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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFR9120TRLPBF Vishay Siliconix irfr9120trlpbf 1.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHB30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SIHB30N60ALE-GE3 5.9500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix 엘자 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB30 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 28A (TC) 10V 120mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 2565 pf @ 100 v - 250W (TC)
SQD40061EL_GE3 Vishay Siliconix SQD40061EL_GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 4455 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD40061 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 5.1MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 14500 pf @ 25 v - 107W (TC)
SQJ469EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj469ep-t1_ge3 2.9100
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ469 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 32A (TC) 6V, 10V 25mohm @ 10.2a, 10V 2.5V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 40 v - 100W (TC)
IRFI9Z24GPBF Vishay Siliconix irfi9z24gpbf 2.6600
RFQ
 ECAD 1536 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfi9z24gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 8.5A (TC) 10V 280mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 37W (TC)
SI1065X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1065X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8941 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1065 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 1.18A (TA) 1.8V, 4.5V 156mohm @ 1.18a, 4.5v 950MV @ 250µA 10.8 nc @ 5 v ± 8V 480 pf @ 6 v - 236MW (TA)
SIR5623DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5623dp-t1-Re3 1.7100
RFQ
 ECAD 4432 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir5623 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 10.5A (TA), 37.1A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 10a, 10V 2.6V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1575 pf @ 30 v - 4.8W (TA), 59.5W (TC)
SUM110N05-06L-E3 Vishay Siliconix SUM110N05-06L-E3 -
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 Vishay Siliconix - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 110A (TC) 6MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 100 nc @ 10 v 3300 pf @ 25 v -
SQJB40EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb40ep-t1_ge3 1.3100
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB40 MOSFET (금속 (() 34W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 8mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 35NC @ 10V 1900pf @ 25v -
SQS460ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS460ENW-T1_GE3 0.8900
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W SQS460 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 8A (TC) 4.5V, 10V 36mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 755 pf @ 25 v - 39W (TC)
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7913DN-T1-GE3 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7913 MOSFET (금속 (() 1.3W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 5a 37mohm @ 7.4a, 4.5v 1V @ 250µA 24NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI3585CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3585CDV-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 3868 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3585 MOSFET (금속 (() 1.4W, 1.3W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 3.9a, 2.1a 58mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.8nc @ 10V 150pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1401EDH-T1-GE3 0.4100
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1401 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 4A (TC) 1.5V, 4.5V 34mohm @ 5.5a, 4.5v 1V @ 250µA 36 nc @ 8 v ± 10V - 1.6W (TA), 2.8W (TC)
IRFR010PBF Vishay Siliconix IRFR010PBF 1.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR010 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFR010PBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 50 v 8.2A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 25W (TC)
SI4058DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4058DY-T1-GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4058 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 10.3A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 690 pf @ 50 v - 5.6W (TC)
SI1036X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1036X-T1-GE3 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1036 MOSFET (금속 (() 220MW SC-89-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 610MA (TA) 540mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 1.2NC @ 4.5V 36pf @ 15V -
SIE818DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE818DF-T1-GE3 1.9970
RFQ
 ECAD 1947 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE818 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 60A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 38 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SI5517DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5517DU-T1-GE3 1.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 듀얼 SI5517 MOSFET (금속 (() 8.3W PowerPak® Chipfet Dual 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 6A 39mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 16nc @ 8v 520pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRFI9Z34GPBF Vishay Siliconix irfi9z34gpbf 3.0900
RFQ
 ECAD 816 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI9 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfi9z34gpbf 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 12A (TC) 10V 140mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 42W (TC)
SIHA22N60E-E3 Vishay Siliconix SiHA22n60E-E3 3.9000
RFQ
 ECAD 4436 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA22 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 35W (TC)
SI1442DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1442DH-T1-BE3 0.4500
RFQ
 ECAD 4936 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1442 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 4A (TA) 20mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 8 v ± 8V 1010 pf @ 6 v - 1.56W (TA)
SQ2361ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2361ES-T1_GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 7852 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2361 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.8A (TC) 10V 177mohm @ 2.4a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 550 pf @ 30 v - 2W (TC)
SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SIHG24N80AEF-GE3 4.8700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Vishay Siliconix ef 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHG24N80AEF-GE3 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 800 v 20A (TC) 10V 195mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 30V 1889 pf @ 100 v - 208W (TC)
SQP120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix SQP120N10-3M8_GE3 -
RFQ
 ECAD 5436 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SQP120 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 7230 pf @ 25 v - 250W (TC)
SIA441DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA441DJ-T1-GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA441 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 12A (TC) 4.5V, 10V 47mohm @ 4.4a, 10V 2.2V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 890 pf @ 20 v - 19W (TC)
SIR664DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir664dp-t1-ge3 1.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir664 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 60A (TC) 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v 1750 pf @ 30 v -
IRFD9020PBF Vishay Siliconix IRFD9020PBF 1.6700
RFQ
 ECAD 505 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9020 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFD9020PBF 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 60 v 1.6A (TA) 10V 280mohm @ 960ma, 10V 4V @ 1µa 19 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
SQSA84CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQSA84CENW-T1_GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 1262 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8W MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 16A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 27W (TC)
SI3454ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3454ADV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2403 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3454 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.4A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
SUP60N10-16L-E3 Vishay Siliconix SUP60N10-16L-E3 -
RFQ
 ECAD 9230 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sup60 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 60A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3820 pf @ 25 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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