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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
SISA34DN-T1-GE3	0.5500	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SISA34	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	40A (TC)	4.5V, 10V	6.7mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	12 nc @ 4.5 v	+20V, -16V	1100 pf @ 15 v	-	20.8W (TC)
siha11n80e-ge3	3.5400	RFQ	1	Vishay Siliconix	이자형	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	SIHA11	MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	800 v	12A (TC)	10V	440mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	88 NC @ 10 v	± 30V	1670 pf @ 100 v	-	34W (TC)
sqr40030er_ge3	1.5700	RFQ	9416	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-252-4, DPAK (3 리드 + 탭)	SQR40030			TO-252 (DPAK) 리버스 리드	-		1 (무제한)				0000.00.0000	2,000				-
SI7540ADP-T1-GE3	1.7500	RFQ	574	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7540	-	3.5W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	12a, 9a		28mohm @ 12a, 10V	1.4V @ 250µA	48NC @ 10V		1310pf @ 10V	-
SIE726DF-T1-GE3	-	RFQ	8611	Vishay Siliconix	Skyfet®, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-Polarpak® (L)	SIE726	MOSFET (금속 (()		10-Polarpak® (L)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 25a, 10V	3V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	7400 pf @ 15 v	-	5.2W (TA), 125W (TC)
SI3483CDV-T1-E3	1.0000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3483	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	8A (TC)	10V	34mohm @ 6.1a, 10V	3V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1000 pf @ 15 v	-	2W (TA), 4.2W (TC)
SQJ403BEEP-T1_BE3	1.6000	RFQ	7997	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-sqj403beep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	30A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	164 NC @ 10 v	± 20V		-	68W (TC)
SI4435DDY-T1-GE3	0.7500	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4435	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	11.4A (TC)	4.5V, 10V	24mohm @ 9.1a, 10V	3V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 20V	1350 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 5W (TC)
SI7322DN-T1-GE3	1.7200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7322	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	18A (TC)	10V	58mohm @ 5.5a, 10V	4.4V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 20V	750 pf @ 50 v	-	3.8W (TA), 52W (TC)
SUM110P08-11-E3	-	RFQ	5642	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SUM110	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	80 v	110A (TC)	10V	11.1MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	280 nc @ 10 v	± 20V	11500 pf @ 40 v	-	13.6W (TA), 375W (TC)
SIJ188DP-T1-GE3	1.5600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIJ188	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	25.5A (TA), 92.4A (TC)	7.5V, 10V	3.85mohm @ 10a, 10V	3.6V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	1920 pf @ 30 v	-	5W (TA), 65.7W (TC)
SIHA12N60E-GE3	2.5300	RFQ	1575	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드		1 (무제한)		742-SIHA12N60E-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	12A (TC)	10V	380mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 v	± 30V	937 pf @ 100 v	-	33W (TC)
SIDR5802EP-T1-RE3	2.8700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIDR5802	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	34.2A (TA), 153A (TC)	7.5V, 10V	2.9mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	3020 pf @ 40 v	-	7.5W (TA), 150W (TC)
IRFP150	-	RFQ	7219	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP150	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFP150	귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	100 v	41A (TC)	10V	55mohm @ 25a, 10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 v	± 20V	2800 pf @ 25 v	-	230W (TC)
SI1553DL-T1-GE3	-	RFQ	7147	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1553	MOSFET (금속 (()	270MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	660ma, 410ma		385mohm @ 660ma, 4.5v	600MV @ 250µa (최소)	1.2NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI4916DY-T1-E3	-	RFQ	8390	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4916	MOSFET (금속 (()	3.3W, 3.5W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널 교량)		30V	10a, 10.5a		18mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
irf610strlpbf	1.7300	RFQ	677	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF610	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	3.3A (TC)	10V	1.5ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 25 v	-	3W (TA), 36W (TC)
IRF740BPBF	1.4900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF740	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	400 v	10A (TC)	10V	600mohm @ 5a, 10V	5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 30V	526 pf @ 100 v	-	147W (TC)
SQD50P08-28-T4_GE3	0.6985	RFQ	7852	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD50	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-sqd50p08-28-t4_ge3tr	귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	80 v	48A (TC)	10V	28mohm @ 12.5a, 10V	3.5V @ 250µA	145 NC @ 10 v	± 20V	6035 pf @ 25 v	-	136W (TC)
SIRC16DP-T1-RE3	1.3600	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8		MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-SIRC16DP-T1-RE3TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	25 v	57A (TA), 60A (TC)	4.5V, 10V	0.96mohm @ 15a, 10V	2.4V @ 250µA	105 NC @ 10 v	+20V, -16V	5150 pf @ 10 v	Schottky Diode (Body)	5W (TA), 54.3W (TC)
SI7611DN-T1-GE3	1.6400	RFQ	3561	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7611	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	40 v	18A (TC)	4.5V, 10V	25mohm @ 9.3a, 10V	3V @ 250µA	62 NC @ 10 v	± 20V	1980 PF @ 20 v	-	3.7W (TA), 39W (TC)
SI7232DN-T1-GE3	0.9100	RFQ	8529	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SI7232	MOSFET (금속 (()	23W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	25A		16.4mohm @ 10a, 4.5v	1V @ 250µA	32NC @ 8V		1220pf @ 10V	논리 논리 게이트
SI4488DY-T1-E3	2.2500	RFQ	983	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4488	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	150 v	3.5A (TA)	10V	50mohm @ 5a, 10V	2V @ 250µA (Min)	36 nc @ 10 v	± 20V		-	1.56W (TA)
SI7138DP-T1-E3	-	RFQ	6191	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7138	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	30A (TC)	6V, 10V	7.8mohm @ 19.7a, 10V	4V @ 250µA	135 NC @ 10 v	± 20V	6900 pf @ 30 v	-	5.4W (TA), 96W (TC)
irfr430atrrpbf	-	RFQ	7783	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR430	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	500 v	5A (TC)	10V	1.7ohm @ 3a, 10V	4.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 30V	490 pf @ 25 v	-	110W (TC)
SI3911DV-T1-E3	-	RFQ	5753	Vishay Siliconix	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3911	MOSFET (금속 (()	830MW	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	1.8a		145mohm @ 2.2a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	7.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SI1028X-T1-GE3	-	RFQ	3803	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1028	MOSFET (금속 (()	220MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	-		650mohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	2NC @ 10V		16pf @ 15V	논리 논리 게이트
SST5462-T1-E3	-	RFQ	8004	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SST5462		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널								7pf @ 15V			40 v	4 ma @ 15 v	1.8 V @ 1 µA
SI1033X-T1-GE3	-	RFQ	9858	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1033	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	145ma		8ohm @ 150ma, 4.5v	1.2V @ 250µA	1.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
sqjb00ep-t1_be3	1.3100	RFQ	5243	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJB00	MOSFET (금속 (()	48W (TC)	PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)		742-sqjb00ep-t1_be3tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	30A (TC)		13mohm @ 10a, 10V	3.5V @ 250µA	35NC @ 10V		1700pf @ 25V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²