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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
V30432-T1-GE3	-	RFQ	3590	Vishay Siliconix	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				v30432				-	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모 쓸모	0000.00.0000	3,000
SI4804BDY-T1-E3	-	RFQ	8729	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4804	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a, 10V	3V @ 250µA	11nc @ 4.5v		-	논리 논리 게이트
vq1001p	-	RFQ	1852	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	-	VQ1001	MOSFET (금속 (()	2W	14-DIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25	4 n 채널		30V	830ma		1.75ohm @ 200ma, 5V	2.5V @ 1mA	-		110pf @ 15V	논리 논리 게이트
IRFR024	-	RFQ	8624	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR024	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFR024	귀 99	8541.29.0095	75		n 채널	60 v	14A (TC)	10V	100mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI4925BDY-T1-GE3	1.7000	RFQ	1623	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4925	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		30V	5.3A		25mohm @ 7.1a, 10V	3V @ 250µA	50NC @ 10V		-	논리 논리 게이트
SI1023X-T1-GE3	0.4400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SI1023	MOSFET (금속 (()	250MW	SC-89 (SOT-563F)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	370ma		1.2ohm @ 350ma, 4.5v	450MV @ 250µA (최소)	1.5NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
irfr310trpbf	1.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR310	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	400 v	1.7A (TC)	10V	3.6ohm @ 1a, 10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	170 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI7617DN-T1-GE3	0.8800	RFQ	241	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7617	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	35A (TC)	4.5V, 10V	12.3mohm @ 13.9a, 10V	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 v	± 25V	1800 pf @ 15 v	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SQJ431AEP-T1_GE3	1.6400	RFQ	7662	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ431	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	200 v	9.4A (TC)	6V, 10V	305mohm @ 3.8a, 10V	3.5V @ 250µA	85 NC @ 10 v	± 20V	3700 pf @ 25 v	-	68W (TC)
SIS990DN-T1-GE3	0.9200	RFQ	7977	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8 듀얼	SIS990	MOSFET (금속 (()	25W	PowerPak® 1212-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		100V	12.1a		85mohm @ 8a, 10V	4V @ 250µA	8NC @ 10V		250pf @ 50V	-
SQ4410EY-T1_BE3	1.5200	RFQ	4	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SQ4410	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)		742-sq4410ey-t1_be3ct	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	15A (TC)	4.5V, 10V	12MOHM @ 10A, 10V	2.5V @ 250µA	53 NC @ 10 v	± 20V	2385 pf @ 25 v	-	5W (TC)
SI1431DH-T1-GE3	-	RFQ	8912	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1431	MOSFET (금속 (()		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	1.7A (TA)	4.5V, 10V	200mohm @ 2a, 10V	3V @ 100µa	4 NC @ 4.5 v	± 20V		-	950MW (TA)
SI7390DP-T1-GE3	1.2191	RFQ	2476	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7390	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	9A (TA)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 15a, 10V	3V @ 250µA	15 nc @ 4.5 v	± 20V		-	1.8W (TA)
IRFD9110	-	RFQ	9745	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFD9110	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFD9110	귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	100 v	700MA (TA)	10V	1.2ohm @ 420ma, 10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 v	± 20V	200 pf @ 25 v	-	1.3W (TA)
SQD100N02_3M5L4GE3	0.6209	RFQ	5786	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SQD100	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		742-SQD100N02_3M5L4GE3TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	20 v	100A (TC)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 30a, 10V	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	5500 pf @ 10 v	-	83W (TC)
IRF9Z24PBF	1.9400	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF9Z24	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	50		p 채널	60 v	11A (TC)	10V	280mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 v	± 20V	570 pf @ 25 v	-	60W (TC)
SI7852DP-T1-GE3	2.9500	RFQ	795	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7852	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	80 v	7.6A (TA)	6V, 10V	16.5mohm @ 10a, 10V	2V @ 250µA (Min)	41 NC @ 10 v	± 20V		-	1.9W (TA)
SI1970DH-T1-E3	-	RFQ	7066	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1970	MOSFET (금속 (()	1.25W	SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	1.3a		225mohm @ 1.2a, 4.5v	1.6V @ 250µA	3.8nc @ 10V		95pf @ 15V	논리 논리 게이트
SI4453DY-T1-GE3	-	RFQ	3197	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4453	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	12 v	10A (TA)	1.8V, 4.5V	6.5mohm @ 14a, 4.5v	900MV @ 600µA	165 NC @ 5 v	± 8V		-	1.5W (TA)
SI9435BDY-T1-E3	0.8900	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI9435	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	4.1A (TA)	4.5V, 10V	42mohm @ 5.7a, 10V	3V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V		-	1.3W (TA)
SUM110P04-05-E3	4.7600	RFQ	70	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SUM110	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	40 v	110A (TC)	10V	5MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	280 nc @ 10 v	± 20V	11300 pf @ 25 v	-	15W (TA), 375W (TC)
SUM70030E-GE3	3.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	sum70030	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	100 v	150A (TC)	7.5V, 10V	2.88mohm @ 30a, 10V	4V @ 250µA	214 NC @ 10 v	± 20V	10870 pf @ 50 v	-	375W (TC)
SQ3419EV-T1_BE3	0.6900	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SQ3419	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	40 v	6.9A (TC)	4.5V, 10V	58mohm @ 2.5a, 10V	2.5V @ 250µA	11.3 NC @ 4.5 v	± 20V	990 pf @ 20 v	-	5W (TC)
IRF7822TRR	-	RFQ	8912	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF7822	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널	30 v	18A (TA)	4.5V	6.5mohm @ 15a, 4.5v	1V @ 250µA	60 nc @ 5 v	± 12V	5500 pf @ 16 v	-	3.1W (TA)
SI1302DL-T1-E3	0.4400	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	SI1302	MOSFET (금속 (()		SC-70-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	600MA (TA)	4.5V, 10V	480mohm @ 600ma, 10V	3V @ 250µA	1.4 NC @ 10 v	± 20V		-	280MW (TA)
2N6660-E3	-	RFQ	7399	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N6660	MOSFET (금속 (()		TO-205AD (TO-39)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	100		n 채널	60 v	990MA (TC)	5V, 10V	3ohm @ 1a, 10v	2V @ 1mA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	725MW (TA), 6.25W (TC)
SIHP21N60EF-GE3	4.0000	RFQ	9034	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP21	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2266-SIHP21N60EF-GE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	21A (TC)	10V	176mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 v	± 30V	2030 pf @ 100 v	-	227W (TC)
IRFBC40AS	-	RFQ	7915	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFBC40	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFBC40AS	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	6.2A (TC)	10V	1.2ohm @ 3.7a, 10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 30V	1036 pf @ 25 v	-	125W (TC)
irf620strl	-	RFQ	3842	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF620	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	5.2A (TC)	10V	800mohm @ 3.1a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	260 pf @ 25 v	-	3W (TA), 50W (TC)
SI7956DP-T1-E3	3.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7956	MOSFET (금속 (()	1.4W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		150V	2.6a		105mohm @ 4.1a, 10V	4V @ 250µA	26NC @ 10V		-	논리 논리 게이트

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²