| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SQS462EN-T1_GE3 | 1.0300 | ![]() | 2097 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8 | SQS462 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 8A(TC) | 4.5V, 10V | 63m옴 @ 4.3A, 10V | 2.5V @ 250μA | 12nC @ 10V | ±20V | 470pF @ 25V | - | 33W(Tc) | |||||
![]() | SQJ456EP-T2_GE3 | 1.1340 | ![]() | 7725 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 | SQJ456 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 742-SQJ456EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 32A(Tc) | 6V, 10V | 26m옴 @ 9.3A, 10V | 250μA에서 3.5V | 63nC @ 10V | ±20V | 3342pF @ 25V | - | 83W(Tc) | ||||
![]() | SI5448DU-T1-GE3 | 0.6200 | ![]() | 9560 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® ChipFET™ 인디 | SI5448 | MOSFET(금속) | PowerPAK® ChipFet 인디 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 25A(TC) | 4.5V, 10V | 7.75m옴 @ 15A, 10V | 2.5V @ 250μA | 20nC @ 4.5V | +20V, -16V | 20V에서 1765pF | - | 31W(Tc) | |||||
![]() | SI7116BDN-T1-GE3 | 1.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8 | SI7116 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 18.4A(Ta), 65A(Tc) | 7.4m옴 @ 16A, 10V | 2.5V @ 250μA | 48nC @ 10V | ±20V | 20V에서 1915pF | - | 5W(Ta), 62.5W(Tc) | |||||||
![]() | SI7846DP-T1-GE3 | 2.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 | SI7846 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 150V | 4A(타) | 10V | 50m옴 @ 5A, 10V | 250μA에서 4.5V | 36nC @ 10V | ±20V | - | 1.9W(타) | ||||||
![]() | 2N4858JTXV02 | - | ![]() | 3827 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 스루홀 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4858 | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
![]() | SIR5211DP-T1-GE3 | 0.9300 | ![]() | 8048 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 31.2A(Ta), 105A(Tc) | 2.5V, 10V | 3.2m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 1.5V | 158nC @ 10V | ±12V | 6700pF @ 10V | - | 5W(Ta), 56.8W(Tc) | ||||||
![]() | SIRC10DP-T1-GE3 | 0.8700 | ![]() | 5369 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® Gen IV | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 | SIRC10 | MOSFET(금속) | PowerPAK® SO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 60A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.5m옴 @ 10A, 10V | 2.4V @ 250μA | 36nC @ 10V | +20V, -16V | 15V에서 1873pF | 쇼트키 다이오드(본체) | 43W(Tc) | |||||
![]() | SIS184DN-T1-GE3 | 1.4900 | ![]() | 9306 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® Gen IV | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® 1212-8 | SIS184 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 17.4A(Ta), 65.3A(Tc) | 7.5V, 10V | 5.8m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 3.4V | 32nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1490pF | - | 3.7W(Ta), 52W(Tc) | |||||
![]() | IRF530L | - | ![]() | 2765 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IRF530 | MOSFET(금속) | TO-262 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | *IRF530L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 14A(TC) | 10V | 160m옴 @ 8.4A, 10V | 4V @ 250μA | 26nC @ 10V | ±20V | 25V에서 670pF | - | - | ||||
![]() | SI4910DY-T1-E3 | - | ![]() | 3885 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | SI4910 | MOSFET(금속) | 3.1W | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 40V | 7.6A | 27m옴 @ 6A, 10V | 2V @ 250μA | 32nC @ 10V | 855pF @ 20V | - | ||||||
![]() | IRFPG50PBF | 5.8800 | ![]() | 1915년 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IRFPG50 | MOSFET(금속) | TO-247AC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | *IRFPG50PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N채널 | 1000V | 6.1A(Tc) | 10V | 2옴 @ 3.6A, 10V | 4V @ 250μA | 190nC @ 10V | ±20V | 25V에서 2800pF | - | 190W(Tc) | ||||
![]() | SQJ951EP-T1_BE3 | 1.6100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 듀얼 | SQJ951 | MOSFET(금속) | 56W(Tc) | PowerPAK® SO-8 듀얼 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 30V | 30A(Tc) | 17m옴 @ 7.5A, 10V | 2.5V @ 250μA | 50nC @ 10V | 1680pF @ 10V | - | |||||||
![]() | SUM70030E-GE3 | 3.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM70030 | MOSFET(금속) | TO-263(D²Pak) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 150A(Tc) | 7.5V, 10V | 2.88m옴 @ 30A, 10V | 4V @ 250μA | 214nC @ 10V | ±20V | 50V에서 10870pF | - | 375W(Tc) | |||||
| IRFZ40PBF | 2.7800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRFZ40 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | *IRFZ40PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 50A(Tc) | 10V | 28m옴 @ 31A, 10V | 4V @ 250μA | 67nC @ 10V | ±20V | 1900pF @ 25V | - | 150W(Tc) | |||||
![]() | SQS140ENW-T1_GE3 | 1.3000 | ![]() | 9264 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장, 일부 | PowerPAK® 1212-8SLW | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8SLW | 다운로드 | 1(무제한) | 742-SQS140ENW-T1_GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 214A(Tc) | 10V | 2.53m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 3.5V | 57nC @ 10V | ±20V | 3111pF @ 25V | - | 197W(Tc) | ||||||
