SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIRA64DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA64DP-T1-RE3 0.9200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira64 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 65 nc @ 10 v +20V, -16V 3420 pf @ 15 v - 27.8W (TC)
SI4411DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4411DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2800 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4411 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 65 nc @ 5 v ± 20V - 1.5W (TA)
SIR492DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir492dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 7577 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir492 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 40A (TC) 2.5V, 4.5V 3.8mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 110 nc @ 8 v ± 8V 3720 pf @ 6 v - 4.2W (TA), 36W (TC)
IRFR9310 Vishay Siliconix IRFR9310 -
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR9310 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFP450NPBF Vishay Siliconix IRFP450NPBF -
RFQ
ECAD 4698 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP450 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFP450NPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 370mohm @ 8.4a, 10V 5V @ 250µA 77 NC @ 10 v ± 30V 2260 pf @ 25 v - 200W (TC)
SQD97N06-6M3L_GE3 Vishay Siliconix SQD97N06-6M3L_GE3 1.6600
RFQ
ECAD 8375 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD97 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 97A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V 6060 pf @ 25 v - 136W (TC)
IRF644SPBF Vishay Siliconix IRF644SPBF 3.5900
RFQ
ECAD 766 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF644SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
SIR840DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir840DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 4545 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir840 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v - - - - -
IRF9Z24S Vishay Siliconix IRF9Z24S -
RFQ
ECAD 3563 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9Z24S 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 11A (TC) 10V 280mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SISH615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH615ADN-T1-GE3 0.5900
RFQ
ECAD 1613 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH615 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 22.1A (TA), 35A (TC) 2.5V, 10V 4.4mohm @ 20a, 10V 1.5V @ 250µA 183 NC @ 10 v ± 12V 5590 pf @ 10 v - 3.7W (TA), 52W (TC)
SI7812DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7812DN-T1-E3 2.0800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7812 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 16A (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 7.2a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 840 pf @ 35 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
IRF610STRR Vishay Siliconix irf610strr -
RFQ
ECAD 3373 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF610 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3W (TA), 36W (TC)
SI3456BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3456BDV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1200 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3456 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V - 1.1W (TA)
IRLZ14S Vishay Siliconix IRLZ14S -
RFQ
ECAD 6817 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ14S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
IRF840LCSTRRPBF Vishay Siliconix IRF840LCSTRRPBF 1.8458
RFQ
ECAD 6696 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF840 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
2N6661-E3 Vishay Siliconix 2N6661-E3 -
RFQ
ECAD 5595 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
IRFL9014TR Vishay Siliconix irfl9014tr -
RFQ
ECAD 7049 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL9014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.8A (TC) 10V 500mohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRFR320TRPBF Vishay Siliconix irfr320trpbf 1.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR320 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SUM50P10-42-E3 Vishay Siliconix SUM50P10-42-E3 -
RFQ
ECAD 1570 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum50 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 36A (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 14a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 50 v - 18.8W (TA), 125W (TC)
IRL540PBF Vishay Siliconix irl540pbf 2.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL540 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irl540pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFI624G Vishay Siliconix IRFI624G -
RFQ
ECAD 8475 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI624 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI624G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 3.4A (TC) 10V 1.1ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 30W (TC)
SI1058X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1058X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8333 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1058 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 2.5V, 4.5V 91mohm @ 1.3a, 4.5v 1.55V @ 250µA 5.9 NC @ 5 v ± 12V 380 pf @ 10 v - 236MW (TA)
SQJ422EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ422EP-T1_GE3 1.6900
RFQ
ECAD 1755 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ422 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 74A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4660 pf @ 20 v - 83W (TC)
SI4196DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4196DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9485 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4196 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 8a, 4.5v 1V @ 250µA 22 nc @ 8 v ± 8V 830 pf @ 10 v - 2W (TA), 4.6W (TC)
IRFR1N60ATRRPBF Vishay Siliconix irfr1n60atrrpbf -
RFQ
ECAD 3189 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
IRFIZ44G Vishay Siliconix irfiz44g -
RFQ
ECAD 8638 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz44 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfiz44g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 28mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 48W (TC)
IRFR120TRRPBF Vishay Siliconix irfr120trrpbf 0.6733
RFQ
ECAD 5467 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF9Z34 Vishay Siliconix IRF9Z34 -
RFQ
ECAD 5320 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9Z34 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 88W (TC)
SQM110P04-04L-GE3 Vishay Siliconix SQM110P04-04L-GE3 -
RFQ
ECAD 4477 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM110P MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 330 nc @ 10 v ± 20V 13980 pf @ 20 v - 375W (TC)
SI4894BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4894BDY-T1-E3 1.3200
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4894 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.9A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고