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불연속 불연속 제품 (5717)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	저항 -rds (on)
SQP10250E_GE3	-	RFQ	1080	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SQP10250	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	250 v	53A (TC)	7.5V, 10V	30mohm @ 15a, 10V	3.5V @ 250µA	75 NC @ 10 v	± 20V	4050 pf @ 25 v	-	250W (TC)
sqj401ep-t1_ge3	2.0200	RFQ	2	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SQJ401	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	12 v	32A (TC)	2.5V, 4.5V	6MOHM @ 15A, 4.5V	1.5V @ 250µA	164 NC @ 4.5 v	± 8V	10015 pf @ 6 v	-	83W (TC)
SI4431CDY-T1-E3	1.0700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4431	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	9A (TC)	4.5V, 10V	32mohm @ 7a, 10V	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 20V	1006 pf @ 15 v	-	4.2W (TC)
sqa310cejw-t1_ge3	0.4700	RFQ	9729	Vishay Siliconix	자동차, AEC-Q101, Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	PowerPak® SC-70-6		MOSFET (금속 (()		PowerPak®SC-70W-6	-	Rohs3 준수	1 (무제한)					3,000		n 채널	30 v	9A (TC)	4.5V, 10V	19mohm @ 3a, 10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	535 pf @ 25 v	-	13.6W (TC)
SI7892BDP-T1-E3	1.9000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8	SI7892	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SO-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	15A (TA)	4.5V, 10V	4.2MOHM @ 25A, 10V	3V @ 250µA	40 nc @ 4.5 v	± 20V	3775 pf @ 15 v	-	1.8W (TA)
SI7414DN-T1-GE3	1.5500	RFQ	7568	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® 1212-8	SI7414	MOSFET (금속 (()		PowerPak® 1212-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	5.6A (TA)	4.5V, 10V	25mohm @ 8.7a, 10V	3V @ 250µA	25 nc @ 10 v	± 20V		-	1.5W (TA)
SI4931DY-T1-GE3	1.2300	RFQ	13	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4931	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		12V	6.7a		18mohm @ 8.9a, 4.5v	1V @ 350µA	52NC @ 4.5V		-	논리 논리 게이트
IRF510S	-	RFQ	2862	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF510	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF510S	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	5.6A (TC)	10V	540mohm @ 3.4a, 10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 v	± 20V	180 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 43W (TC)
IRFD310PBF	1.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-DIP (0.300 ", 7.62mm)	IRFD310	MOSFET (금속 (()		4-HVMDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	400 v	350MA (TA)	10V	3.6ohm @ 210ma, 10V	4V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	170 pf @ 25 v	-	1W (TA)
SI7998DP-T1-GE3	1.5900	RFQ	9071	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7998	MOSFET (금속 (()	22W, 40W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	25A, 30A		9.3mohm @ 15a, 10V	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1100pf @ 15V	논리 논리 게이트
SIHP16N50C-BE3	5.8400	RFQ	997	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SIHP16	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)		742-SIHP16N50C-BE3	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	16A (TC)	10V	380mohm @ 8a, 10V	5V @ 250µA	68 NC @ 10 v	± 30V	1900 pf @ 25 v	-	250W (TC)
SI4464DY-T1-E3	1.4100	RFQ	4829	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4464	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	200 v	1.7A (TA)	6V, 10V	240mohm @ 2.2a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V		-	1.5W (TA)
IRFP22N50APBF	5.5300	RFQ	4518	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRFP22	MOSFET (금속 (()		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFP22N50APBF	귀 99	8541.29.0095	25		n 채널	500 v	22A (TC)	10V	230mohm @ 13a, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 30V	3450 pf @ 25 v	-	277W (TC)
IRLZ44L	-	RFQ	2094	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRLZ44	MOSFET (금속 (()		TO-262-3	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRLZ44L	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	50A (TC)	4V, 5V	28mohm @ 31a, 5V	2V @ 250µA	66 NC @ 5 v	± 10V	3300 pf @ 25 v	-	-
