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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI8424DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8424DB-T1-E1 -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, CSPBGA SI8424 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 12.2A (TC) 1.2V, 4.5V 31mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 5 v ± 5V 1950 pf @ 4 v - 2.78W (TA), 6.25W (TC)
IRLL1905TR Vishay Siliconix irll1905tr -
RFQ
 ECAD 7411 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA irll1905 MOSFET (금속 (() SOT-223 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 1.6A (TA) - - - -
IRFR420TRRPBF Vishay Siliconix irfr420trrpbf 0.7513
RFQ
 ECAD 7666 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq910el-t1_ge3 2.6900
RFQ
 ECAD 9581 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 듀얼 SQJQ910 MOSFET (금속 (() 187W PowerPak® 8 x 8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 100V 70A (TC) 8.6mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 58NC @ 10V 2832pf @ 50V -
SI7439DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7439DP-T1-E3 3.9800
RFQ
 ECAD 2592 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7439 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 3A (TA) 6V, 10V 90mohm @ 5.2a, 10V 4V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3459BDV-T1-E3 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3459 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.9A (TC) 4.5V, 10V 216MOHM @ 2.2A, 10V 3V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 30 v - 3.3W (TC)
2N4860JTXL02 Vishay Siliconix 2N4860JTXL02 -
RFQ
 ECAD 7180 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4860 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SI4916DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4916DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8390 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4916 MOSFET (금속 (() 3.3W, 3.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 10a, 10.5a 18mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
IRFP460APBF Vishay Siliconix IRFP460APBF 4.9800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP460APBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 30V 3100 pf @ 25 v - 280W (TC)
SIA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA469DJ-T1-GE3 0.4700
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA469 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 26.5mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1020 pf @ 15 v - 15.6W (TC)
IRFZ48L Vishay Siliconix IRFZ48L -
RFQ
 ECAD 4864 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFZ48 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFZ48L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 18mohm @ 43a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 190W (TC)
SQJ872EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj872ep-t1_ge3 1.4600
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ872 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 24.5A (TC) 7.5V, 10V 35.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1045 pf @ 25 v - 55W (TC)
SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5933CDC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9300 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5933 MOSFET (금속 (() 2.8W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.7a 144mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 6.8NC @ 5V 276pf @ 10V -
IRFP344PBF Vishay Siliconix IRFP344PBF -
RFQ
 ECAD 8743 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP344 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP344PBF 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 450 v 9.5A (TC) 10V 630mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 150W (TC)
SIE802DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE802DF-T1-E3 1.8574
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE802 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 23.6a, 10V 2.7V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 7000 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
IRFU9210 Vishay Siliconix IRFU9210 -
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU9210 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFU120 Vishay Siliconix IRFU120 -
RFQ
 ECAD 8346 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU1 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI3905DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3905DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2157 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3905 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 8V - 125mohm @ 2.5a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 6NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SIR836DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir836dp-t1-ge3 0.8300
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir836 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 21A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 20 v - 3.9W (TA), 15.6W (TC)
SI3443CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3443CDV-T1-BE3 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3443CDV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA), 5.97A (TC) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 4.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12.4 NC @ 5 v ± 12V 610 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.2W (TC)
SQD15N06-42L_GE3 Vishay Siliconix SQD15N06-42L_GE3 1.0300
RFQ
 ECAD 830 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD15 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 15A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 535 pf @ 25 v - 37W (TC)
SI7405BDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7405BDN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7411 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7405 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 16A (TC) 1.8V, 4.5V 13.5A, 4.5V 1V @ 250µA 115 NC @ 8 v ± 8V 3500 pf @ 6 v - 3.6W (TA), 33W (TC)
IRFBC20LPBF Vishay Siliconix IRFBC20LPBF -
RFQ
 ECAD 9410 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBC20 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBC20LPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 2.2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
IRF730STRR Vishay Siliconix irf730strr -
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF730 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRLU120PBF Vishay Siliconix irlu120pbf -
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu120 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irlu120pbf 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 4V, 5V 270mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 10V 490 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI5456DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5456DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5456 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 12A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 9.3a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 10 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
IRL640PBF Vishay Siliconix irl640pbf 2.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 irl640 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irl640pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 125W (TC)
SI1303DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1303DL-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1080 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1303 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 670MA (TA) 2.5V, 4.5V 430mohm @ 1a, 4.5v 1.4V @ 250µA 2.2 NC @ 4.5 v ± 12V - 290MW (TA)
IRF730APBF Vishay Siliconix IRF730APBF 1.9200
RFQ
 ECAD 1963 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF730 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF730APBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 74W (TC)
IRFR320TRLPBF Vishay Siliconix irfr320trlpbf 1.7700
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR320 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 42W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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