SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대)
SQS462EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS462EN-T1_GE3 1.0300
보상요청
ECAD 2097 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8 SQS462 MOSFET(금속) PowerPAK® 1212-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 8A(TC) 4.5V, 10V 63m옴 @ 4.3A, 10V 2.5V @ 250μA 12nC @ 10V ±20V 470pF @ 25V - 33W(Tc)
SQJ456EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ456EP-T2_GE3 1.1340
보상요청
ECAD 7725 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 SQJ456 MOSFET(금속) PowerPAK® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 742-SQJ456EP-T2_GE3TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 32A(Tc) 6V, 10V 26m옴 @ 9.3A, 10V 250μA에서 3.5V 63nC @ 10V ±20V 3342pF @ 25V - 83W(Tc)
SI5448DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5448DU-T1-GE3 0.6200
보상요청
ECAD 9560 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® ChipFET™ 인디 SI5448 MOSFET(금속) PowerPAK® ChipFet 인디 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 25A(TC) 4.5V, 10V 7.75m옴 @ 15A, 10V 2.5V @ 250μA 20nC @ 4.5V +20V, -16V 20V에서 1765pF - 31W(Tc)
SI7116BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7116BDN-T1-GE3 1.1600
보상요청
ECAD 5 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8 SI7116 MOSFET(금속) PowerPAK® 1212-8 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 18.4A(Ta), 65A(Tc) 7.4m옴 @ 16A, 10V 2.5V @ 250μA 48nC @ 10V ±20V 20V에서 1915pF - 5W(Ta), 62.5W(Tc)
SI7846DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7846DP-T1-GE3 2.9400
보상요청
ECAD 3 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 SI7846 MOSFET(금속) PowerPAK® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 150V 4A(타) 10V 50m옴 @ 5A, 10V 250μA에서 4.5V 36nC @ 10V ±20V - 1.9W(타)
2N4858JTXV02 Vishay Siliconix 2N4858JTXV02 -
보상요청
ECAD 3827 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4858 TO-206AA (TO-18) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 40 - -
SIR5211DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR5211DP-T1-GE3 0.9300
보상요청
ECAD 8048 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 MOSFET(금속) PowerPAK® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 31.2A(Ta), 105A(Tc) 2.5V, 10V 3.2m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 1.5V 158nC @ 10V ±12V 6700pF @ 10V - 5W(Ta), 56.8W(Tc)
SIRC10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRC10DP-T1-GE3 0.8700
보상요청
ECAD 5369 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® Gen IV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 SIRC10 MOSFET(금속) PowerPAK® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 60A(Tc) 4.5V, 10V 3.5m옴 @ 10A, 10V 2.4V @ 250μA 36nC @ 10V +20V, -16V 15V에서 1873pF 쇼트키 다이오드(본체) 43W(Tc)
SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS184DN-T1-GE3 1.4900
보상요청
ECAD 9306 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® Gen IV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8 SIS184 MOSFET(금속) PowerPAK® 1212-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 17.4A(Ta), 65.3A(Tc) 7.5V, 10V 5.8m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 3.4V 32nC @ 10V ±20V 30V에서 1490pF - 3.7W(Ta), 52W(Tc)
IRF530L Vishay Siliconix IRF530L -
보상요청
ECAD 2765 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IRF530 MOSFET(금속) TO-262 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) *IRF530L EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 14A(TC) 10V 160m옴 @ 8.4A, 10V 4V @ 250μA 26nC @ 10V ±20V 25V에서 670pF - -
SI4910DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4910DY-T1-E3 -
보상요청
ECAD 3885 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SI4910 MOSFET(금속) 3.1W 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 40V 7.6A 27m옴 @ 6A, 10V 2V @ 250μA 32nC @ 10V 855pF @ 20V -
IRFPG50PBF Vishay Siliconix IRFPG50PBF 5.8800
보상요청
ECAD 1915년 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IRFPG50 MOSFET(금속) TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) *IRFPG50PBF EAR99 8541.29.0095 25 N채널 1000V 6.1A(Tc) 10V 2옴 @ 3.6A, 10V 4V @ 250μA 190nC @ 10V ±20V 25V에서 2800pF - 190W(Tc)
SQJ951EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ951EP-T1_BE3 1.6100
보상요청
ECAD 4 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 듀얼 SQJ951 MOSFET(금속) 56W(Tc) PowerPAK® SO-8 듀얼 - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 30V 30A(Tc) 17m옴 @ 7.5A, 10V 2.5V @ 250μA 50nC @ 10V 1680pF @ 10V -
SUM70030E-GE3 Vishay Siliconix SUM70030E-GE3 3.6700
보상요청
ECAD 2 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SUM70030 MOSFET(금속) TO-263(D²Pak) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 800 N채널 100V 150A(Tc) 7.5V, 10V 2.88m옴 @ 30A, 10V 4V @ 250μA 214nC @ 10V ±20V 50V에서 10870pF - 375W(Tc)
IRFZ40PBF Vishay Siliconix IRFZ40PBF 2.7800
보상요청
ECAD 3 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRFZ40 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) *IRFZ40PBF EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 50A(Tc) 10V 28m옴 @ 31A, 10V 4V @ 250μA 67nC @ 10V ±20V 1900pF @ 25V - 150W(Tc)
SQS140ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS140ENW-T1_GE3 1.3000
보상요청