![]() | SIHK185N60E-T1-GE3 | 4.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 이자형 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워BSFN | SIHK185 | MOSFET(금속) | PowerPAK®10 x 12 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 600V | 19A(TC) | 10V | 185m옴 @ 9.5A, 10V | 5V @ 250μA | 33nC @ 10V | ±30V | 100V에서 1085pF | - | 114W(Tc) | |||||
![]() | SQS180ELNW-T1_GE3 | 1.1200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® GenIV | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장, 일부 | PowerPAK® 1212-8SLW | MOSFET(금속) | PowerPAK® 1212-8SLW | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 3,000 | N채널 | 80V | 82A(Tc) | 4.5V, 10V | 7.1m옴 @ 10A, 10V | 2.5V @ 250μA | 68nC @ 10V | ±20V | 3689pF @ 25V | - | 119W(Tc) | ||||||||
![]() | IRFB9N60APBF-BE3 | 3.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRFB9 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | 1(무제한) | 742-IRFB9N60APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 9.2A(Tc) | 750m옴 @ 5.5A, 10V | 4V @ 250μA | 49nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1400pF | - | 170W(Tc) | ||||||
![]() | 2N6660JTXV02 | - | ![]() | 1075 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N6660 | MOSFET(금속) | TO-205AD (TO-39) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N채널 | 60V | 990mA(Tc) | 5V, 10V | 3옴 @ 1A, 10V | 2V @ 1mA | ±20V | 25V에서 50pF | - | 725mW(Ta), 6.25W(Tc) | |||||
![]() | SIHH24N65E-T1-GE3 | 6.4800 | ![]() | 821 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | SIHH24 | MOSFET(금속) | PowerPAK® 8x8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 650V | 23A(TC) | 10V | 150m옴 @ 12A, 10V | 4V @ 250μA | 116nC @ 10V | ±30V | 100V에서 2814pF | - | 202W(Tc) | |||||
![]() | SI2303BDS-T1 | - | ![]() | 6326 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2303 | MOSFET(금속) | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 30V | 1.49A(타) | 4.5V, 10V | 200m옴 @ 1.7A, 10V | 3V @ 250μA | 10nC @ 10V | ±20V | 15V에서 180pF | - | 700mW(타) | ||||
![]() | SQM120N04-1M7L_GE3 | 3.4300 | ![]() | 3976 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM120 | MOSFET(금속) | TO-263 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 40V | 120A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.7m옴 @ 30A, 10V | 2.5V @ 250μA | 285nC @ 10V | ±20V | 20V에서 14606pF | - | 375W(Tc) | |||||
![]() | SIHG33N65E-GE3 | 4.4659 | ![]() | 3198 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | SIHG33 | MOSFET(금속) | TO-247AC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 650V | 32.4A(Tc) | 10V | 105m옴 @ 16.5A, 10V | 4V @ 250μA | 173nC @ 10V | ±30V | 100V에서 4040pF | - | 313W(Tc) | |||||
![]() | IRFZ44PBF-BE3 | 2.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRFZ44 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | 1(무제한) | 742-IRFZ44PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 50A(Tc) | 28m옴 @ 31A, 10V | 4V @ 250μA | 67nC @ 10V | ±20V | 1900pF @ 25V | - | 150W(Tc) | ||||||
![]() | SQJ910AEP-T2_GE3 | 0.5433 | ![]() | 7378 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | PowerPAK® SO-8 듀얼 | SQJ910 | MOSFET(금속) | 48W(Tc) | PowerPAK® SO-8 듀얼 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 742-SQJ910AEP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 30A(Tc) | 7m옴 @ 12A, 10V | 2.5V @ 250μA | 39nC @ 10V | 1869pF @ 15V | - | ||||||
![]() | SI2337DS-T1-E3 | 1.0100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2337 | MOSFET(금속) | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 80V | 2.2A(Tc) | 6V, 10V | 270m옴 @ 1.2A, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±20V | 40V에서 500pF | - | 760mW(Ta), 2.5W(Tc) | ||||
![]() | SI4204DY-T1-GE3 | 1.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | TrenchFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | SI4204 | MOSFET(금속) | 3.25W | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 19.8A | 4.6m옴 @ 10A, 10V | 2.4V @ 250μA | 45nC @ 10V | 2110pF @ 10V | - | |||||||
![]() | IRL520L | - | ![]() | 7430 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IRL520 | MOSFET(금속) | TO-262-3 | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRL520L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 9.2A(Tc) | 4V, 5V | 270m옴 @ 5.5A, 5V | 2V @ 250μA | 12nC @ 5V | ±10V | 490pF @ 25V | - | 60W(Tc) | |||
![]() | IRLD120 | - | ![]() | 5157 | 0.00000000 | 비세이 실리코닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | IRLD120 | MOSFET(금속) | 4-HVMDIP | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRLD120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 1.3A(타) | 4V, 5V | 270m옴 @ 780mA, 5V | 2V @ 250μA | 12nC @ 5V | ±10V | 490pF @ 25V | - | 1.3W(타) |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고