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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
SI4823DY-T1-E3	-	RFQ	4254	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4823	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	4.1A (TC)	2.5V, 4.5V	108mohm @ 3.3a, 4.5v	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 12V	660 pf @ 10 v	Schottky 분리 (다이오드)	1.7W (TA), 2.8W (TC)
2N4119A-E3	-	RFQ	9201	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AF, TO-72-4 금속 캔	2N4119		300MW	TO-206AF (TO-72)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	200		n 채널								3pf @ 10V			40 v	200 µa @ 10 v	2 v @ 1 na
IRFP22N60C3PBF	-	RFQ	9026	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP22	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFP22N60C3PBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	650 v	22A (TA)		-	-				-	-
SIHB30N60ALE-GE3	5.9500	RFQ	18	Vishay Siliconix	엘자	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB30	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	28A (TC)	10V	120mohm @ 15a, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 30V	2565 pf @ 100 v	-	250W (TC)
SI7464DP-T1-GE3	1.8900	RFQ	8218	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7464	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	1.8A (TA)	6V, 10V	240mohm @ 2.8a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V		-	1.8W (TA)
Sir642DP-T1-GE3	-	RFQ	4415	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir642	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	60A (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	84 NC @ 10 v	± 20V	4155 pf @ 20 v	-	4.8W (TA), 41.7W (TC)
SI3407DV-T1-E3	-	RFQ	7620	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3407	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	8A (TC)	2.5V, 4.5V	24mohm @ 7.5a, 4.5v	1.5V @ 250µA	63 NC @ 10 v	± 12V	1670 pf @ 10 v	-	2W (TA), 4.2W (TC)
SI3483CDV-T1-GE3	1.0000	RFQ	94	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3483	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	8A (TC)	4.5V, 10V	34mohm @ 6.1a, 10V	3V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1000 pf @ 15 v	-	2W (TA), 4.2W (TC)
IRF840APBF-BE3	1.9400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF840	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	-		1 (무제한)		742-IRF840APBF-BE3	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 30V	1018 pf @ 25 v	-	125W (TC)
SI5513DC-T1-GE3	-	RFQ	7782	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5513	MOSFET (금속 (()	1.1W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	3.1a, 2.1a		75mohm @ 3.1a, 4.5v	1.5V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI7620DN-T1-GE3	-	RFQ	9098	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7620	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	150 v	13A (TC)	10V	126mohm @ 3.6a, 10V	4.5V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	600 pf @ 75 v	-	3.8W (TA), 5.2W (TC)
IRF520STRR	-	RFQ	4252	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF520	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	9.2A (TC)	10V	270mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	16 nc @ 10 v	± 20V	360 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 60W (TC)
SIE818DF-T1-GE3	1.9970	RFQ	1947	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-Polarpak® (L)	SIE818	MOSFET (금속 (()		10-Polarpak® (L)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	75 v	60A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 16a, 10V	3V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	3200 pf @ 38 v	-	5.2W (TA), 125W (TC)
IRFPC50	-	RFQ	8089	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFPC50	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	600 v	11A (TC)	10V	600mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 v	± 20V	2700 pf @ 25 v	-	180W (TC)
SI4823DY-T1-GE3	-	RFQ	4938	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4823	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	4.1A (TC)	2.5V, 4.5V	108mohm @ 3.3a, 4.5v	1.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 12V	660 pf @ 10 v	Schottky 분리 (다이오드)	1.7W (TA), 2.8W (TC)
IRFBC40APBF	2.4900	RFQ	496	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFBC40APBF	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	6.2A (TC)	10V	1.2ohm @ 3.7a, 10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 30V	1036 pf @ 25 v	-	125W (TC)
SI1405DL-T1-GE3	-	RFQ	9382	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1405	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	8 v	1.6A (TA)	1.8V, 4.5V	125mohm @ 1.8a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	7 NC @ 4.5 v	± 8V		-	568MW (TA)
SI5935CDC-T1-E3	0.5500	RFQ	4958	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5935	MOSFET (금속 (()	3.1W	1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	4a		100mohm @ 3.1a, 4.5v	1V @ 250µA	11nc @ 5v		455pf @ 10V	-
SQP90142E_GE3	-	RFQ	4880	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SQP90142	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	200 v	78.5A (TC)	10V	15.3MOHM @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	85 NC @ 10 v	± 20V	4200 pf @ 25 v	-	250W (TC)
IRFBG30	-	RFQ	3844	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFBG30	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFBG30	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	1000 v	3.1A (TC)	10V	5ohm @ 1.9a, 10V	4V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 20V	980 pf @ 25 v	-	125W (TC)
SI4850EY-T1-GE3	1.7700	RFQ	558	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4850	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	6A (TA)	4.5V, 10V	22mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	27 NC @ 10 v	± 20V		-	1.7W (TA)
SIHB16N50C-E3	6.4600	RFQ	947	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB16	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	16A (TC)	10V	380mohm @ 8a, 10V	5V @ 250µA	68 NC @ 10 v	± 30V	1900 pf @ 25 v	-	250W (TC)
2N4117A	-	RFQ	8102	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AF, TO-72-4 금속 캔	2N4117		300MW	TO-206AF (TO-72)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	200		n 채널								3pf @ 10V			40 v	30 µa @ 10 v	600 MV @ 1 NA
SI2307CDS-T1-BE3	0.5100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2307	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	2.7A (TA), 3.5A (TC)	4.5V, 10V	88mohm @ 3.5a, 10V	3V @ 250µA	6.2 NC @ 4.5 v	± 20V	340 pf @ 15 v	-	1.1W (TA), 1.8W (TC)
SUP70060E-GE3	2.0800	RFQ	4366	Vishay Siliconix	Thunderfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	sup70060	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	131A (TC)	7.5V, 10V	5.8mohm @ 30a, 10V	4V @ 250µA	81 NC @ 10 v	± 20V	3330 pf @ 50 v	-	200W (TC)
SI4947ADY-T1-GE3	-	RFQ	6959	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4947	MOSFET (금속 (()	1.2W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		30V	3A		80mohm @ 3.9a, 10V	1V @ 250µA (Min)	8NC @ 5V		-	논리 논리 게이트
SI5401DC-T1-GE3	-	RFQ	3490	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	SI5401	MOSFET (금속 (()		1206-8 Chipfet ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5.2A (TA)	1.8V, 4.5V	32mohm @ 5.2a, 4.5v	1V @ 250µA	25 nc @ 4.5 v	± 8V		-	1.3W (TA)
SQM40020E_GE3	2.4400	RFQ	5592	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SQM40020	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	40 v	100A (TC)	10V	2.33MOHM @ 20A, 10V	3.5V @ 250µA	130 NC @ 10 v	± 20V	8000 pf @ 25 v	-	150W (TC)
SIHF18N50C-E3	-	RFQ	9628	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHF18	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	18A (TC)	10V	270mohm @ 10a, 10V	5V @ 250µA	76 NC @ 10 v	± 30V	2942 pf @ 25 v	-	38W (TC)
SIHF18N50D-E3	2.9100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHF18	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	18A (TC)	10V	280mohm @ 9a, 10V	5V @ 250µA	76 NC @ 10 v	± 30V	1500 pf @ 100 v	-	39W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²