SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFL9014TR Vishay Siliconix irfl9014tr -
RFQ
ECAD 7049 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL9014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 1.8A (TC) 10V 500mohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRF9Z24S Vishay Siliconix IRF9Z24S -
RFQ
ECAD 3563 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9Z24S 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 11A (TC) 10V 280mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SI1058X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1058X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8333 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1058 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 2.5V, 4.5V 91mohm @ 1.3a, 4.5v 1.55V @ 250µA 5.9 NC @ 5 v ± 12V 380 pf @ 10 v - 236MW (TA)
2N6661-E3 Vishay Siliconix 2N6661-E3 -
RFQ
ECAD 5595 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
IRF9520PBF Vishay Siliconix IRF9520PBF 1.2900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9520 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9520PBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 60W (TC)
SUM50P10-42-E3 Vishay Siliconix SUM50P10-42-E3 -
RFQ
ECAD 1570 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum50 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 36A (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 14a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 50 v - 18.8W (TA), 125W (TC)
SI8424CDB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8424CDB-T1-E1 0.6200
RFQ
ECAD 4923 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP SI8424 MOSFET (금속 (() 4 마이크로 푸드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 6.3A (TA) 1.2V, 4.5V 20mohm @ 2a, 4.5v 800MV @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 5V 2340 pf @ 4 v - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
SQJ422EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ422EP-T1_GE3 1.6900
RFQ
ECAD 1755 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ422 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 74A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4660 pf @ 20 v - 83W (TC)
IRL540PBF Vishay Siliconix irl540pbf 2.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRL540 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irl540pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFR320TRPBF Vishay Siliconix irfr320trpbf 1.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR320 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 3.1A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFI624G Vishay Siliconix IRFI624G -
RFQ
ECAD 8475 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI624 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFI624G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 3.4A (TC) 10V 1.1ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 30W (TC)
SUP25P10-138-GE3 Vishay Siliconix SUP25P10-138-GE3 -
RFQ
ECAD 6493 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup25 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 16.3A (TC) 6V, 10V 13.8mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 50 v - 3.1W (TA), 73.5W (TC)
SI7774DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7774DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9356 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7774 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 2630 pf @ 15 v - 5W (TA), 48W (TC)
SI4894BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4894BDY-T1-E3 1.3200
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4894 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.9A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
SI3443CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3443CDV-T1-BE3 0.5400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3443CDV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA), 5.97A (TC) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 4.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12.4 NC @ 5 v ± 12V 610 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.2W (TC)
SQJ872EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj872ep-t1_ge3 1.4600
RFQ
ECAD 3649 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ872 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 24.5A (TC) 7.5V, 10V 35.5mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1045 pf @ 25 v - 55W (TC)
IRFR214TRRPBF Vishay Siliconix irfr214trrpbf 0.6159
RFQ
ECAD 5566 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR214 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF9520STRL Vishay Siliconix IRF9520Strl -
RFQ
ECAD 5232 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 6.8A (TC) 10V 600mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
SIB419DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB419DK-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5166 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB419 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 11.82 NC @ 5 v ± 8V 562 pf @ 6 v - 2.45W (TA), 13.1W (TC)
SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2325ES-T1_GE3 0.6900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2325 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 840MA (TC) 10V 1.77ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 50 v - 3W (TC)
SUM70N03-09CP-E3 Vishay Siliconix SUM70N03-09CP-E3 -
RFQ
ECAD 9154 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB sum70 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 93W (TC)
IRFU014PBF Vishay Siliconix IRFU014PBF 1.3900
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU014 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFU014PBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRLR014TRPBF Vishay Siliconix irlr014trpbf 1.0500
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 4.6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFBF20STRLPBF Vishay Siliconix IRFBF20STRLPBF 2.4700
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBF20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 8ohm @ 1a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 54W (TC)
SI4170DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4170DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3389 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4170 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4355 pf @ 15 v - 3W (TA), 6W (TC)
SIA450DJ-T1-E3 Vishay Siliconix SIA450DJ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7182 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA450 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 240 v 1.52A (TC) 2.5V, 10V 2.9ohm @ 700ma, 10V 2.4V @ 250µA 7.04 NC @ 10 v ± 20V 167 pf @ 120 v - 3.3W (TA), 15W (TC)
IRF644NSTRL Vishay Siliconix irf644nstrl -
RFQ
ECAD 2203 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF644 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 240mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 150W (TC)
SI9434BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9434BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 9597 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9434 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 4.5A (TA) 2.5V, 4.5V 40mohm @ 6.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
2N4860JTXL02 Vishay Siliconix 2N4860JTXL02 -
RFQ
ECAD 7180 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4860 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
SI3459BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3459BDV-T1-E3 0.8300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3459 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.9A (TC) 4.5V, 10V 216MOHM @ 2.2A, 10V 3V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 30 v - 3.3W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고