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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFS11N50ATRL Vishay Siliconix IRFS11N50ATRL -
RFQ
 ECAD 4632 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS11 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRFP460A Vishay Siliconix IRFP460A -
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 30V 3100 pf @ 25 v - 280W (TC)
SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8851EDB-T2-E1 0.6200
RFQ
 ECAD 7006 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 30-XFBGA SI8851 MOSFET (금속 (() Power Micro Foot® (2.4x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 7.7A (TA) 1.8V, 4.5V 8mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 180 NC @ 8 v ± 8V 6900 pf @ 10 v - 660MW (TA)
SQ4850EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4850ey-t1_ge3 1.3700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4850 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 12A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 6a, 5V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 25 v - 6.8W (TC)
SISH434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH434DN-T1-GE3 1.1700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH434 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 17.6A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 7.6mohm @ 16.2a, 10V 2.2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1530 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
IRFI9520GPBF Vishay Siliconix IRFI9520GPBF 2.5000
RFQ
 ECAD 7933 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9520 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI9520GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 5.2A (TC) 10V 600mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 37W (TC)
IRF9530STRR Vishay Siliconix IRF9530STRR -
RFQ
 ECAD 2934 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 12A (TC) 10V 300mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SUM70040M-GE3 Vishay Siliconix SUM70040M-GE3 3.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) SUM70040 MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TC) 7.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 50 v - 375W (TC)
SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4154DY-T1-GE3 1.4900
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4154 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 36A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4230 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI2366DS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2366DS-T1-BE3 0.4600
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI236DS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA), 5.8A (TC) 4.5V, 10V 36mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 335 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 2.1W (TC)
SI1069X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1069X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1073 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1069 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 940MA (TA) 2.5V, 4.5V 184mohm @ 940ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 6.86 NC @ 5 v ± 12V 308 pf @ 10 v - 236MW (TA)
SIR866DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir866dp-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 6025 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir866 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 4730 pf @ 10 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
SIA923EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA923EDJ-T4-GE3 0.6400
RFQ
 ECAD 3771 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA923 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 7.8W (TC) PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A (TA), 4.5A (TC) 54mohm @ 3.8a, 4.5v 1.4V @ 250µA 25NC @ 8V - -
SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5513CDC-T1-E3 0.6200
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5513 MOSFET (금속 (() 3.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 4A, 3.7A 55mohm @ 4.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.2NC @ 5V 285pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRF620STRR Vishay Siliconix irf620strr -
RFQ
 ECAD 8586 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF620 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 5.2A (TC) 10V 800mohm @ 3.1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 3W (TA), 50W (TC)
SI7463DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7463DP-T1-E3 2.9400
RFQ
 ECAD 367 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7463 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 11A (TA) 4.5V, 10V 9.2mohm @ 18.6a, 10V 3V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
SISS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS71DN-T1-GE3 1.1100
RFQ
 ECAD 5194 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS71 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 23A (TC) 4.5V, 10V 59mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1050 pf @ 50 v - 57W (TC)
IRFIZ44G Vishay Siliconix irfiz44g -
RFQ
 ECAD 8638 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz44 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfiz44g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 28mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 48W (TC)
SI4403BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4403BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1996 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4403 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 7.3A (TA) 1.8V, 4.5V 17mohm @ 9.9a, 4.5v 1V @ 350µA 50 nc @ 5 v ± 8V - 1.35W (TA)
SI7358ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7358ADP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7358 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 23a, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V 4650 pf @ 15 v - 1.9W (TA)
IRF614STRL Vishay Siliconix IRF614STRL -
RFQ
 ECAD 8666 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF614 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 2.7A (TC) 10V 2ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
IRLL014 Vishay Siliconix IRLL014 -
RFQ
 ECAD 4261 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRLL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLL014 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 60 v 2.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 1.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRLU014PBF Vishay Siliconix irlu014pbf 1.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu014 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irlu014pbf 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 7.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
SQS482EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS482EN-T1_BE3 0.9100
RFQ
 ECAD 7825 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqs482en-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1865 pf @ 25 v - 62W (TC)
SIHB20N50E-GE3 Vishay Siliconix SIHB20N50E-GE3 3.2800
RFQ
 ECAD 6792 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 19A (TC) 10V 184mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 179W (TC)
SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4488DY-T1-E3 2.2500
RFQ
 ECAD 983 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4488 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 3.5A (TA) 10V 50mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA (Min) 36 nc @ 10 v ± 20V - 1.56W (TA)
SIE812DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE812DF-T1-E3 1.7317
RFQ
 ECAD 3235 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE812 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 8300 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
IRFR1N60ATRRPBF Vishay Siliconix irfr1n60atrrpbf -
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
SQJ443EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ443EP-T1_BE3 1.4100
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj443ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2030 pf @ 20 v - 83W (TC)
SI4196DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4196DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9485 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4196 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 8A (TC) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 8a, 4.5v 1V @ 250µA 22 nc @ 8 v ± 8V 830 pf @ 10 v - 2W (TA), 4.6W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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