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![]() | SI3459BDV-T1-E3 | 0.8300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3459 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 2.9A (TC) | 4.5V, 10V | 216MOHM @ 2.2A, 10V | 3V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 30 v | - | 3.3W (TC) |
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