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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
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 | 2N7002E-T1-E3 | 0.6400 | | 1582 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 240MA (TA) | 4.5V, 10V | 3ohm @ 250ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 0.6 nc @ 4.5 v | ± 20V | 21 pf @ 5 v | - | 350MW (TA) | ||||
 | sup90100e-ge3 | 3.6300 | | 7058 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SUP90100E-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 200 v | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 10.9mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3930 pf @ 100 v | - | 375W (TC) | |||||
| IRF820LPBF | 0.8983 | | 4248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF820 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF820LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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