SI3853DV-T1-GE3	-	RFQ	1430	Vishay Siliconix	Little Foot®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	SI3853	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	1.6A (TA)	2.5V, 4.5V	200mohm @ 1.8a, 4.5v	500MV @ 250µA (최소)	4 NC @ 4.5 v	± 12V		Schottky 분리 (다이오드)	830MW (TA)
IRFBE30	-	RFQ	3802	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFBE30	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFBE30	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	800 v	4.1A (TC)	10V	3ohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	125W (TC)
IRF640STRPBF	3.0900	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF640	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	200 v	18A (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10V	4V @ 250µA	70 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 130W (TC)
2N4393-E3	-	RFQ	1646	Vishay Siliconix	-	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N4393		1.8 w	TO-206AA (TO-18)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	200		n 채널								14pf @ 20V			40 v	5 ma @ 20 v	500 MV @ 1 NA	100 옴
SIRB40DP-T1-GE3	1.4000	RFQ	2477	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	Sirb40	MOSFET (금속 (()	46.2w	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		40V	40A (TC)		3.25mohm @ 10a, 10V	2.4V @ 250µA	45NC @ 4.5V		4290pf @ 20V	-
IRF9520STRR	-	RFQ	5832	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF9520	MOSFET (금속 (()		d²pak (To-263)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		p 채널	100 v	6.8A (TC)	10V	600mohm @ 4.1a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V	390 pf @ 25 v	-	3.7W (TA), 60W (TC)
2N4856JTXV02	-	RFQ	8798	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N4856			TO-206AA (TO-18)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		-								-
TP0202K-T1-GE3	-	RFQ	2224	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TP0202	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	385MA (TA)	4.5V, 10V	1.4ohm @ 500ma, 10V	3V @ 250µA	1 nc @ 10 v	± 20V	31 pf @ 15 v	-	350MW (TA)
SIA440DJ-T1-GE3	0.4800	RFQ	27	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SC-70-6	SIA440	MOSFET (금속 (()		PowerPak® SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	12A (TC)	2.5V, 10V	26mohm @ 9a, 10V	1.4V @ 250µA	21.5 nc @ 10 v	± 12V	700 pf @ 20 v	-	3.5W (TA), 19W (TC)
SI4825DDY-T1-GE3	0.9400	RFQ	128	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	SI4825	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	30 v	14.9A (TC)	4.5V, 10V	12.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	86 NC @ 10 v	± 25V	2550 pf @ 15 v	-	2.7W (TA), 5W (TC)
sup60n02-4m5p-e3	-	RFQ	4071	Vishay Siliconix	Trenchfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	sup60	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	20 v	60A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 20V	5950 pf @ 10 v	-	3.75W (TA), 120W (TC)
vq2001p	-	RFQ	5621	Vishay Siliconix	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		-	VQ2001	MOSFET (금속 (()	2W	-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	25	4 p 채널		30V	600ma		2ohm @ 1a, 12v	4.5V @ 1mA	-		150pf @ 15V	-
irlr014trr	-	RFQ	1135	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRLR014	MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	7.7A (TC)	4V, 5V	200mohm @ 4.6a, 5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 v	± 10V	400 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SI7946ADP-T1-GE3	1.0322	RFQ	7895	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerPak® SO-8 듀얼	SI7946	MOSFET (금속 (()	19.8W	PowerPak® SO-8 듀얼	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		150V	7.7A (TC)		186mohm @ 3a, 10V	3.5V @ 250µA	6.5NC @ 7.5V		230pf @ 75v	-
SUD50P10-43L-E3	2.6500	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SUD50	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	100 v	37.1A (TC)	4.5V, 10V	43mohm @ 9.2a, 10V	3V @ 250µA	160 nc @ 10 v	± 20V	4600 pf @ 50 v	-	8.3W (TA), 136W (TC)
SUM50020E-GE3	2.8900	RFQ	4159	Vishay Siliconix	Trenchfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SUM50020	MOSFET (금속 (()		To-263 (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	120A (TC)	7.5V, 10V	2.2MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 v	± 20V	11150 pf @ 30 v	-	375W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²