SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRLZ14L Vishay Siliconix IRLZ14L -
RFQ
ECAD 1494 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRLZ14 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ14L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRLR110TRR Vishay Siliconix IRLR110trr -
RFQ
ECAD 6708 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5v 2V @ 250µA 6.1 NC @ 5 v ± 10V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQ2360EES-T1-GE3 Vishay Siliconix SQ2360EES-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4081 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2360 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 4.4A (TC) 85mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v 370 pf @ 25 v -
SQJ416EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj416ep-t1_ge3 0.9800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ416 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 27A (TC) 10V 30mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 45W (TC)
SQJ454EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ454EP-T1_GE3 1.3100
RFQ
ECAD 6267 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ454 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 13A (TC) 4.5V, 10V 145mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRFP21N60L Vishay Siliconix IRFP21N60L -
RFQ
ECAD 9884 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP21 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 320mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 30V 4000 pf @ 25 v - 330W (TC)
IRFZ44STRLPBF Vishay Siliconix IRFZ44STRLPBF 2.7800
RFQ
ECAD 754 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SIHP11N80E-BE3 Vishay Siliconix SIHP11N80E-BE3 3.5300
RFQ
ECAD 916 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 440mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 30V 1670 pf @ 100 v - 179W (TC)
SIHD7N60E-E3 Vishay Siliconix SIHD7N60E-E3 0.9185
RFQ
ECAD 7786 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 100 v - 78W (TC)
SI3473CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3473CDV-T1-E3 0.7100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3473 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 8.1a, 4.5v 1V @ 250µA 65 NC @ 8 v ± 8V 2010 pf @ 6 v - 4.2W (TC)
SUD50P04-13L-E3 Vishay Siliconix SUD50P04-13L-E3 -
RFQ
ECAD 2282 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3120 pf @ 25 v - 3W (TA), 93.7W (TC)
SI4952DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4952DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8181 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4952 MOSFET (금속 (() 2.8W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 25V 8a 23mohm @ 7a, 10V 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V 680pf @ 13v 논리 논리 게이트
SIR418DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir418dp-t1-ge3 1.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir418 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 20 v - 39W (TC)
IRF620S Vishay Siliconix IRF620S -
RFQ
ECAD 6739 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF620S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 3W (TA), 50W (TC)
SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRC04DP-T1-GE3 1.6600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIRC04 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.45mohm @ 15a, 10V 2.1V @ 250µA 56 NC @ 10 v +20V, -16V 2850 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 50W (TC)
SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7956DP-T1-GE3 3.1700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7956 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 150V 2.6a 105mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 26NC @ 10V - 논리 논리 게이트
IRFB9N30A Vishay Siliconix IRFB9N30A -
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB9N30A 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 9.3A (TC) 10V 450mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 920 pf @ 25 v - 96W (TC)
2N5115 Vishay Siliconix 2N5115 -
RFQ
ECAD 4657 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5115 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 - -
SIHG24N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG24N65E-GE3 6.1200
RFQ
ECAD 7377 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG24 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
SIHP240N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP240N60E-GE3 2.9700
RFQ
ECAD 419 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP240 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 240mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 795 pf @ 100 v - 78W (TC)
SI7635DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7635DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8467 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7635 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 26a, 10V 2.2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 16V 4595 pf @ 10 v - 5W (TA), 54W (TC)
IRFZ44S Vishay Siliconix IRFZ44S -
RFQ
ECAD 9097 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ44S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
SI7409ADN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7409ADN-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6256 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7409 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7A (TA) 2.5V, 4.5V 19mohm @ 11a, 4.5v 1.5V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
SUP70N03-09BP-E3 Vishay Siliconix SUP70N03-09BP-E3 -
RFQ
ECAD 2489 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup70 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 19 NC @ 5 v ± 20V 1500 pf @ 25 v - 93W (TC)
SUD08P06-155L-T4E3 Vishay Siliconix SUD08P06-155L-T4E3 -
RFQ
ECAD 1129 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD08 MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 8.4A (TC) 4.5V, 10V 155mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 1.7W (TA), 20.8W (TC)
SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS468DN-T1-GE3 1.3200
RFQ
ECAD 8633 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS468 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 30A (TC) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 780 pf @ 40 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix 2N7002K-T1-E3 0.2900
RFQ
ECAD 986 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 350MW (TA)
SIA406DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA406DJ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9002 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA406 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 4.5A (TC) 1.8V, 4.5V 19.8mohm @ 10.8a, 4.5v 1V @ 250µA 23 nc @ 5 v ± 8V 1380 pf @ 6 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
2N4860JTXV02 Vishay Siliconix 2N4860JTXV02 -
RFQ
ECAD 2023 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4860 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SI2301BDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2301BDS-T1-E3 0.4600
RFQ
ECAD 64 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2301 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.2A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2.8a, 4.5v 950MV @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 375 pf @ 6 v - 700MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고