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 공통 p 채널, 공통 배수 20V 1.4a, 960ma 300mohm @ 500ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.4NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFL210PBF Vishay Siliconix IRFL210PBF -
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL210 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 200 v 960MA (TC) 10V 1.5ohm @ 580ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SIHB6N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHB6N65E-GE3 1.9200
RFQ
 ECAD 7900 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB6 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRF9520PBF Vishay Siliconix IRF9520PBF 1.2900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9520PBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 60W (TC)
SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4427BDY-T1-E3 1.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4427 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9.7A (TA) 2.5V, 10V 10.5mohm @ 12.6a, 10V 1.4V @ 250µA 70 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
SI6968BEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6968BEDQ-T1-E3 1.3900
RFQ
 ECAD 292 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6968 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 5.2A 22mohm @ 6.5a, 4.5v 1.6V @ 250µA 18NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRF720PBF Vishay Siliconix IRF720PBF 1.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF720 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF720PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 3.3A (TC) 10V 1.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 25 v - 50W (TC)
SI4403BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4403BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1996 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4403 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 7.3A (TA) 1.8V, 4.5V 17mohm @ 9.9a, 4.5v 1V @ 350µA 50 nc @ 5 v ± 8V - 1.35W (TA)
SI8424CDB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8424CDB-T1-E1 0.6200
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP SI8424 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 6.3A (TA) 1.2V, 4.5V 20mohm @ 2a, 4.5v 800MV @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 5V 2340 pf @ 4 v - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
SI1070X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1070X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1268 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1070 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.2A (TA) 2.5V, 4.5V 99mohm @ 1.2a, 4.5v 1.55V @ 250µA 8.3 NC @ 5 v ± 12V 385 pf @ 15 v - 236MW (TA)
SI5948DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5948DU-T1-GE3 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® Chipfet Dual SI5948 MOSFET (금속 (() 7W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 6A (TC) 82mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 2.6NC @ 4.5V 165pf @ 20V -
SI1433DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1433DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3152 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1433 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.2a, 10V 3V @ 100µa 5 nc @ 4.5 v ± 20V - 950MW (TA)
SIHU3N50D-GE3 Vishay Siliconix sihu3n50d-ge3 0.3532
RFQ
 ECAD 7013 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA sihu3 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 30V 175 pf @ 100 v - 69W (TC)
SQ4435EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4435EY-T1_BE3 1.4400
RFQ
 ECAD 8199 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 742-sq4435ey-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 15A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 2170 pf @ 15 v - 6.8W (TC)
SI7905DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7905DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2854 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7905 MOSFET (금속 (() 20.8W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 40V 6A 60mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 30NC @ 10V 880pf @ 20V -
SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7113ADN-T1-GE3 0.6600
RFQ
 ECAD 4156 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7113 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 10.8A (TC) 4.5V, 10V 132mohm @ 3.8a, 10V 2.6V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 515 pf @ 50 v - 27.8W (TC)
SI3440DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3440DV-T1-GE3 1.5200
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3440 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 1.2A (TA) 6V, 10V 375mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8800EDB-T2-E1 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8800 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.5V, 4.5V 80mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 8.3 NC @ 8 v ± 8V - 500MW (TA)
SIHFBE30S-GE3 Vishay Siliconix SIHFBE30S-GE3 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 742-SIHFBE30S-GE3DKR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI3456BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3456BDV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2013 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3456 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V - 1.1W (TA)
SQJ481EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_BE3 1.0000
RFQ
 ECAD 3518 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj481ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 16A (TC) 4.5V, 10V 80mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 45W (TC)
SIHG33N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 4.4659
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG33 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 32.4A (TC) 10V 105mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 173 NC @ 10 v ± 30V 4040 pf @ 100 v - 313W (TC)
SIR188LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir188LDP-T1-RE3 1.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-SIR188LDP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25.8A (TA), 93.6A (TC) 4.5V, 10V 3.75mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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