| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI1303DL-T1-GE3 | - | ![]() | 1080 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | SI1303 | MOSFET(금속) | SC-70-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 670mA(타) | 2.5V, 4.5V | 430m옴 @ 1A, 4.5V | 250μA에서 1.4V | 2.2nC @ 4.5V | ±12V | - | 290mW(타) | |||||
![]() | SQ4840EY-T1_BE3 | 3.3100 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | SQ4840 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | - | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 20.7A(Tc) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 14A, 10V | 2.5V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±20V | 2440pF @ 20V | - | 7.1W(Tc) | ||||||
![]() | SI4925BDY-T1-GE3 | 1.7000 | ![]() | 1623년 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | SI4925 | MOSFET(금속) | 1.1W | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P채널(듀얼) | 30V | 5.3A | 25m옴 @ 7.1A, 10V | 3V @ 250μA | 50nC @ 10V | - | 게임 레벨 레벨 | |||||||
![]() | SI5441DC-T1-GE3 | - | ![]() | 2909 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SMD, 플랫 리드 | SI5441 | MOSFET(금속) | 1206-8 ChipFET™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 3.9A(타) | 2.5V, 4.5V | 55m옴 @ 3.9A, 4.5V | 250μA에서 1.4V | 22nC @ 4.5V | ±12V | - | 1.3W(타) | |||||
![]() | SI3529DV-T1-E3 | - | ![]() | 2037년 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | SI3529 | MOSFET(금속) | 1.4W | 6-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N 및 P 채널 | 40V | 2.5A, 1.95A | 125m옴 @ 2.2A, 10V | 3V @ 250μA | 7nC @ 10V | 205pF @ 20V | 게임 레벨 레벨 | ||||||
![]() | SUM70042E-GE3 | 2.9900 | ![]() | 1291 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | 조각 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263(D²Pak) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 742-SUM70042E-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 150A(Tc) | 7.5V, 10V | 4m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±20V | 50V에서 6490pF | - | 278W(Tc) | |||||
![]() | SIRA50DP-T1-RE3 | 1.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® Gen IV | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 | 시라50 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 62.5A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 1m옴 @ 20A, 10V | 2.2V @ 250μA | 194nC @ 10V | +20V, -16V | 20V에서 8445pF | - | 6.25W(Ta), 100W(Tc) | |||||
![]() | SI7852DP-T1-E3 | 2.5000 | ![]() | 7609 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 | SI7852 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 80V | 7.6A(타) | 6V, 10V | 16.5m옴 @ 10A, 10V | 2V @ 250μA(최소) | 41nC @ 10V | ±20V | - | 1.9W(타) | ||||||
![]() | SIHH150N60E-T1-GE3 | 5.3800 | ![]() | 6149 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 이자형 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | SIHH150 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 8x8 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 600V | 19A(TC) | 10V | 155m옴 @ 10A, 10V | 5V @ 250μA | 36nC @ 10V | ±30V | 100V에서 1514pF | - | 156W(Tc) | ||||||
![]() | SIRB40DP-T1-GE3 | 1.4000 | ![]() | 2477 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 듀얼 | SIRB40 | MOSFET(금속) | 46.2W | PowerPAK® SO-8 듀얼 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 40V | 40A(Tc) | 3.25m옴 @ 10A, 10V | 2.4V @ 250μA | 45nC @ 4.5V | 4290pF @ 20V | - | |||||||
![]() | SQJ444EP-T1_BE3 | 1.3300 | ![]() | 9631 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SO-8 | 다운로드 | 1(무제한) | 742-SQJ444EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 60A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.2m옴 @ 10A, 10V | 2.5V @ 250μA | 80nC @ 10V | ±20V | 25V에서 5000pF | - | 68W(Tc) | ||||||
![]() | SIHA12N60E-GE3 | 2.5300 | ![]() | 1575년 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220 풀팩 | 다운로드 | 1(무제한) | 742-SIHA12N60E-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 12A(TC) | 10V | 380m옴 @ 6A, 10V | 4V @ 250μA | 58nC @ 10V | ±30V | 100V에서 937pF | - | 33W(Tc) | ||||||
![]() | SQ2351CES-T1_GE3 | - | ![]() | 3292 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3(TO-236) | - | ROHS3 준수 | 742-SQ2351CES-T1_GE3TR | 1 | P채널 | 20V | 3.2A(Tc) | 2.5V, 4.5V | 115m옴 @ 2.4A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 5.5nC @ 4.5V | ±12V | 10V에서 330pF | - | 2W(Tc) | ||||||||
![]() | IRFR9014TRPBF-BE3 | 1.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET(금속) | TO-252AA | - | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P채널 | 60V | 5.1A(Tc) | 10V | 500m옴 @ 3.1A, 10V | 4V @ 250μA | 12nC @ 10V | ±20V | 270pF @ 25V | - | 2.5W(Ta), 25W(Tc) | ||||||
![]() | SIA112LDJ-T1-GE3 | 0.7100 | ![]() | 5351 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SC-70-6 | SIA112 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SC-70-6 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 3.5A(Ta), 8.8A(Tc) | 4.5V, 10V | 14m옴 @ 10A, 10V | 2.5V @ 250μA | 11.8nC @ 10V | ±25V | 50V에서 355pF | - | 2.9W(Ta), 15.6W(Tc) | ||||||