ECAD 9264 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 PowerPAK® 1212-8SLW MOSFET(금속) PowerPAK® 1212-8SLW 다운로드 1(무제한) 742-SQS140ENW-T1_GE3CT EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 214A(Tc) 10V 2.53m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 3.5V 57nC @ 10V ±20V 3111pF @ 25V - 197W(Tc)
SIHK185N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK185N60E-T1-GE3 4.4200
보상요청
ECAD 2 0.00000000 비세이 실리코닉스 이자형 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워BSFN SIHK185 MOSFET(금속) PowerPAK®10 x 12 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 19A(TC) 10V 185m옴 @ 9.5A, 10V 5V @ 250μA 33nC @ 10V ±30V 100V에서 1085pF - 114W(Tc)
SQS180ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS180ELNW-T1_GE3 1.1200
보상요청
ECAD 50 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® GenIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 PowerPAK® 1212-8SLW MOSFET(금속) PowerPAK® 1212-8SLW - ROHS3 준수 1(무제한) 3,000 N채널 80V 82A(Tc) 4.5V, 10V 7.1m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 250μA 68nC @ 10V ±20V 3689pF @ 25V - 119W(Tc)
IRFB9N60APBF-BE3 Vishay Siliconix IRFB9N60APBF-BE3 3.0800
보상요청
ECAD 1 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRFB9 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 1(무제한) 742-IRFB9N60APBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 9.2A(Tc) 750m옴 @ 5.5A, 10V 4V @ 250μA 49nC @ 10V ±30V 25V에서 1400pF - 170W(Tc)
2N6660JTXV02 Vishay Siliconix 2N6660JTXV02 -
보상요청
ECAD 1075 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6660 MOSFET(금속) TO-205AD (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 20 N채널 60V 990mA(Tc) 5V, 10V 3옴 @ 1A, 10V 2V @ 1mA ±20V 25V에서 50pF - 725mW(Ta), 6.25W(Tc)
SIHH24N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH24N65E-T1-GE3 6.4800
보상요청
ECAD 821 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN SIHH24 MOSFET(금속) PowerPAK® 8x8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 650V 23A(TC) 10V 150m옴 @ 12A, 10V 4V @ 250μA 116nC @ 10V ±30V 100V에서 2814pF - 202W(Tc)
SI2303BDS-T1 Vishay Siliconix SI2303BDS-T1 -
보상요청
ECAD 6326 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2303 MOSFET(금속) SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 1.49A(타) 4.5V, 10V 200m옴 @ 1.7A, 10V 3V @ 250μA 10nC @ 10V ±20V 15V에서 180pF - 700mW(타)
SQM120N04-1M7L_GE3 Vishay Siliconix SQM120N04-1M7L_GE3 3.4300
보상요청
ECAD 3976 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET(금속) TO-263 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 800 N채널 40V 120A(Tc) 4.5V, 10V 1.7m옴 @ 30A, 10V 2.5V @ 250μA 285nC @ 10V ±20V 20V에서 14606pF - 375W(Tc)
SIHG33N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 4.4659
보상요청
ECAD 3198 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SIHG33 MOSFET(금속) TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 500 N채널 650V 32.4A(Tc) 10V 105m옴 @ 16.5A, 10V 4V @ 250μA 173nC @ 10V ±30V 100V에서 4040pF - 313W(Tc)
IRFZ44PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFZ44PBF-BE3 2.0400
보상요청
ECAD 1 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRFZ44 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 1(무제한) 742-IRFZ44PBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 50A(Tc) 28m옴 @ 31A, 10V 4V @ 250μA 67nC @ 10V ±20V 1900pF @ 25V - 150W(Tc)
SQJ910AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ910AEP-T2_GE3 0.5433
보상요청
ECAD 7378 0.00000000 비세이 실리코닉스 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 PowerPAK® SO-8 듀얼 SQJ910 MOSFET(금속) 48W(Tc) PowerPAK® SO-8 듀얼 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 742-SQJ910AEP-T2_GE3TR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 30A(Tc) 7m옴 @ 12A, 10V 2.5V @ 250μA 39nC @ 10V 1869pF @ 15V -
SI2337DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2337DS-T1-E3 1.0100
보상요청
ECAD 2 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -50°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2337 MOSFET(금속) SOT-23-3(TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 80V 2.2A(Tc) 6V, 10V 270m옴 @ 1.2A, 10V 4V @ 250μA 17nC @ 10V ±20V 40V에서 500pF - 760mW(Ta), 2.5W(Tc)
SI4204DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4204DY-T1-GE3 1.8900
보상요청
ECAD 2 0.00000000 비세이 실리코닉스 TrenchFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SI4204 MOSFET(금속) 3.25W 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 20V 19.8A 4.6m옴 @ 10A, 10V 2.4V @ 250μA 45nC @ 10V 2110pF @ 10V -
IRL520L Vishay Siliconix IRL520L -
보상요청
ECAD 7430 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IRL520 MOSFET(금속) TO-262-3 - RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRL520L EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 9.2A(Tc) 4V, 5V 270m옴 @ 5.5A, 5V 2V @ 250μA 12nC @ 5V ±10V 490pF @ 25V - 60W(Tc)
IRLD120 Vishay Siliconix IRLD120 -
보상요청
ECAD 5157 0.00000000 비세이 실리코닉스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) IRLD120 MOSFET(금속) 4-HVMDIP 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRLD120 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 1.3A(타) 4V, 5V 270m옴 @ 780mA, 5V 2V @ 250μA 12nC @ 5V ±10V 490pF @ 25V - 1.3W(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고