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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id
irf610strl	-	RFQ	7832	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF610	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	3.3A (TC)	10V	1.5ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 25 v	-	3W (TA), 36W (TC)
SIHB21N65EF-GE3	5.0800	RFQ	351	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB21	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	650 v	21A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	106 NC @ 10 v	± 30V	2322 pf @ 100 v	-	208W (TC)
SIDR626DP-T1-GE3	2.8400	RFQ	141	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIDR626	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8DC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	42.8A (TA), 100A (TC)	6V, 10V	1.7mohm @ 20a, 10V	3.4V @ 250µA	102 NC @ 10 v	± 20V	5130 pf @ 30 v	-	6.25W (TA), 125W (TC)
SIHP8N50D-E3	1.7300	RFQ	6384	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP8	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	8.7A (TC)	10V	850mohm @ 4a, 10V	5V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 30V	527 pf @ 100 v	-	156W (TC)
SIHA14N60E-GE3	2.3700	RFQ	6111	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		MOSFET (금속 (()		TO-220 팩 풀	다운로드		1 (무제한)		742-SIHA14N60E-GE3TR	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	13A (TC)	10V	309mohm @ 7a, 10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 v	± 30V	1205 pf @ 100 v	-	147W (TC)
SI3495DV-T1-GE3	-	RFQ	7465	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3495	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	5.3A (TA)	1.5V, 4.5V	24mohm @ 7a, 4.5v	750MV @ 250µA	38 NC @ 4.5 v	± 5V		-	1.1W (TA)
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SIHB22N60ET1-GE3	3.5600	RFQ	9622	Vishay Siliconix	이자형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SIHB22	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	600 v	21A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 v	± 30V	1920 pf @ 100 v	-	227W (TC)
IRFPS37N50APBF	-	RFQ	8060	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-274AA	IRFPS37	MOSFET (금속 (()		Super-247 ™ (TO-274AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFPS37N50APBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	500 v	36A (TC)	10V	130mohm @ 22a, 10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 v	± 30V	5579 pf @ 25 v	-	446W (TC)
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SIRC06DP-T1-GE3	0.3733	RFQ	8732	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SIRC06	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	32A (TA), 60A (TC)	4.5V, 10V	2.7mohm @ 15a, 10V	2.1V @ 250µA	58 NC @ 10 v	+20V, -16V	2455 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	5W (TA), 50W (TC)
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SI4310BDY-T1-E3	-	RFQ	6530	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4310	MOSFET (금속 (()	1.14W, 1.47W	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	7.5A, 9.8A		11mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	18NC @ 4.5V		2370pf @ 15V	논리 논리 게이트
2N4117A-2	-	RFQ	6504	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AF, TO-72-4 금속 캔	2N4117		300MW	TO-206AF (TO-72)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	20		n 채널								3pf @ 10V			40 v	30 µa @ 10 v	600 MV @ 1 NA
IRFD024	-	RFQ	2288	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFD024	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		*IRFD024	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	2.5A (TA)	10V	100mohm @ 1.5a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	1.3W (TA)
SIE836DF-T1-E3	-	RFQ	8315	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-Polarpak® (SH)	SIE836	MOSFET (금속 (()		10-Polarpak® (SH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	200 v	18.3A (TC)	10V	130mohm @ 4.1a, 10V	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 v	± 30V	1200 pf @ 100 v	-	5.2W (TA), 104W (TC)
SI1072X-T1-E3	-	RFQ	7584	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1072	MOSFET (금속 (()		SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	1.3A (TA)	4.5V, 10V	93mohm @ 1.3a, 10V	3V @ 250µA	8.3 NC @ 10 v	± 20V	280 pf @ 15 v	-	236MW (TA)
sir5623dp-t1-Re3	1.7100	RFQ	4432	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir5623	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	10.5A (TA), 37.1A (TC)	4.5V, 10V	24mohm @ 10a, 10V	2.6V @ 250µA	33 NC @ 10 v	± 20V	1575 pf @ 30 v	-	4.8W (TA), 59.5W (TC)
irf630strl	-	RFQ	2493	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF630	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	9A (TC)	10V	400mohm @ 5.4a, 10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 v	± 20V	800 pf @ 25 v	-	3W (TA), 74W (TC)
SIS698DN-T1-GE3	0.3045	RFQ	2231	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS698	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	6.9A (TC)	6V, 10V	195mohm @ 2.5a, 10V	3.5V @ 250µA	8 nc @ 10 v	± 20V	210 pf @ 50 v	-	19.8W (TC)
SIS334DN-T1-GE3	-	RFQ	4068	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SIS334	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	20A (TC)	4.5V, 10V	11.3MOHM @ 10A, 10V	2.4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 15 v	-	3.8W (TA), 50W (TC)
SI1551DL-T1-E3	-	RFQ	5875	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1551	MOSFET (금속 (()	270MW	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 및 p 채널		20V	290ma, 410ma		1.9ohm @ 290ma, 4.5v	1.5V @ 250µA	1.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
IRC830pbf	-	RFQ	2530	Vishay Siliconix	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-5	IRC830	MOSFET (금속 (()		TO-220-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRC830pbf	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	4.5A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.7a, 10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	610 pf @ 25 v	현재 현재	74W (TC)
IRFZ14STRLPBF	0.9500	RFQ	9473	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFZ14	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	10A (TC)	10V	200mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 v	± 20V	300 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
sir436dp-t1-ge3	-	RFQ	3112	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	sir436	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	25 v	40A (TC)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	47 NC @ 10 v	± 20V	1715 pf @ 15 v	-	5W (TA), 50W (TC)
SI6993DQ-T1-E3	-	RFQ	4104	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6993	MOSFET (금속 (()	830MW	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		30V	3.6a		31mohm @ 4.7a, 10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
SUP85N04-03-E3	-	RFQ	2150	Vishay Siliconix	Trenchfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	sup85	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	40 v	85A (TC)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 30a, 10V	3V @ 250µA	250 nc @ 10 v	± 20V	6860 pf @ 25 v	-	3.75W (TA), 250W (TC)
SI6473DQ-T1-E3	-	RFQ	2730	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	SI6473	MOSFET (금속 (()		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	6.2A (TA)	1.8V, 4.5V	12.5mohm @ 9.5a, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	70 nc @ 5 v	± 8V		-	1.08W (TA)
SI3853DV-T1-E3	-	RFQ	8860	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3853	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	1.6A (TA)	2.5V, 4.5V	200mohm @ 1.8a, 4.5v	500MV @ 250µA (최소)	4 NC @ 4.5 v	± 12V		Schottky 분리 (다이오드)	830MW (TA)
SIA411DJ-T1-GE3	-	RFQ	7128	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA411	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	12A (TC)	1.5V, 4.5V	30mohm @ 5.9a, 4.5v	1V @ 250µA	38 NC @ 8 v	± 8V	1200 pf @ 10 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²