![]() | SIHB24N65EF-GE3 | 6.0100 | ![]() | 6909 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB24 | MOSFET(금속) | TO-263(D²Pak) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 24A(TC) | 10V | 156m옴 @ 12A, 10V | 4V @ 250μA | 122nC @ 10V | ±30V | 100V에서 2774pF | - | 250W(Tc) | |||||
![]() | SIHA21N65EF-E3 | 2.4652 | ![]() | 4086 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 시하21 | MOSFET(금속) | TO-220 풀팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 21A(TC) | 10V | 180m옴 @ 11A, 10V | 4V @ 250μA | 106nC @ 10V | ±30V | 100V에서 2322pF | - | 35W(Tc) | |||||
![]() | SISS61DN-T1-GE3 | 0.9900 | ![]() | 1425 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® Gen III | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8S | SISS61 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 30.9A(Ta), 111.9A(Tc) | 1.8V, 4.5V | 3.5m옴 @ 15A, 4.5V | 250μA에서 900mV | 231nC @ 10V | ±8V | 10V에서 8740pF | - | 5W(Ta), 65.8W(Tc) | |||||
![]() | SISH615ADN-T1-GE3 | 0.5900 | ![]() | 1613 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® Gen III | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8SH | SISH615 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8SH | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 22.1A(Ta), 35A(Tc) | 2.5V, 10V | 4.4m옴 @ 20A, 10V | 250μA에서 1.5V | 183nC @ 10V | ±12V | 5590pF @ 10V | - | 3.7W(Ta), 52W(Tc) | |||||
![]() | SQD40020EL_GE3 | 1.6500 | ![]() | 1060 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | SQD40020 | MOSFET(금속) | TO-252AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 40V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.2m옴 @ 20A, 10V | 2.2V @ 250μA | 165nC @ 20V | ±20V | 8800pF @ 25V | - | 107W(Tc) | |||||
| IRFBG30PBF | 2.5600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRFBG30 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | *IRFBG30PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 1000V | 3.1A(Tc) | 10V | 5옴 @ 1.9A, 10V | 4V @ 250μA | 80nC @ 10V | ±20V | 980pF @ 25V | - | 125W(Tc) | |||||
![]() | SQJA46EP-T1_GE3 | 1.1500 | ![]() | 9232 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 | SQJA46 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 60A(Tc) | 10V | 3m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 3.5V | 105nC @ 10V | ±20V | 25V에서 5000pF | - | 68W(Tc) | |||||
![]() | SQS460EN-T1_GE3 | 1.2900 | ![]() | 8676 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8 | SQS460 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 8A(TC) | 4.5V, 10V | 36m옴 @ 5.3A, 10V | 2.5V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±20V | 25V에서 755pF | - | 39W(Tc) | |||||
![]() | IRFP26N60LPBF | 10.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IRFP26 | MOSFET(금속) | TO-247AC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | *IRFP26N60LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N채널 | 600V | 26A(TC) | 10V | 250m옴 @ 16A, 10V | 5V @ 250μA | 180nC @ 10V | ±30V | 5020pF @ 25V | - | 470W(Tc) | ||||
![]() | 시후3N50DA-GE3 | 0.3532 | ![]() | 1524 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 긴 리드, IPak, TO-251AB | 시후3 | MOSFET(금속) | IPAK(TO-251) | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 500V | 3A(TC) | 10V | 3.2옴 @ 1.5A, 10V | 250μA에서 4.5V | 12nC @ 10V | ±30V | 100V에서 177pF | - | 69W(Tc) | ||||||
![]() | SI4947ADY-T1-GE3 | - | ![]() | 6959 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | SI4947 | MOSFET(금속) | 1.2W | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P채널(듀얼) | 30V | 3A | 80m옴 @ 3.9A, 10V | 1V @ 250μA(최소) | 8nC @ 5V | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||
![]() | IRFP9140 | - | ![]() | 6074 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IRFP9140 | MOSFET(금속) | TO-247AC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRFP9140 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | P채널 | 100V | 21A(TC) | 10V | 200m옴 @ 13A, 10V | 4V @ 250μA | 61nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1400pF | - | 180W(Tc) | |||
![]() | SI8806DB-T2-E1 | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-XFBGA | SI8806 | MOSFET(금속) | 4-마이크로피트 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 12V | 2.8A(타) | 1.8V, 4.5V | 43m옴 @ 1A, 4.5V | 1V @ 250μA | 17nC @ 8V | ±8V | - | 500mW(타) | |||||
![]() | SI3443DDV-T1-GE3 | 0.4300 | ![]() | 6970 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | SI3443 | MOSFET(금속) | 6-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 4A(Ta), 5.3A(Tc) | 2.5V, 4.5V | 47m옴 @ 4.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 30nC @ 8V | ±12V | 970pF @ 10V | - | 1.7W(Ta), 2.7W(Tc) | |||||
![]() | SIA441DJ-T1-GE3 | 0.6900 | ![]() | 103 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SC-70-6 | SIA441 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SC-70-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 40V | 12A(TC) | 4.5V, 10V | 47m옴 @ 4.4A, 10V | 2.2V @ 250μA | 35nC @ 10V | ±20V | 20V에서 890pF | - | 19W(Tc) |

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